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基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO 被引量：12: 1; 作者占红明饶海波张化福《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期386-390,共5页; 介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性... 展开更多; 关键词铟锡氧化物膜有机电致发光显示透明导电膜荧光寿命表面平整度透过率; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底偏压对膜表面层成分的影响: 2; 作者仲永安张怀武许武毅《表面技术》 EI CAS CSCD 1990年第1期11-15,共5页; 本文就溅射镀膜中,衬底偏压对膜表面层成份的影响作了定性分析。给出了在不同偏压下氧化铟锡(简称ITO)膜表面成份的俄歇探针分析结果,X射线衍射结果以及扫描电镜能谱和观察结果,从而得出衬底在加偏压0～100伏之间时,有利用提高膜的性能... 展开更多; 关键词溅射镀膜偏压氧化铟锡膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究被引量：3: 3; 作者吴桂初王德苗 +1 位作者任高潮陈抗生《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期499-500,共2页; 通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO (或SiO2 )膜 ,不仅具有优良的光电特性 ,而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比 ,膜层附着力提高了 3.5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续... 展开更多; 关键词等离子体表面处理 ITO膜附着力氧化铟锡膜导电玻璃液晶显示器导电电极制备; 在线阅读下载PDF 职称材料

TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化被引量：3: 4; 作者郑箫逸袁帅 +4 位作者崔晓鹏林鸿涛陈维涛薛海林邵喜斌《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期261-266,共6页; 随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像... 展开更多; 关键词黑白Mura 对位偏移氧化铟锡膜电场均一; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO 被引量：12: 1; 作者占红明饶海波张化福; 机构电子科技大学光电信息学院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期386-390,共5页; 基金电子科技大学浙江阳光集团联合OLED器件研发项目(No.W050317); 文摘介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值。; 关键词铟锡氧化物膜有机电致发光显示透明导电膜荧光寿命表面平整度透过率; Keywords organic light-emitting diodes display transparent conductor films indium tin oxide; 分类号 TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底偏压对膜表面层成分的影响: 2; 作者仲永安张怀武许武毅; 机构陕西师范大学; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 1990年第1期11-15,共5页; 文摘本文就溅射镀膜中,衬底偏压对膜表面层成份的影响作了定性分析。给出了在不同偏压下氧化铟锡(简称ITO)膜表面成份的俄歇探针分析结果,X射线衍射结果以及扫描电镜能谱和观察结果,从而得出衬底在加偏压0～100伏之间时,有利用提高膜的性能的结论.; 关键词溅射镀膜偏压氧化铟锡膜; Keywords substrate biasing voltage sputtering; 分类号 TG174.442 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO玻璃在线等离子体清洗的研究被引量：3: 3; 作者吴桂初王德苗任高潮陈抗生; 机构温州师范学院物理系浙江大学信息与电子工程系; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期499-500,共2页; 文摘通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO (或SiO2 )膜 ,不仅具有优良的光电特性 ,而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比 ,膜层附着力提高了 3.5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用。; 关键词等离子体表面处理 ITO膜附着力氧化铟锡膜导电玻璃液晶显示器导电电极制备; Keywords Plasma, Surface processing, ITO films ,Cohesion; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学] TN105 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化被引量：3: 4; 作者郑箫逸袁帅崔晓鹏林鸿涛陈维涛薛海林邵喜斌; 机构北京京东方显示技术有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期261-266,共6页; 文摘随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极ITO(1ITO)图形和公共电极ITO(2ITO)图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象。Mura区与相邻OK区1ITO?2ITO对位差异为0.5μm。通过1ITO和2ITO的线宽设计优化,可提高产品对此偏移不均一的容忍度。最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产,配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举,此不良由高发时的14.2%降至0.2%以下。本文研究成果对于高分辨率HADS产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。; 关键词黑白Mura 对位偏移氧化铟锡膜电场均一; Keywords black and white Mura overlay ITO electric field uniformity; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO	占红明饶海波张化福	《液晶与显示》 CAS CSCD	2004	12	在线阅读下载PDF 职称材料
2	衬底偏压对膜表面层成分的影响	仲永安张怀武许武毅	《表面技术》 EI CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	ITO玻璃在线等离子体清洗的研究	吴桂初王德苗任高潮陈抗生	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2001	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化	郑箫逸袁帅崔晓鹏林鸿涛陈维涛薛海林邵喜斌	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料