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热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响
被引量：
2
1
作者
刘磁辉
林碧霞
+3 位作者
王晓平
朱俊杰
钟声
傅竹西
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期151-155,共5页
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶...
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400 nm,而较小的尺寸仅为50 nm。此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化。
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关键词
氧化锌薄膜材料
热退火
原子力显微镜
椭偏测量
半导体
材料
椭偏参数
薄膜
结构
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职称材料
题名
热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响
被引量：
2
1
作者
刘磁辉
林碧霞
王晓平
朱俊杰
钟声
傅竹西
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期151-155,共5页
基金
国家自然科学基金重大研究计划重点课题(90201038)
文摘
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400 nm,而较小的尺寸仅为50 nm。此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化。
关键词
氧化锌薄膜材料
热退火
原子力显微镜
椭偏测量
半导体
材料
椭偏参数
薄膜
结构
Keywords
ZnO thin film
annealing behavior
atomic force microscopy
ellipsometry
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响
刘磁辉
林碧霞
王晓平
朱俊杰
钟声
傅竹西
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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