一种新的ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器 被引量：1

1

作者 刘健敏 王林军 +1 位作者 史伟民 夏义本 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期682-684,共3页

不同晶粒大小、高度c轴取向的氧化锌薄膜通过射频反应磁控溅射法成功地沉积在自支撑金刚石薄膜的成核面上。紫外光辐照下,ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器有明显的光响应特性。探测器的暗电流、光电流与ZnO薄膜的晶粒尺寸及质量有关。在... 不同晶粒大小、高度c轴取向的氧化锌薄膜通过射频反应磁控溅射法成功地沉积在自支撑金刚石薄膜的成核面上。紫外光辐照下,ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器有明显的光响应特性。探测器的暗电流、光电流与ZnO薄膜的晶粒尺寸及质量有关。在+10V偏压条件下,氧化锌薄膜的晶粒尺寸越大,则探测器的暗电流越小而光电流越大。光电流的时间依赖性证实了载流子的陷阱效应。 展开更多

关键词 晶粒尺寸 氧化锌/金刚石薄膜结构 光探测器 载流子陷阱效应

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ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作 被引量：3

2

作者 陈颖慧 郑英彬 +3 位作者 席仕伟 唐彬 王旭光 张慧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期443-447,478,共6页

传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/I... 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。 展开更多

关键词 射频微机电系统(RFMEMS) 声表面波滤波器(SAW) 金刚石 氧化锌薄膜 叉指换能器(IDT)

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掺钛氧化锌纳米薄膜微结构及其光电性能研究 被引量：1

3

作者 陈真英 聂鹏 +4 位作者 廖庆佳 黄文华 孟炎 熊定康 邓文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期1077-1081,共5页

采用射频磁控溅射法,以不同保温时间的掺钛氧化锌为靶材在普通玻璃衬底上制备了TZO（掺钛氧化锌）薄膜样品,测试其微结构和光电性能,从而获得制备性能优越的TZO 薄膜所需靶材的最佳条件.测试结果表明,所有样品均为具有c 轴择优取向的六... 采用射频磁控溅射法,以不同保温时间的掺钛氧化锌为靶材在普通玻璃衬底上制备了TZO（掺钛氧化锌）薄膜样品,测试其微结构和光电性能,从而获得制备性能优越的TZO 薄膜所需靶材的最佳条件.测试结果表明,所有样品均为具有c 轴择优取向的六角铅锌矿多晶纳米薄膜;靶材烧结温度和保温时间对薄膜微结构和光电性能有较大影响;以经1500 ℃烧结并保温6h的靶材所制备的薄膜光电性能较好,具有较大晶粒尺寸,在可见光区（400-760nm）有较高的平均透过率91.16%,较低电阻率1.07×10^-4 Ω·cm,较高的载流子浓度和较大迁移率. 展开更多

关键词 掺钛氧化锌薄膜 磁控溅射 保温时间 微结构 光电性能

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掺铝氧化锌薄膜的结构与刻蚀性能 被引量：2

4

作者 洪瑞江 徐淑华 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期151-156,共6页

利用中频反应磁控溅射技术,以Zn/Al(质量比98∶2)合金靶为靶材,制备了综合性能优良的铝掺杂氧化锌(ZnO:Al,AZO)透明导电薄膜.探讨了沉积工艺对薄膜结构、电学及光学性能的影响,分析了AZO薄膜的刻蚀性能以及所制备的绒面结构特性.结果表... 利用中频反应磁控溅射技术,以Zn/Al(质量比98∶2)合金靶为靶材,制备了综合性能优良的铝掺杂氧化锌(ZnO:Al,AZO)透明导电薄膜.探讨了沉积工艺对薄膜结构、电学及光学性能的影响,分析了AZO薄膜的刻蚀性能以及所制备的绒面结构特性.结果表明:基体温度对薄膜生长有较大的影响;采用适当的沉积温度,薄膜具有较好的晶化率,晶粒呈明显的柱状生长,晶界间结合紧密,薄膜的电阻率为4.600×10-4Ω.cm;镀膜时基体的移动速度影响薄膜的晶体生长方式,但对其沉积效率影响不大;具有择优生长特性、形成柱状晶组织的薄膜经稀盐酸腐蚀后,其表面呈规则的粗糙形貌,此结构有利于充分捕集太阳光,从而提高薄膜太阳电池的效率. 展开更多

关键词 氧化锌 太阳电池 薄膜 结构 刻蚀性能

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多层结构氧化锌薄膜制备 被引量：1

5

作者 陈运祥 周勇 汪渝 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期187-191,共5页

介绍了高频声体波微波延迟线用多层结构氧化锌薄膜的制作方法，并对这种交替排列不同结晶取向的多层氧化锌薄膜的微观结构、成膜机理进行了分析和阐述。用具有不同机电耦合系数、厚度为半波长的交替排列多层氧化锌薄膜制成了中心频率为... 介绍了高频声体波微波延迟线用多层结构氧化锌薄膜的制作方法，并对这种交替排列不同结晶取向的多层氧化锌薄膜的微观结构、成膜机理进行了分析和阐述。用具有不同机电耦合系数、厚度为半波长的交替排列多层氧化锌薄膜制成了中心频率为８ＧＨｚ的声体波微波延迟线。 展开更多

关键词 多层结构 氧化锌薄膜 界面特性 换能器 超声波

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PLD方法在CVD金刚石膜上生长ZnO薄膜及其特性研究 被引量：3

6

作者 张吉明 廖源 +2 位作者 张五堂 余庆选 傅竹西 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期240-245,共6页

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较。也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较。也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱,研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响.实验结果表明,在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量,其半高宽只有0.2°.退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时,绿色发光峰得到增强.这里归结为氮气退火后氧空位的增加,这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认. 展开更多

关键词 材料 氧化锌薄膜 脉冲激光沉积法 金刚石 应力

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纳米氧化锌对钙钛矿薄膜本征性能和光谱性能的影响研究

7

作者 于嫚 谢国鑫 +1 位作者 赵肖娟 李兆 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1482-1486,共5页

有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池因其优异的光电特性、低廉的制备成本、高效的转换效率等优越特性,成为光伏领域的研究热点。电子传输层作为钙钛矿电池的核心层,主要起到提取和传输光生载流子的作用,且能够作为空穴阻挡层,抑制钙钛矿活... 有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池因其优异的光电特性、低廉的制备成本、高效的转换效率等优越特性,成为光伏领域的研究热点。电子传输层作为钙钛矿电池的核心层,主要起到提取和传输光生载流子的作用,且能够作为空穴阻挡层,抑制钙钛矿活性层中电荷复合,所以优异性能的电子传输层对钙钛矿太阳能电池的发展至关重要。可目前钙钛矿光伏器件常用的刚性电子传输层(介孔层或致密层)均需要高温烧结,这限制了其在柔性钙钛矿器件方面的应用。因此,开发一种可应用于钙钛矿光伏领域的柔性电子传输层成为当前亟待解决的问题之一。纳米ZnO具有合适的能级和较高的电子迁移率,且可以通过低温制备,被广泛应用在光伏器件中作为电子传输层。因此,通过旋涂法和静电纺丝法分别制备了刚性纳米ZnO和柔性纳米ZnO电子传输层,确定了静电纺丝法制备柔性纳米ZnO的最佳制备工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和稳态/瞬态荧光光谱系统研究了刚性和柔性纳米ZnO对钙钛矿薄膜形貌、结构和光谱性能的影响。结果表明,钙钛矿薄膜的形貌对基底纳米ZnO的形貌依赖性很强。而基于刚性和柔性纳米ZnO的钙钛矿薄膜几乎呈现相同的结构和光谱吸收范围,荧光发射峰均在770 nm附近,且柔性纳米ZnO的荧光猝灭效率为82%,几乎和刚性纳米ZnO的荧光猝灭效率(85%)相媲美。进一步,根据瞬态荧光动力学数据计算获得刚性和柔性纳米ZnO的界面电荷分离效率分别为61%和41%,这表明通过静电纺丝法制备的柔性纳米ZnO具备一定的界面电荷分离能力,有望成为新型的柔性电子传输层。这对柔性基底钙钛矿太阳能电池的设计具有重要参考价值,对促进钙钛矿光伏应用具有现实意义。 展开更多

关键词 纳米氧化锌 钙钛矿薄膜 形貌结构 光谱性能

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MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性 被引量：22

8

作者 傅竹西 林碧霞 +3 位作者 祝杰 贾云波 刘丽萍 彭小滔 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期119-124,共6页

近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影... 近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响 ;观察了样品的室温光致发光光谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较 ,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。 展开更多

关键词 氧化锌 薄膜制备 结构特性 光致发光 MOCVD 发光特性

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氧化锌薄膜的拉曼光谱研究 被引量：17

9

作者 黄焱球 刘梅冬 +1 位作者 李珍 曾亦可 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期653-655,共3页

利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜、陶瓷薄膜进行了研究。ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol gel法制备 ,掺杂组份有Bi2 O3 、Sb2 O3 、MnO和Cr2 O3等。结果表明 ,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征 ... 利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜、陶瓷薄膜进行了研究。ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol gel法制备 ,掺杂组份有Bi2 O3 、Sb2 O3 、MnO和Cr2 O3等。结果表明 ,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征 ,其拉曼光谱特征谱峰为 43 7cm-1,谱峰强度随薄膜退火温度的提高略有增强。掺杂后ZnO的拉曼谱峰发生了红移。掺Bi2 O3 后ZnO的拉曼谱峰由 3 47cm-1移质移至43 4cm-1,掺Sb2 O3 后ZnO的拉曼谱峰移至 43 5cm-1,而掺杂Bi2 O3 、Sb2 O3 、MnO和Cr2 O3 等组份的ZnO陶瓷薄膜的ZnO拉曼谱峰则移至 43 4cm-1,说明掺杂元素进入了ZnO晶格 ,引起了晶格的变化。ZnO薄膜性能不仅受次晶相组成的影响 ,而且受因掺杂元素进入而引起的ZnO晶格畸变的影响。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 拉曼光谱 晶体结构

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氧化锌薄膜研究的新进展 被引量：12

10

作者 贾晓林 张海军 谭伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期207-209,213,共4页

ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产... ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产业化发展前景。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 制备方法 压电性 透明导电性 光电性 气敏性 压敏性 晶格结构 半导体

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工艺参数对RF磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜特性的影响 被引量：5

11

作者 黄佳木 董建华 张兴元 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期174-177,共4页

ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜 ,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响。结果表明原位制备的薄膜经... ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜 ,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响。结果表明原位制备的薄膜经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构 ,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为 8 7× 10 - 4 Ωcm和 85 展开更多

关键词 工艺参数 铝掺杂 氧化锌薄膜 射频磁控濺射 结构 光电特性 半导体薄膜

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用于高频声表面波器件的CVD金刚石衬底的研究 被引量：1

12

作者 刘健敏 夏义本 +4 位作者 王林军 阮建锋 苏青峰 蒋丽雯 史伟民 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期408-411,共4页

使用纳米金刚石粉研磨工艺预处理硅片衬底抛光面,在低气压成核的条件下,以丙酮和氢气为反应物,采用传统的热丝辅助化学气相沉积法,制备了自支撑金刚石膜;通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜的成核面,形成氧化锌/自支撑... 使用纳米金刚石粉研磨工艺预处理硅片衬底抛光面,在低气压成核的条件下,以丙酮和氢气为反应物,采用传统的热丝辅助化学气相沉积法,制备了自支撑金刚石膜;通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜的成核面,形成氧化锌/自支撑金刚石膜结构.通过光学显微镜、扫描电镜及原子力显微镜测试自支撑金刚石膜成核面的表面形貌.研究结果表明:成核期的低气压有助于提高成核密度,成核面表面粗糙度约为1.5 nm;拉曼光谱显示1334 cm-1附近尖锐的散射峰与金刚石SP3键相对应,成核面含有少量的石墨相,且受到压应力的作用;ZnO/自支撑金刚石膜结构的XRD谱显示,氧化锌薄膜有尖锐的(002)面衍射峰,是c轴择优取向生长的. 展开更多

关键词 自支撑金刚石膜 表面粗糙度 氧化锌薄膜 声表面波器件

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氧化锌基SnO_2－ZnO　UPF制备工艺对其微观结构的影响 被引量：1

13

作者 王声乐 潘孝仁 +1 位作者 黄家桢 沈明庚 《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第1期114-117,共4页

采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，通过二次蒸镀，制备了以氧化锌为衬底的ＳｎＯ_２－ＺｎＯ复合型功能气敏薄膜。讨论制备工艺对该薄膜微观结构的影响，并提供了宏观性质和微观机理分析结果。

关键词 氧化锌 氧化锡 超微粒子 晶相结构 薄膜

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金刚石高频SAW器件中关键材料的制备研究 被引量：1

14

作者 刘健敏 夏义本 +3 位作者 王林军 阮建锋 苏青峰 史伟民 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期627-629,共3页

采用热丝化学气相沉积(CVD)法制备了自支撑金刚石膜,再通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜上。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)测试自支撑金刚石膜的表面形貌,结果表明,自支撑金刚石膜的成核面非常... 采用热丝化学气相沉积(CVD)法制备了自支撑金刚石膜,再通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜上。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)测试自支撑金刚石膜的表面形貌,结果表明,自支撑金刚石膜的成核面非常光滑,粗糙度约为10 nm;拉曼光谱显示成核面在1 333 cm-1附近有尖锐的散射峰,与金刚石的sp3键相对应,非金刚石相含量很少;X-射线衍射分析(XRD)显示,沉积在自支撑金刚石膜上的氧化锌薄膜为高度的c轴择优取向生长。 展开更多

关键词 自支撑金刚石膜 表面粗糙度 氧化锌薄膜 c轴择优取向

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镀膜光纤传感器氧化锌压电层薄膜沉积的研究 被引量：2

15

作者 周雅 周力 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期225-228,共4页

　主要研究镀膜光纤传感器。首先介绍了氧化锌镀膜光纤的几何结构,分析了此几何结构压电声光振荡的基本原理,给出了光纤声光相位调制器的等效网络模型,然后根据此模型推出了声光压电层反射系数S11,并按预设参数进行了计算机模拟。在此... 　主要研究镀膜光纤传感器。首先介绍了氧化锌镀膜光纤的几何结构,分析了此几何结构压电声光振荡的基本原理,给出了光纤声光相位调制器的等效网络模型,然后根据此模型推出了声光压电层反射系数S11,并按预设参数进行了计算机模拟。在此基础上,利用Zn(NO3)2单盐水溶液体系在铜基上进行阴极电沉积直接得到氧化锌镀膜,通过讨论电沉积过程中一些主要实验条件对氧化锌镀膜性能的影响,提出了一种稳定实用、经济的电沉积配方。 展开更多

关键词 光纤传感器 压电层 薄膜沉积 氧化锌镀膜光纤 声光相位调制器 几何结构 计算机模拟 阴极电沉积 水溶液体系 电沉积过程 基本原理 网络模型 反射系数 镀膜性能 实验条件 光振荡

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磁控溅射法制备钴掺杂氧化锌薄膜室温磁学性质(英文)

16

作者 吴兆丰 程鲲 张峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期68-73,共6页

钴掺杂氧化锌是室温稀磁半导体的重要候选材料,其磁学特性和钴掺杂浓度、显微结构及光学性质密切相关。磁控溅射具有成本低、易于大面积沉积高质量薄膜等特点,是广受关注的稀磁半导体薄膜制备方法。利用磁控溅射方法制备了不同浓度的钴... 钴掺杂氧化锌是室温稀磁半导体的重要候选材料,其磁学特性和钴掺杂浓度、显微结构及光学性质密切相关。磁控溅射具有成本低、易于大面积沉积高质量薄膜等特点,是广受关注的稀磁半导体薄膜制备方法。利用磁控溅射方法制备了不同浓度的钴掺杂氧化锌薄膜,并对其显微结构、光学性质和磁学特性进行了系统分析。结果表明:当掺杂原子分数在8%以内时,钴掺杂氧化锌薄膜保持单一的铅锌矿晶体结构,钴元素完全溶解在氧化锌晶格之中;薄膜在可见光区域有很高的透射率,但在567,615和659nm处有明显吸收峰,这些吸收峰源于Co2+处于O2-形成的四面体晶体场中的特征d-d跃迁。磁学特性测试结果表明钴掺杂氧化锌薄膜具有室温铁磁性,且钴的掺杂浓度对薄膜的磁学特性有重要影响。结合薄膜结构、光学和电学性质分析,实验中观察到的室温铁磁性应源于钴掺杂氧化锌薄膜的本征属性,其铁磁耦合机理可由束缚磁极化子模型进行解释。 展开更多

关键词 钴掺杂氧化锌 薄膜 磁学性质 结构特性

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微/纳米多孔氧化锌薄膜的电化学制备及其光催化性能 被引量：2

17

作者 李鹏 邵玉田 +2 位作者 楼莹 周颖华 牛振江 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1649-1657,共9页

在高度阴极极化条件下,以析氢气泡为动态模板,电沉积制备微/纳米多孔锌薄膜,经加热氧化制备得到微/纳米多孔氧化锌薄膜。研究电流密度、镀液组成和温度对多孔金属锌薄膜孔径大小和孔壁形貌的影响。结果表明:通过改变电流密度、镀液组成... 在高度阴极极化条件下,以析氢气泡为动态模板,电沉积制备微/纳米多孔锌薄膜,经加热氧化制备得到微/纳米多孔氧化锌薄膜。研究电流密度、镀液组成和温度对多孔金属锌薄膜孔径大小和孔壁形貌的影响。结果表明:通过改变电流密度、镀液组成和温度,可调控孔径大小和孔壁结构;在30℃的0.05mol/LZnSO4和2mol/LNH4Cl溶液中,电流密度为0.3～0.8A/cm2时,可得到主孔径约为50～100μm的多孔锌薄膜,形成孔壁的枝晶由大小为100～300nm的颗粒构成;在空气气氛下经350℃加热1h、450℃加热2h氧化处理后,多孔锌薄膜转变为具有相似微/纳米多孔结构的氧化锌薄膜,并显示出优异的光催化降解罗丹明B的性能。 展开更多

关键词 微/纳米结构 多孔薄膜 氧化锌 光催化

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氧化锌超微粒子薄膜的表面性质研究

18

作者 赵大春 潘孝仁 戴幕仉 《华东化工学院学报》 CSCD 1993年第3期383-386,共4页

用直流气体放电活化反应沉积的方法,制备了氧化锌超微粒子薄膜,并经AES成分分析及XRD物相结构鉴定,随制备条件不同,结构将明显改变。扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,粒子的粒径为88.5nm。用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)... 用直流气体放电活化反应沉积的方法,制备了氧化锌超微粒子薄膜,并经AES成分分析及XRD物相结构鉴定,随制备条件不同,结构将明显改变。扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,粒子的粒径为88.5nm。用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)对超微柱子膜的表面成分此、表面电子态进行了研究,用Ar^+枪对样品表面进行了剥离,同时用AES作跟踪分析。结果表明,Zn/O比基本保持不变,C稍有减少。这和电子探针持续作用AES跟踪分析结果基本相同。样品表面的电子态是Zn2p_(1/2)、Zn2p_(3/2),Cls、Ols;粒径及基质对表面光电压谱有较大影响。 展开更多

关键词 薄膜 氧化锌 沉积 结构 超微粒子

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用离子束溅射法沉积铝掺杂氧化锌薄膜

19

作者 邸建华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第6期20-22,共3页

用离子束溅射法沉积出掺铝氧化锌（ZnO:Al）透明导电薄膜。确定了薄膜的光学、电学特性与铝含量及后沉积退火的关系。制备出电阻率为1×10^-3Ωcm、可见区吸收系数为3100cm^-1的薄膜... 用离子束溅射法沉积出掺铝氧化锌（ZnO:Al）透明导电薄膜。确定了薄膜的光学、电学特性与铝含量及后沉积退火的关系。制备出电阻率为1×10^-3Ωcm、可见区吸收系数为3100cm^-1的薄膜。当退火温度为350-500℃时,电阻率和吸收系数分别为（5-6）×10^-4Ωcm和1500-1000cm^-1。1.引言氧化锌是目前研究的多种透明导电氧化物之一,作为一种n型半导体,可以有效地向这种材料加入一种适当的施主。 展开更多

关键词 离子束溅射 氧化锌薄膜 透明导电薄膜 薄膜结构 可见区 退火温度 沉积薄膜 反应蒸发 吸收系数 多晶薄膜

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生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置

20

《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第3期24-24,共1页

本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷... 本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷却，在生长室设有由电机带动旋转的水平样品架、样品加热器、氧源进气管、锌源进气管和排气口。工作时，将清洗后的衬底通过进样室输送到生长室，样品生长面水平朝下固定在样品架上，输入不同的反应气体生长不同性能的晶体薄膜，同时，将经原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室，可以获得厚度均匀、高质量的n型和P型ZnO半导体晶体薄膜。 展开更多

关键词 金属有机化合物 半导体薄膜 沉积装置 氧化锌 生长 汽相 水冷结构 晶体薄膜

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