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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
1
作者
任春江
李忠辉
+5 位作者
焦刚
钟世昌
董逊
薛舫时
陈辰
陈堂胜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期80-82,90,共4页
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×...
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×1013cm-2,迁移率达1880cm2/V.s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的Al GaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz,最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率为10.52W,功率增益和功率附加效率分别为7.62dB和45.8%。
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关键词
氧化镓铝/氮化镓
高电子迁移率晶体管
电流崩塌
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职称材料
题名
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
1
作者
任春江
李忠辉
焦刚
钟世昌
董逊
薛舫时
陈辰
陈堂胜
机构
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期80-82,90,共4页
文摘
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×1013cm-2,迁移率达1880cm2/V.s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的Al GaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz,最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率为10.52W,功率增益和功率附加效率分别为7.62dB和45.8%。
关键词
氧化镓铝/氮化镓
高电子迁移率晶体管
电流崩塌
Keywords
AlGaN/GaN
HEMT
current collapse
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
任春江
李忠辉
焦刚
钟世昌
董逊
薛舫时
陈辰
陈堂胜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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