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导电性氧化镓单晶
1
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第5期333-333,共1页
关键词
蓝色发光二极管
导电性
氧化镓单晶
电阻率
MOCVD法
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职称材料
β-Ga_(2)O_(3)的变形机理以及单晶衬底的机械加工技术研究进展
2
作者
杨冉
金竹
+3 位作者
马可可
夏宁
张辉
杨德仁
《中国材料进展》
北大核心
2025年第2期199-208,共10页
β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,...
β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,包括主导塑性变形的位错的滑移系和解理断裂机制的总结分析,旨在全面认识β-Ga_(2)O_(3)的变形行为和机理,为其制备、加工和应用过程中遇到的变形相关问题给出指导;针对β-Ga_(2)O_(3)衬底片的加工过程,对切割、研磨和抛光过程中涉及到的变形机理和工艺探索进行了详细介绍,讨论了加工过程中主要存在的问题以及解决问题的方向。
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关键词
氧化镓单晶
力学性能
变形机理
机械加工
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职称材料
题名
导电性氧化镓单晶
1
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第5期333-333,共1页
关键词
蓝色发光二极管
导电性
氧化镓单晶
电阻率
MOCVD法
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
β-Ga_(2)O_(3)的变形机理以及单晶衬底的机械加工技术研究进展
2
作者
杨冉
金竹
马可可
夏宁
张辉
杨德仁
机构
浙江大学硅及先进半导体全国重点实验室
浙江大学材料科学与工程学院
浙江大学杭州国际科创中心
出处
《中国材料进展》
北大核心
2025年第2期199-208,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(52202150,22205203)
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划资助项目(2023C01-193)
国家博士后创新人才支持计划资助项目(BX20220264)。
文摘
β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,包括主导塑性变形的位错的滑移系和解理断裂机制的总结分析,旨在全面认识β-Ga_(2)O_(3)的变形行为和机理,为其制备、加工和应用过程中遇到的变形相关问题给出指导;针对β-Ga_(2)O_(3)衬底片的加工过程,对切割、研磨和抛光过程中涉及到的变形机理和工艺探索进行了详细介绍,讨论了加工过程中主要存在的问题以及解决问题的方向。
关键词
氧化镓单晶
力学性能
变形机理
机械加工
Keywords
β-Ga_(2)O_(3)single crystal
mechanical properties
deformation mechanism
machining technology
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
导电性氧化镓单晶
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004
0
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职称材料
2
β-Ga_(2)O_(3)的变形机理以及单晶衬底的机械加工技术研究进展
杨冉
金竹
马可可
夏宁
张辉
杨德仁
《中国材料进展》
北大核心
2025
0
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职称材料
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