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题名氧化多孔硅隔离技术研究
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作者
陈南翔
刘佑宝
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机构
北京师范大学
陕西骊山微电子公司
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出处
《半导体技术》
CAS
1987年第3期1-5,共5页
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文摘
我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.
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关键词
热氧化
SEM
氧化隔离
介质隔离
多孔硅
PSL
高温过程
击穿电压
阳极反应
圈圈圈
反应时间
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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题名应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究
被引量：1
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作者
高渊
刘英坤
邓建国
梁东升
董军平
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机构
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期460-463,共4页
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文摘
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。
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关键词
局部氧化隔离
化学机械抛光
反刻
抛光速率
选择比
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Keywords
local oxidation on silicon （LOCOS）
chemical mechanical polishing （CMP）
etchback
polishing rate
selectivity ratio
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名仿真研究NPT-IGBT器件的瞬态特性
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作者
刘钺杨
金锐
赵哿
于坤山
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机构
国网智能电网研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期347-351,共5页
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基金
北京市科委科技资助项目(Z111104056011004)
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-91-12-001)
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文摘
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另外,在保证导通沟道长度不变的前提下,研究pin区与MOS区所占元胞尺寸比例k对IGBT通态电压与关断损耗折衷关系的影响,以及采用自对准工艺进行元胞设计对器件短路特性的影响。研究发现:合理设计氧化隔离层的尺寸能明显提高IGBT的抗短路能力,从而提高器件坚固性;比例系数k越大,通态损耗越低,而开关损耗越高,设计时需综合考虑通态电压和关断损耗的折衷。适当选取k值能完成最优化的器件设计。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
氧化隔离层
开关损耗
短路耐量
折衷设计
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Keywords
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
spacer
switching loss
short-circuit ruggedness
trade-off design
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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