氧化锌压敏电阻片的热刺激电流测试研究 被引量：17

1

作者 屠幼萍 何洁 +3 位作者 王倩 刘美 徐光亮 丁立健 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第33期116-121,共6页

热刺激电流(thermally stimulated current,TSC)技术是研究各种电介质缺陷及其特性的有效手段,开展氧化锌压敏电阻片的TSC特性研究对于研制高性能氧化锌电阻片有重要意义。开展氧化锌压敏电阻片的热释电电流以及不同极化电压、不同极化... 热刺激电流(thermally stimulated current,TSC)技术是研究各种电介质缺陷及其特性的有效手段,开展氧化锌压敏电阻片的TSC特性研究对于研制高性能氧化锌电阻片有重要意义。开展氧化锌压敏电阻片的热释电电流以及不同极化电压、不同极化时间、不同极化温度和不同升温速率条件下的TSC特性的试验研究,并根据测试结果分析不同试验条件下氧化锌压敏电阻的陷阱电荷量、陷阱能级等的变化情况,初步认为在所研究温度范围内的TSC是通过陷阱电子表现出来的。在上述试验分析的基础上,确定一种合适的氧化锌压敏电阻TSC试验参数,为后续研究提供参考。 展开更多

关键词 电介质 热刺激电流 载流子 陷阱电荷 氧化锌压敏电阻 热释电电流

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氧化锌压敏电阻劣化过程中电容量变化的分析应用 被引量：52

2

作者 杨仲江 陈琳 +1 位作者 杜志航 孙涌 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2167-2172,共6页

因目前MOV型SPD劣化检测参数压敏电压U1mA和漏电流Ileakage不能及时有效地判断MOV劣化程度,故研究一种能考量MOV劣化程度的方法尤其重要。根据影响MOV电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理... 因目前MOV型SPD劣化检测参数压敏电压U1mA和漏电流Ileakage不能及时有效地判断MOV劣化程度,故研究一种能考量MOV劣化程度的方法尤其重要。根据影响MOV电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理,提出了氧化锌压敏电阻劣化过程中必然伴随电容量的变化。在不同的冲击实验下,对MOV型SPD进行劣化实验表明:MOV的电容量均随劣化程度增加而呈现上升趋势;在In标称值冲击下,MOV电容量随冲击次数近似线性上升。通过实验首次提出了电容量增幅具有考量MOV劣化程度的重要意义,同时证明:结合U1mA、Ileakage和电容量3个参数能够更好地分析MOV内部劣化原因。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 晶界 劣化 电容 漏电流 压敏电压

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基于修正Cole-Cole模型的氧化锌压敏电阻老化状态评估 被引量：6

3

作者 李春茂 陈子宣 +4 位作者 杨雁 陈锡成 朱航 高波 吴广宁 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期85-92,共8页

为了将频域介电响应法(FDS)用于氧化锌压敏电阻老化状态的无损检测,在实验室环境下对氧化锌压敏电阻进行冲击老化试验,测量其介电频谱,并引入了带直流电导的多驰豫Cole-Cole模型拟合分析氧化锌压敏电阻的介电频谱。通过双驰豫Cole-Cole... 为了将频域介电响应法(FDS)用于氧化锌压敏电阻老化状态的无损检测,在实验室环境下对氧化锌压敏电阻进行冲击老化试验,测量其介电频谱,并引入了带直流电导的多驰豫Cole-Cole模型拟合分析氧化锌压敏电阻的介电频谱。通过双驰豫Cole-Cole模型拟合常温下的介电谱发现,其中存在α驰豫过程和β驰豫过程,其对应的活化能约为0.68 eV和0.34 eV,对应着非本征晶间相缺陷驰豫和本征氧空位缺陷驰豫,α驰豫强度Δε_α随冲击次数的增加而增强,而β驰豫过程不受冲击老化的影响;在拟合高温下(393 K)的介电频谱时新发现γ驰豫过程,其活化能约为0.73 eV,对应着非本征晶界面缺陷驰豫,随着老化程度的加深,驰豫强度Δε_γ、形状参数γ增大,驰豫时间τ_γ和活化能减小;直流电导σDC随着冲击次数的增加而变大,其对应的活化能约为0.72 eV,随着冲击次数的增加而减小。因此,可通过修正的多驰豫Cole-Cole模型参数σ——(DC)、Δε_α、Δε_γ、τ_γ、γ和直流电导活化能、γ驰豫活化能综合评估氧化锌压敏电阻的老化状态。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 冲击老化 频域介电谱 COLE-COLE模型 活化能

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微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长 被引量：10

4

作者 林枞 徐政 +1 位作者 彭虎 孙丹峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期917-921,共5页

研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～200℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升... 研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～200℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kj/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi_2O_3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素. 展开更多

关键词 微波烧结 氧化锌压敏电阻 致密化 晶粒生长动力学

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基于瞬态热阻抗模型的氧化锌压敏电阻散热能力研究 被引量：8

5

作者 张欣 行鸿彦 +1 位作者 杨天琦 宋晨曦 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第6期19-23,共5页

针对交流环境中氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研... 针对交流环境中氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研究了片径和热熔穿电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。试验结果表明:热熔穿过程中,MOV芯片散热量除与片径有关外,还与通过电流值有关,是随时间和温度变化的量,并且随着通电时间延长其势垒高度降低同时散热能力增强。试验结果验证了模型的正确性,说明了所建立的瞬态热阻抗模型可定量反映MOV芯片散热能力大小,为研究MOV芯片热熔穿热劣化提供理论依据。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 散热能力 热阻 瞬态热阻抗模型 电涌保护器 热熔穿

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工频过电压耐受下氧化锌压敏电阻冲击老化性能研究 被引量：9

6

作者 张欣 行鸿彦 +1 位作者 杨天琦 宋晨曦 《电测与仪表》 北大核心 2014年第14期32-37,共6页

针对氧化锌压敏电阻芯片在8/20μs电流冲击初期,芯片压敏电压变化较小,老化程度无法通过静态参数判别的问题,本文设计了工频过电压耐受下的ZnO压敏电阻冲击老化试验,研究了ZnO压敏电阻芯片不同冲击老化情况,耐受工频恒定不同幅值过电压... 针对氧化锌压敏电阻芯片在8/20μs电流冲击初期,芯片压敏电压变化较小,老化程度无法通过静态参数判别的问题,本文设计了工频过电压耐受下的ZnO压敏电阻冲击老化试验,研究了ZnO压敏电阻芯片不同冲击老化情况,耐受工频恒定不同幅值过电压过程和耐受阶段流经芯片内部电流Iin随时间的变化关系;结合双肖特基势垒理论和ZnO压敏电阻芯片Voronoi网格微观结构模型,分析试验结论。结果表明:耐受工频恒定相同幅值过电压,ZnO压敏电阻芯片经8/20μs电流冲击后老化程度越深其流过芯片内部电流Iin的初始值越大;且lin值随时间上升速率与初始冲击老化程度呈正比;相同老化程度ZnO压敏电阻芯片耐受过电压幅值越大,耐受时间越短,Iin的初始值越大。这些可为ZnO压敏电阻冲击老化劣化初期判别提供依据。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 8 20μs冲击老化 工频耐受下ZnO压敏电阻内部电流 耐受时间

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氧化锌压敏电阻的湿式化学合成法 被引量：3

7

作者 彭忠东 杨建红 +1 位作者 刘业翔 李自强 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期145-149,共5页

综述了氧化锌压敏电阻的特性、用途及国内外用各种湿式化学合成技术制备氧化锌压敏电阻的原理及方法。

关键词 变阻器 湿式化学合成 氧化锌压敏电阻

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Y_2O_3掺杂对低压氧化锌压敏电阻材料结构和电学性能的影响 被引量：2

8

作者 王茂华 胡克鳌 +1 位作者 赵斌元 张南法 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期789-791,共3页

通过掺杂研究了微量Y2O3对低压氧化锌压敏电阻的电性能影响,并采用SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了Y2O3影响低压氧化锌压敏电阻电性能与组织的机理.研究结果表明,在0～0.07%(摩尔分数)掺杂范围内,随着Y2O3含... 通过掺杂研究了微量Y2O3对低压氧化锌压敏电阻的电性能影响,并采用SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了Y2O3影响低压氧化锌压敏电阻电性能与组织的机理.研究结果表明,在0～0.07%(摩尔分数)掺杂范围内,随着Y2O3含量的增加,低压氧化锌压敏电阻的电场强度明显提高;当Y2O3含量超过0.07%时,电场强度又呈下降趋势.低压氧化锌压敏电阻掺杂Y2O3后,非线性指数α增大,漏电流IL减小,但当掺杂量在0.06%～0.09%(摩尔分数)的范围内,漏电流IL和非线性指数α的变化不大.其原因是Y2O3加入到氧化锌压敏电阻中,Y主要以固溶的形态分布于ZnO晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,引起填隙锌离子的传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随Y2O3掺杂量的增加而减小. 展开更多

关键词 低压氧化锌压敏电阻 Y2O3 电性能 显微结构

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Nd_2O_3对氧化锌压敏电阻片压敏电位梯度与组织的影响 被引量：1

9

作者 严群 陈家钊 +1 位作者 唐俊 涂铭旌 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 2003年第3期101-103,共3页

研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织进行了分析。结果表明,在0～0.04%(mol)成分范围内,随着Nd2O3含量的增加,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度明显提高,当Nd2O3含量为0.04%(mol... 研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织进行了分析。结果表明,在0～0.04%(mol)成分范围内,随着Nd2O3含量的增加,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度明显提高,当Nd2O3含量为0.04%(mol)时,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度达到最大值,约为583.25V/mm,比不含Nd2O3的原始成分的氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度(约354.42V/mm)增加了约65%。其原因是加入到氧化锌压敏电阻片中的Nd2O3主要分布在晶界上,阻碍了ZnO晶界的迁移,从而抑制了ZnO晶粒的长大,使ZnO晶粒更为细小均匀。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 ND2O3 压敏电位梯度 显微组织

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暂态过电压预处理对氧化锌压敏电阻冲击性能的影响 被引量：2

10

作者 张欣 杨天琦 周北平 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第8期95-97,110,共4页

针对氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片在实际工作环境中会遭受过电压作用问题,设计了暂态过电压预处理后MOV耐受冲击老化试验,研究了不同幅值工频交流暂态过电压5 s作用下MOV芯片耐冲击老化性能变化。试验结果表明:MOV芯... 针对氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片在实际工作环境中会遭受过电压作用问题,设计了暂态过电压预处理后MOV耐受冲击老化试验,研究了不同幅值工频交流暂态过电压5 s作用下MOV芯片耐冲击老化性能变化。试验结果表明:MOV芯片经暂态过电压预处理后压敏电压升高,耐8/20μs电流波冲击次数增多;暂态过电压预处理后芯片冲击过程中压敏电压呈现下降-保持-下降过程,与未经预处理芯片压敏电压变化过程有所不同。结合双肖特基势垒导电机理推论出工频交流瞬时过电压作用下,氧化锌晶界两侧势垒高度变化过程,并经过试验数据分析证明此推论的合理性。为研究暂态过电压对MOV冲击性能影响及生产厂家预老化工艺的合理性提供试验依据。 展开更多

关键词 暂态过电压 氧化锌压敏电阻 8 20μs冲击性能 预处理 双肖特基导电机理 压敏电压

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低电压氧化锌压敏电阻器

11

作者 陈湘渝 余承杰 何峰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第5期325-327,共3页

评述了实现氧化锌压敏电阻器低压化的一些有效途径。介绍一种采用传统电子陶瓷制造工艺，通过添加少量晶粒促进剂和锌锑尖晶石来制备低压氧化锌压敏电阻器的方法及原理，达到的主要结果是压敏电压４Ｖ，非线性系数大于１５，通流量２０... 评述了实现氧化锌压敏电阻器低压化的一些有效途径。介绍一种采用传统电子陶瓷制造工艺，通过添加少量晶粒促进剂和锌锑尖晶石来制备低压氧化锌压敏电阻器的方法及原理，达到的主要结果是压敏电压４Ｖ，非线性系数大于１５，通流量２００Ａ。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 电位梯度 添加剂 电阻器

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氧化锌压敏电阻在不同电流环境下老化规律研究 被引量：3

12

作者 王星 杨仲江 +1 位作者 栾健 王迪 《西南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期175-182,共8页

通过试验室模拟氧化锌压敏电阻在不同电流环境下的老化过程,依据氧化锌压敏电阻的非线性特性与双肖特基势垒理论分析试验现象,得到其老化规律:在直流老化中正反向压敏电压与漏电流参数呈不对称变化,温度线性上升;交流老化中正反方向压... 通过试验室模拟氧化锌压敏电阻在不同电流环境下的老化过程,依据氧化锌压敏电阻的非线性特性与双肖特基势垒理论分析试验现象,得到其老化规律:在直流老化中正反向压敏电压与漏电流参数呈不对称变化,温度线性上升;交流老化中正反方向压敏电压与漏电流呈对称变化,温度呈上升-稳定-上升的趋势;冲击老化中压敏电压呈上升-稳定-急速下降的趋势,漏电流以稳定-急速上升的趋势变化,非线性系数始终下降的变化规律.该结论在氧化锌压敏电阻避雷器的使用和检测中具有一定参考意义. 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 直流 交流 冲击电流 老化劣化

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微波烧结氧化锌压敏电阻的电性能研究 被引量：2

13

作者 夏广斌 林枞 +3 位作者 郭方方 李志杰 徐政 彭虎 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期118-120,共3页

在不同温度下微波烧结ZnO压敏电阻,并与传统方法烧结的样品比较,得到微波烧结ZnO压敏电阻的最佳工艺,并总结出ZnO压敏电阻电性能随烧结温度变化的规律。对锡焊前后ZnO压敏电阻的电性能进行了时比,证明微波烧结会使空气中敞开烧结的样品... 在不同温度下微波烧结ZnO压敏电阻,并与传统方法烧结的样品比较,得到微波烧结ZnO压敏电阻的最佳工艺,并总结出ZnO压敏电阻电性能随烧结温度变化的规律。对锡焊前后ZnO压敏电阻的电性能进行了时比,证明微波烧结会使空气中敞开烧结的样品表面大量挥发形成孔隙,使电性能强烈恶化。而密闭烧结能大大减少挥发,改善电性能。 展开更多

关键词 微波烧结 氧化锌压敏电阻 电性能 锡焊

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银对氧化锌压敏电阻器用铜导电浆料的影响 被引量：1

14

作者 马洪春 朱晓云 +1 位作者 龙晋明 曹梅 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第7期85-88,92,共5页

用铜导电浆料替代传统的贵金属银浆料是电子浆料发展的重要方向之一。根据氧化锌压敏电阻器对导电浆料的工艺技术要求(烧结温度不能高于600℃,否则会造成器件压敏电性能降低),在铜导电浆料中添加适量银粉,制备了新型铜导电浆料,并将其... 用铜导电浆料替代传统的贵金属银浆料是电子浆料发展的重要方向之一。根据氧化锌压敏电阻器对导电浆料的工艺技术要求(烧结温度不能高于600℃,否则会造成器件压敏电性能降低),在铜导电浆料中添加适量银粉,制备了新型铜导电浆料,并将其印在氧化锌压敏基片表面,通过烧结处理得到导电铜膜。采用扫描电子显微镜观察导电铜膜的显微组织,采用四探针法测定导电铜膜的电阻,考察了铜粉种类、银添加量、银粉添加方式和烧结温度对导电铜膜性能的影响。结果表明,在铜导电浆料中添加质量分数4.5%的银粉,有助于提高浆料中铜粉的烧结活性,在烧结温度为600℃时可获得结合力和导电性良好的导电铜膜。银添加量一定时,与银粉相比,银包铜粉在浆料中的分布均匀性和连结性更好。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 铜导电浆料 银包铜粉 掺杂

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氧化锌压敏电阻综合性能的多元掺杂综合调控 被引量：31

15

作者 孟鹏飞 胡军 +1 位作者 邬锦波 何金良 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期241-247,共7页

氧化锌压敏电阻是避雷器的核心元件。研究了多元素掺杂的稀土掺杂的氧化锌压敏电阻的电气性能，选用了铝、镓、钇元素掺杂来综合提高氧化锌压敏电阻的综合电气性能。随着镓元素的引入，稀土钇掺杂的氧化锌压敏电阻的泄漏电流得到了明显... 氧化锌压敏电阻是避雷器的核心元件。研究了多元素掺杂的稀土掺杂的氧化锌压敏电阻的电气性能，选用了铝、镓、钇元素掺杂来综合提高氧化锌压敏电阻的综合电气性能。随着镓元素的引入，稀土钇掺杂的氧化锌压敏电阻的泄漏电流得到了明显的抑制。Ga3＋占据了氧化锌晶界层上的空位，从而提高了晶界的势垒高度，因此，压敏电阻的泄漏电流得到了有效的抑制。Y203主要位于氧化锌晶粒的周围抑制氧化锌晶粒的生长，从而提高了压敏电阻的电压梯度。Al3＋固溶到了氧化锌晶粒中降低了晶粒的阻抗，因此可以有效降低压敏电阻在通过大电流时的残压比。当氧化镓、硝酸钇、硝酸铝的掺杂摩尔分数分别为0．5、0．9、0．2时可以获取最佳的电气性能，此时压敏电阻的非线性系数为83，残压比1．56，泄漏电流密度为1．44gA／cm2，电压梯度达到479V／mm。此多元素掺杂研究有助于提高氧化锌避雷器的保护性能，实现深度限制电力系统，特别是特高压系统的过电压。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 电气性能 微观结构 多元掺杂:晶界层

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氧化锌压敏电阻多片并联方法及性能分析 被引量：1

16

作者 徐乐 游志远 +2 位作者 胡玉玲 柏杨 钱丹 《电测与仪表》 北大核心 2016年第17期122-128,共7页

MOV(金属氧化锌压敏电阻)常以多片并联的形式应用于限压型SPD(电涌保护器)中,由于其性能的优劣直接影响器件的整体保护效果,遂对MOV多片并联方法及性能进行分析,通过并联后MOV电气特性的理论与试验分析,得出MOV产生电流偏差IL的主因是由... MOV(金属氧化锌压敏电阻)常以多片并联的形式应用于限压型SPD(电涌保护器)中,由于其性能的优劣直接影响器件的整体保护效果,遂对MOV多片并联方法及性能进行分析,通过并联后MOV电气特性的理论与试验分析,得出MOV产生电流偏差IL的主因是由于U_(1mA)和R_d的不一致性。同时基于ATP-EMTP(电磁暂态分析软件),考虑在大电流作用下MOV的响应特性和全电流区的伏安特性,并构建电路模型,利用2 ns上升速率的方波回路和8/20μs脉冲电流发生回路进行实测,仿真MOV在不同片数下的残压与通流特性,得到多片并联后MOV的特性参数变化趋势,得出MOV 5片并联其效果相对最佳。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 并联 ATP-EMTP 残压 通流 漏流

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不同稀土氧化物掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响 被引量：5

17

作者 祝志祥 张强 +6 位作者 曹伟 刘静 谷山强 万帅 孙雨旸 武艳琪 潘俊乔 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2021年第4期595-600,共6页

采用传统烧结工艺以纳米ZnO粉末为原料制备ZnO压敏电阻。通过在配方中引入La_(2)O_(3)、CeO_(2)、Sm_(2)O_(3)、Y_(2)O_(3)等稀土氧化物对其进行掺杂改性,研究不同稀土氧化物掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响。利用XRD、SEM、压敏电阻直流... 采用传统烧结工艺以纳米ZnO粉末为原料制备ZnO压敏电阻。通过在配方中引入La_(2)O_(3)、CeO_(2)、Sm_(2)O_(3)、Y_(2)O_(3)等稀土氧化物对其进行掺杂改性,研究不同稀土氧化物掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响。利用XRD、SEM、压敏电阻直流参数仪对样品进行表征分析。研究结果表明,稀土氧化物掺杂能够抑制ZnO晶粒的生长,提升ZnO压敏电阻的电压梯度与非线性系数,有效降低样品的漏电电流。当使用0.7 mol%的Y_(2)O_(3)进行掺杂改性时,所制样品的综合电性能最佳,其电压梯度为613 V/mm,漏电流IL为0.26μA,非线性系数α为60.4。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 稀土氧化物 微观结构 电学性能

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电力系统避雷器用ZnO压敏电阻研究进展 被引量：76

18

作者 何金良 刘俊 +1 位作者 胡军 龙望成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期634-643,共10页

ZnO压敏电阻是金属氧化物避雷器(MOA)的核心器件,电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平直接取决于ZnO压敏电阻性能的好坏。我国特高压输电工程正在逐步建设,要求MOA能够有效地限制电力系统过电压。相比于传统MOA中采用的ZnO压敏电阻阀... ZnO压敏电阻是金属氧化物避雷器(MOA)的核心器件,电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平直接取决于ZnO压敏电阻性能的好坏。我国特高压输电工程正在逐步建设,要求MOA能够有效地限制电力系统过电压。相比于传统MOA中采用的ZnO压敏电阻阀片,应用于特高压MOA的阀片需要具有高电压梯度、低残压比、大通流容量和耐老化性能等特点。目前报导的应用于特高压MOA的压敏电阻阀片,压敏电压梯度可达400V/mm以上,残压比可低至1.38,冲击能量吸收密度可达300J/cm3,老化系数可低至0.6。在调研国内外文献报导的基础上,分析了高电压梯度ZnO压敏电阻数值仿真计算的研究现状和导电机理的最新进展。基于Voronoi网格和ZnO压敏电阻晶界真实的导电机理模型的仿真计算,可以较好地仿真出ZnO压敏电阻的直流、交流和冲击响应。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 金属氧化物避雷器 特高压输电系统 高电压梯度 残压比 通流容量

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氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展 被引量：14

19

作者 王兰义 徐政魁 唐国翌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1237-1241,共5页

综述了氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展,分析了粉体特性对压敏电阻微观结构和电性能的影响以及粉体制备中存在的问题。对粉体的制备方法和应用前景进行了展望,指出化学法合成复合粉体和高能球磨法制备纳米粉体是氧化锌压敏陶瓷粉体的两个... 综述了氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展,分析了粉体特性对压敏电阻微观结构和电性能的影响以及粉体制备中存在的问题。对粉体的制备方法和应用前景进行了展望,指出化学法合成复合粉体和高能球磨法制备纳米粉体是氧化锌压敏陶瓷粉体的两个主要发展趋势。 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 陶瓷粉体 化学合成法 高能球磨法 纳米粉体

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共沉法制备掺杂氧化锌压敏陶瓷粉料的研究 被引量：5

20

作者 彭忠东 杨建红 +2 位作者 邓朝阳 刘业翔 李自强 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期579-583,共5页

通过对两种共沉法制备掺杂氧化锌压敏电阻的研究 ,证明包膜共沉法比混合离子共沉法更易恒定组成 ,并且具有更好的压敏性能。通过对包膜共沉条件包括温度、分散剂、搅拌强度等的进一步研究 ,确定了包膜共沉的最佳条件。用此法制得的压敏... 通过对两种共沉法制备掺杂氧化锌压敏电阻的研究 ,证明包膜共沉法比混合离子共沉法更易恒定组成 ,并且具有更好的压敏性能。通过对包膜共沉条件包括温度、分散剂、搅拌强度等的进一步研究 ,确定了包膜共沉的最佳条件。用此法制得的压敏电阻 ,其主要电性能指标达到 :泄漏电流 5 0 μA ,击穿电压 180V/mm ,最大非线性系数 44。 展开更多

关键词 共沉淀 包膜共沉淀 掺杂 氧化锌压敏电阻

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