热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响 被引量：2

1

作者 邵乐喜 刘小平 +2 位作者 谢二庆 贺德衍 陈光华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期1015-1018,共4页

以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响．实验表明，热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径，样品经７００℃退火后，发射电流的涨落从未退火... 以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响．实验表明，热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径，样品经７００℃退火后，发射电流的涨落从未退火前的１３５μＡ下降到２０μＡ；并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性．文中认为，退火处理造成了薄膜结构的变化，引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变，进而影响了其发射特性． 展开更多

关键词 AIN薄膜 场电子发射 热退火 氮化铝薄膜 射频反应溅射 冷阴级材料

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氧化锡薄膜场致发射研究 被引量：4

2

作者 林金阳 王灵婕 +1 位作者 张永爱 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期368-371,共4页

利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电... 利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电压为4.5 V/μm,阴阳两极电场为7 V/μm时,有较佳的场发射密度,同时发光亮度达到2180 cd/m2,结果表明,氧化锡薄膜在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。 展开更多

关键词 氧化锡薄膜场致发射磁控反应溅射

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基于氧化锡薄膜的表面传导场致发射阴极阵列的制备及性能研究 被引量：1

3

作者 张永爱 林婷 +3 位作者 林木飞 林锑杭 周雄图 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期814-818,共5页

利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度... 利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度随沉积时间的增长而增加,晶粒大小也随着膜厚的增加而增大。场发射测试表明,制备的SnO2表面传导场致发射阴极阵列的传导电流和发射电流完全被栅极电压控制;在SnO2薄膜厚度为60nm时,阳极电压和栅极电压分别为3200 V和200 V,阴阳间距为500μm时,SnO2表面传导场致发射阴极阵列的电子发射效率为0.72%,发光亮度为650 cd/m2,表明SnO2薄膜在表面传导场致发射阴极阵列方面有着较好的应用潜力。 展开更多

关键词 氧化锡薄膜 表面传导 场致发射 阴极阵列

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氮化硼薄膜的场致发射特性 被引量：5

4

作者 顾广瑞 何志 +3 位作者 李英爱 王翠 冯伟 赵永年 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期44-48,共5页

研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超... 研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性 。 展开更多

关键词 BN薄膜 场致发射 氮化硼薄膜 基板偏压 薄膜厚度 磁控溅射

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在空心微珠表面磁控溅射镀金属薄膜的研究 被引量：9

5

作者 俞晓正 徐政 沈志刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期247-250,共4页

本文论述了在空心微珠表面磁控溅射镀金属薄膜的方法。用光学显微镜、场发射扫描电子显微镜、能谱仪和X射线衍射仪对其进行了分析表征。溅射镀膜时,通过控制空心微珠的运动方式,在空心微珠表面沉积了一层均匀性好、附着力强和致密性好... 本文论述了在空心微珠表面磁控溅射镀金属薄膜的方法。用光学显微镜、场发射扫描电子显微镜、能谱仪和X射线衍射仪对其进行了分析表征。溅射镀膜时,通过控制空心微珠的运动方式,在空心微珠表面沉积了一层均匀性好、附着力强和致密性好的金属镍膜。 展开更多

关键词 磁控溅射 金属薄膜 场发射扫描电子显微镜 空心微珠

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氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响 被引量：1

6

作者 顾广瑞 吴宝嘉 +3 位作者 李全军 金哲 盖同祥 赵永年 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期120-123,共4页

利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)... 利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性 ,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加 ,阈值电场逐渐升高 ,这是由于表面粗糙度的变化造成的。充入 10 %N2 情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好 ,开启电场为 9V/μm ,当电场升高到 2 4V/μm ,场发射电流为 32 0 μA/cm2 。所有样品的场发射FN曲线均近似为直线 。 展开更多

关键词 氮气分压 氮化硼薄膜 场发射 射频磁控溅射法 红外光谱分析 开启电场 隧道效应

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基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 被引量：2

7

作者 孙文斗 顾广瑞 +4 位作者 孙龙 李全军 李哲奎 盖同祥 赵永年 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期251-254,共4页

利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大... 利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的. 展开更多

关键词 场发射 基底温度 表面粗糙度 氮化硼薄膜 射频磁控溅射 隧道效应

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纳米氮化钛薄膜对高频陶瓷窗片二次电子发射率的影响研究 被引量：3

8

作者 赵毅红 李芳芳 +4 位作者 王博锋 叶成聪 缪雨龙 陈海波 陈荣发 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期960-966,共7页

纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(... 纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(TiN)薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)等现代分析手段进行了测试分析,结果表明:纳米TiN薄膜表面晶粒细小,致密度较好;晶面(111)和(200)特征衍射峰峰型规整,峰宽细窄;Ti/N原子计量比接近于1∶1。随着薄膜沉积时间增加,二次电子发射系数(SEY)逐渐增大,溅射时间8.4 s时,SEY为1.72;随着基体偏压的增加,电离效率增加,SEY不断降低,当偏压为350 V时,SEY为1.89;随着N2流量增加,SEY发生变化,当N2流量为38 mL/min时,SEY为1.83。 展开更多

关键词 磁控反应溅射 纳米TiN 薄膜 高频陶瓷窗片 二次电子发射率

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平栅型双层膜阴极的脉冲电压处理及场致发射性能研究

9

作者 林金阳 张永爱 +1 位作者 杨尊先 郭太良 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第19期19061-19063,19069,共4页

采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如... 采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如亮度、均匀度等有了很大的提高,阳压为3 000 V,栅压为190 V,其腔体亮度可达462 cd/m2。平行栅双层膜阴极的脉冲电压处理可以有效改善阴极的场发射性能,为改善SED阴极结构及材料提供了一条有效的实验方法。 展开更多

关键词 平行栅 场发射 氧化锡薄膜 氧化铋薄膜

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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象 被引量：19

10

作者 孔伟华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1083-1088,共6页

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒... 研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生. 展开更多

关键词 ITO靶材 直流磁控反应溅射 毒化现象 三氧化二铟 二氧化锡 导电氧化物半导体 薄膜 制备

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衬底温度对Al/Zn_3N_2薄膜制备的影响 被引量：1

11

作者 冯军勤 陈俊芳 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2287-2291,共5页

运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N*2第一正系B3Πg→A3Σ+u,N*2第二正系C3Πu→B3Πg,N+*2第一负系B2Σ+u→X2Σ+g,Zn*以及Zn+*活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度... 运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N*2第一正系B3Πg→A3Σ+u,N*2第二正系C3Πu→B3Πg,N+*2第一负系B2Σ+u→X2Σ+g,Zn*以及Zn+*活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度逐渐增强;由于衬底温度升高,腔室中各离子动能增加,使得碰撞电离加剧,导致N*2,N+*2,Zn*以及Zn+*活性基团的等离子体离子密度增加;等离子体发射光谱分析结果表明衬底温度在一定范围内升高有利于氮化锌薄膜生长。采用离子源辅助磁控溅射技术在Al薄膜上制备Zn3N2薄膜;X射线衍射图谱(XRD)分析结果表明:室温下,反应生长出单一择优取向面(321)氮化锌薄膜;随着温度的升高,在Al膜上反应生长的氮化锌薄膜择优取向面逐渐丰富,出现(222),(400),(600),(411),(332),(431)以及(622)择优取向面,体现出随着衬底温度的升高,薄膜的结晶度逐渐增加。XP-1台阶仪分析的结果表明,随着衬底温度的升高,氮化锌薄膜的沉积率逐渐增大。场效应扫描电子显微镜(SEM)图表明氮化锌薄膜晶粒尺寸随着衬底温度的升高逐渐变小,表面结构更加致密,晶粒排列更加有序;SEM断面扫描显示Al膜和氮化锌薄膜结合非常紧密。衬底温度影响薄膜性能实验分析结果与等离子体发射光谱分析的结果基本一致,体现出等离子体发射光谱了解等离子体内在特性的有效、快捷性。 展开更多

关键词 磁控反应溅射 等离子体发射光谱 Al/Zn3N2 双层薄膜

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《液晶与显示》2007年分类目次

12

《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期790-793,共4页

关键词 场发射特性 液晶 介晶态 晶体 碳纳米管 CVD 有机电致发光器件 石墨片 薄膜研究 射频磁控溅射法 ZnO 光电薄膜 目次

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