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ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响被引量：13: 1; 作者刘磁辉朱俊杰 +4 位作者林碧霞陈宇林彭聪杨震傅竹西《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期218-222,共5页; 利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 ... 展开更多; 关键词深能级瞬态谱 DLTS PL谱光致发光谱发光强度 ZnO/p-Si异质结半导体材料深能级氧化锌/磷-硅异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性被引量：4: 2; 作者许小亮杨晓杰 +4 位作者谢家纯徐传明徐军刘洪图施朝淑《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期295-299,共5页; 分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,... 展开更多; 关键词氧化锌 P-N结硅电流-电压特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光被引量：1: 3; 作者霍海滨杨卫全 +2 位作者戴伦马仁敏秦国刚《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期339-342,共4页; 采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高... 展开更多; 关键词电致发光氧化锌纳米线硅异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究: 4; 作者宋登元《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期401-406,共6页; ZnO是一种光电性能优异的半导体材料。由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料。由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优... 展开更多; 关键词氧化锌硅溅射光伏异质结太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

PEDOT的固相聚合法制备及其在紫外光探测器中的应用: 5; 作者吐尔逊·阿不都热依木凯丽比努尔·艾孜热提玉麦尔 +2 位作者唐新生拿吾尔斯汗·赛尔克江依力亚尔·吾休《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期51-57,共7页; 首先以2,5-二溴-3,4-乙撑二氧噻吩(DBEDOT)为单体,通过固相聚合法在掺杂氟的二氧化锡导电玻璃(FTO)基底表面制备聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)膜,然后将其与氧化锌纳米阵列(ZnO NRs)修饰的FTO组装成有机-无机异质结紫外光探测器,并研究... 展开更多; 关键词固相聚合法聚(3 4-乙撑二氧噻吩) 氧化锌纳米阵列异质结紫外光探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响被引量：13: 1; 作者刘磁辉朱俊杰林碧霞陈宇林彭聪杨震傅竹西; 机构中国科学技术大学物理系中国科学技术大学少年班; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期218-222,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 37) 安徽省自然科学基金资助项目 ( 986 415 5 0 ); 文摘利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。; 关键词深能级瞬态谱 DLTS PL谱光致发光谱发光强度 ZnO/p-Si异质结半导体材料深能级氧化锌/磷-硅异质结; Keywords deep level transient spectrum (DLTS) photoluminescence (PL) spectrum defect and new donor; 分类号 O482.3 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性被引量：4: 2; 作者许小亮杨晓杰谢家纯徐传明徐军刘洪图施朝淑; 机构中国科学院结构分析重点实验室中国科学技术大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期295-299,共5页; 基金国家"8 63"计划 ( 2 0 0 2AA3 13 0 3 0 ) 国家"973"计划 (国科基字 [2 0 0 1] 5 1号 ) 安徽省自然科学基金 ( 0 0 0 465 0 6)资助项目; 文摘分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似。; 关键词氧化锌 P-N结硅电流-电压特性; Keywords ZnO p n junction silicon I V property; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光被引量：1: 3; 作者霍海滨杨卫全戴伦马仁敏秦国刚; 机构北京大学物理学院; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期339-342,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(2006CB921607) 国家自然科学基金(60576037,10574008,60476023)资助项目; 文摘采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。; 关键词电致发光氧化锌纳米线硅异质结; Keywords electroluminescence ZnO single nanowire silicon heterostructure; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究: 4; 作者宋登元; 机构英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期401-406,共6页; 基金国家高技术研究发展计划资助项目(863计划)(2012AA050304); 文摘 ZnO是一种光电性能优异的半导体材料。由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料。由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优点,成为太阳电池的重点研究对象。首先综述了铝掺杂ZnO薄膜的晶体结构特性、光学特性和电学特性,随后给出了ZnO/Si异质结太阳电池的量子效率、电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、载流子输运机制、光伏特性及太阳电池的效率进展,最后论述了ZnO/Si异质结太阳电池今后发展方向。; 关键词氧化锌硅溅射光伏异质结太阳电池; Keywords zinc oxide silicon sputtering photovoltaic heterojunction solar cell; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN366 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PEDOT的固相聚合法制备及其在紫外光探测器中的应用: 5; 作者吐尔逊·阿不都热依木凯丽比努尔·艾孜热提玉麦尔唐新生拿吾尔斯汗·赛尔克江依力亚尔·吾休; 机构新疆大学化学学院; 出处《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期51-57,共7页; 基金新疆大学国家级大学生创新训练计划资助(202110755041) 国家自然科学基金资助项目(21865034,21764014)。; 文摘首先以2,5-二溴-3,4-乙撑二氧噻吩(DBEDOT)为单体,通过固相聚合法在掺杂氟的二氧化锡导电玻璃(FTO)基底表面制备聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)膜,然后将其与氧化锌纳米阵列(ZnO NRs)修饰的FTO组装成有机-无机异质结紫外光探测器,并研究其紫外光探测性能。采用紫外-可见分光光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射光谱(XRD)等测试方法对材料进行表征。结果表明,固相聚合法制备的PEDOT能有效提升ZnO NRs基紫外光探测器的性能。器件在紫外光照射下(365 nm,0.32 mW/cm^(2))表现出较高响应度(15.34 mA/W)、较短响应时间(上升时间为0.159 s,下降时间为0.162 s)和较好的稳定性。; 关键词固相聚合法聚(3 4-乙撑二氧噻吩) 氧化锌纳米阵列异质结紫外光探测器; Keywords solid-state polymerization PEDOT ZnO NRs heterojunction UV photodetector; 分类号 O631 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响	刘磁辉朱俊杰林碧霞陈宇林彭聪杨震傅竹西	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	13	在线阅读下载PDF 职称材料
2	以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性	许小亮杨晓杰谢家纯徐传明徐军刘洪图施朝淑	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光	霍海滨杨卫全戴伦马仁敏秦国刚	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究	宋登元	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PEDOT的固相聚合法制备及其在紫外光探测器中的应用	吐尔逊·阿不都热依木凯丽比努尔·艾孜热提玉麦尔唐新生拿吾尔斯汗·赛尔克江依力亚尔·吾休	《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料