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题名GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善
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作者
林岳明
韩买兴
曾祥华
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机构
扬州华夏集成光电有限公司
扬州大学物理科学与技术学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期414-417,共4页
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基金
国家963项目(2006AA03A149)
江苏省工业高技术项目(BG2007026)
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文摘
氧化铟锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜,用wIn2O3∶wSnO2=0.95∶0.05的ITO锭做靶材,然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圆形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。
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关键词
氧化铟锡侧蚀
电子束蒸镀
合金
热处理
刻蚀
外延片
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Keywords
ITO undercut
e-beam evaporation
alloy
thermal annealing
etch
epi-wafer
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分类号
TN364.2
[电子电信—物理电子学]
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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