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题名溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响
被引量：1
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作者
李慧
杨小天
王艳杰
王超
杨帆
聂晓渊
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机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室
吉林师范大学
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期1439-1445,共7页
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基金
吉林省科技发展计划(No.YDZJ202201ZYTS430,No.20200201177JC)
吉林省教育厅科学技术研究项目(No.JJKH20210276KJ,No.JJKH20210277KJ)
吉林省科技计划(No.20210203021SF,No.2022-KL-09)。
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文摘
为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征。实验结果表明,W的溅射功率会影响薄膜的结晶质量。随着W溅射功率的增加,薄膜结晶质量逐渐变好。达到某个值后继续增加W的溅射功率,薄膜结晶质量并没有很大的改善。本文中研究的WZO薄膜均在(002)晶面择优生长,且当W的溅射功率为2 W时,WZO薄膜晶体管综合性能最好,开关比达到5.24×10^(5),阈值电压为16.89 V,在400~1 400 nm波段平均透过率达到90%。
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关键词
薄膜晶体管
氧化锌钨薄膜
钨的溅射功率
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Keywords
thin film transistor
zinc tungsten oxide thin film
tungsten doping content
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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