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铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
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作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多
关键词 铟锡氧化 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ito靶材
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模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究
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作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页
以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多
关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化
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铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响 被引量:4
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作者 江锡顺 曹春斌 +1 位作者 宋学萍 孙兆奇 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期398-401,共4页
采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度... 采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω.cm。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 氧化程度 光电特性
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ITO沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响
4
作者 侯焕然 金扬利 +3 位作者 石晓飞 张运生 王衍行 祖成奎 《表面技术》 北大核心 2025年第4期233-241,261,共10页
目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄... 目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率及表面方阻进行表征和测试,分析ITO沉积温度对ITO/Au光电性能的影响机理。为了进一步理解超薄Au膜生长连续性改善的原因,通过几何平均法和算术平均法分别计算了ITO薄膜的表面自由能,分析了ITO薄膜表面自由能的改变对生长形貌的影响规律。结果在超薄Au膜镀制工艺相同的前提下,随着衬底层ITO薄膜沉积温度升高,ITO/Au薄膜的可见光平均透过率提升,表面方阻值降低。这是因为当沉积温度高于200℃时,ITO薄膜发生多晶化转变,多晶态的ITO相较于非结晶态具有更高的表面自由能,更有利于超薄Au膜的铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。当ITO沉积温度提升至300℃时,ITO薄膜的表面自由能几何平均法计算结果为45.2 mJ/m^(2),算术平均法计算结果为48.1 mJ/m^(2),在其表面沉积超薄Au膜后,制备了可见光平均透过率为47.5%、表面方阻为5.65Ω/sq,高光电性能兼容的ITO/Au薄膜。结论提高衬底层ITO薄膜的沉积温度,ITO薄膜发生多晶化转变,表面自由能提升,可有效促进超薄Au膜在其表面铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 沉积温度 氧化铟锡 超薄金膜 透明导电薄膜 磁控溅射 光电性能 表面自由能
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氧化铟锡(ITO)薄膜溅射生长及光电性能调控 被引量:12
5
作者 雷沛 束小文 +5 位作者 刘培元 罗俊杰 李佳明 郝常山 纪建超 张旋 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期100-106,共7页
目的选取影响氧化铟锡(ITO)薄膜生长关键的3种参数,即薄膜生长的氧气流量、薄膜厚度和热处理退火,系统研究其对ITO薄膜光学和电学性能的影响规律。方法采用直流溅射法,在氩气和氧气混合气氛中溅射陶瓷靶材制备ITO薄膜样品。利用真空热... 目的选取影响氧化铟锡(ITO)薄膜生长关键的3种参数,即薄膜生长的氧气流量、薄膜厚度和热处理退火,系统研究其对ITO薄膜光学和电学性能的影响规律。方法采用直流溅射法,在氩气和氧气混合气氛中溅射陶瓷靶材制备ITO薄膜样品。利用真空热处理技术对所制备的ITO薄膜进行真空退火处理。通过表面轮廓仪测试厚度、X-射线衍射仪(XRD)表征结构、X-射线光电子能谱仪(XPS)分析元素含量、分光光度计测试透过率和四探针测试薄膜方块电阻,分别评价薄膜厚度、光学性能和电学性能,并对比研究热处理对薄膜结构和光电性能的影响规律。结果电阻率随氧气流量的增加呈现出先缓慢后急剧升高的规律,在氩气和氧气流量比为150∶8时,可得到400 nm厚、电阻率为8.0×10^(-4)Ω·cm的ITO薄膜。厚度增加可降低薄膜电阻率,氧气流量的增加可明显改善薄膜透光性。通过真空热处理可提高室温沉积ITO薄膜的结晶性能,较大程度地降低电阻率。在真空热处理条件下增大薄膜厚度可降低薄膜电阻率,氧气流量增加不利于ITO薄膜电阻率的降低。在氩气和氧气流量为150∶6条件下制备的ITO薄膜,经500℃真空热处理后电阻率可达到最低值(2.7×10^(-4)Ω·cm)。结论通过调控氧气流量和厚度来优化ITO薄膜的结构和氧空位含量,低温下利用磁控溅射法可制备光电性能优异的ITO薄膜;真空热处理可提高薄膜结晶性能,通过氧气流量、厚度和热处理温度3种参数调控可获得最低电阻率的晶态ITO薄膜(2.7×10^(-4)Ω·cm),满足科技和工程领域的需求。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 磁控溅射法 薄膜结构 热处理 光电性能
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喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量:7
6
作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06-0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过 0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上. 展开更多
关键词 铟锡氧化 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解
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可鉴别室内有害气体的铟锡氧化物薄膜气敏特性研究 被引量:11
7
作者 季振国 孙兰侠 +4 位作者 何振杰 范镓 王玮 方向生 陈裕泉 《传感技术学报》 CAS CSCD 2004年第2期277-279,共3页
采用无机试剂SnCl2 ·2H2 O及InCl3·4H2 O为原料 ,用溶胶 -凝胶提拉法制备了铟锡比不同的氧化铟锡薄膜构成的气敏传感器阵列 ,并对薄膜的电学性能及气敏性能进行了表征。结果表明 ,不同铟锡比组成的氧化铟锡薄膜不但载流子浓... 采用无机试剂SnCl2 ·2H2 O及InCl3·4H2 O为原料 ,用溶胶 -凝胶提拉法制备了铟锡比不同的氧化铟锡薄膜构成的气敏传感器阵列 ,并对薄膜的电学性能及气敏性能进行了表征。结果表明 ,不同铟锡比组成的氧化铟锡薄膜不但载流子浓度不同 ,而且导电类型也不同 ,即阵列中每个传感器薄膜的载流子浓度和导电类型是不同的。当气体分子与阵列中的传感器表面接触时 ,由于载流子种类、载流子浓度、费米能级等的不同 ,导致电荷转移情况也不同 ,使得阵列具有很好的选择性。通过对甲醛、苯、甲苯、二甲苯的测试 ,证明此阵列对四种室内污染气体具有较好的选择性。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 溶胶-凝胶法 气敏传感器阵列 选择性
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溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:5
8
作者 刘媛媛 赵继凤 +3 位作者 李延辉 宋淑梅 辛艳青 杨田林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期391-396,共6页
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效... 利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。 展开更多
关键词 溅射气压 铟锡氧化薄膜晶体管 磁控溅射 光学带隙
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直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究 被引量:4
9
作者 商世广 朱长纯 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期236-240,共5页
提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积... 提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求. 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 磁控溅射 方块电阻
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大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展 被引量:3
10
作者 姜峰 谭泽旦 +4 位作者 黄誓成 陆映东 覃立仁 曾纪术 方志杰 《广西科学》 CAS 北大核心 2022年第6期1169-1177,1187,共10页
氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需... 氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ito) 大尺寸靶材 制备 成型工艺 烧结工艺
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铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用 被引量:24
11
作者 刘世友 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期98-100,80,共4页
介绍了铟锡氧化物(ITO)薄膜的特征,主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子、太阳能等领域的应用。
关键词 铟锡氧化薄膜 特性 生产工艺 应用 展望 ito
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络盐法制备纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末 被引量:3
12
作者 陈林 吴伯麟 《桂林工学院学报》 北大核心 2007年第2期257-261,共5页
以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148.5nm、粒径分布较窄、在800~3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90%以上的纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末.通过制备络合盐晶体(NH4)2InC... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148.5nm、粒径分布较窄、在800~3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90%以上的纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末.通过制备络合盐晶体(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SnCl6,证实反应初始溶液中有络离子存在.研究了络离子本身以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮对ITO粒径的影响.用XRD、红外光谱仪和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征.结果表明:络离子浓度的增加有利于ITO粉末粒径的变小,分散剂的加入有利于ITO费氏粒度的减小. 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米晶 络盐法 分散剂 络离子
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铟锡氧化物薄膜的生产、应用与开发 被引量:9
13
作者 文友 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1997年第3期56-59,共4页
介绍了铟锡氧化物(ITO)薄膜的特性、主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子等领域的应用。并对该材料生产工艺及产品市场的发展前景进行了展望。
关键词 铟锡氧化 薄膜 生产工艺 应用
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铟锡氧化物(ITO)前驱体的相演变规律研究 被引量:3
14
作者 廖红卫 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期64-67,共4页
采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶... 采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶体的相演变规律进行了系统的研究。立方结构In(OH)3向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于150℃,在300℃左右转变完全并且表现为一种吸热行为。四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体转变起始于220℃并且终止于430℃。此外,四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体的转变包含2个子过程,一个表现为吸热行为的InOOH脱水过程,另一个表现为强烈放热行为的InOOH脱水产物向刚玉型结构ITO固溶体的转变过程。刚玉型结构ITO固溶体在空气中处于亚稳态,并且在加热的条件下可以转变为萤石型结构ITO固溶体。刚玉型结构ITO固溶体向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于578℃,在800℃以前转变终止并且表现为一种弱吸热行为。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 前驱体 相演变规律
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氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用 被引量:4
15
作者 常天海 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期40-43,共4页
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则 .理论分析和实验结果表明 ,在将氧化铟锡 (ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜 (OSR)表面防静电放电时 ,ITO薄膜的表面方阻R□ 不能小于 5kΩ·□ - 1,否则会导致OSR的太阳光谱... 研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则 .理论分析和实验结果表明 ,在将氧化铟锡 (ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜 (OSR)表面防静电放电时 ,ITO薄膜的表面方阻R□ 不能小于 5kΩ·□ - 1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加 .建议取R□ =5~ 10 6 kΩ·□ - 1,薄膜厚度d =(15 0~ 2 0 0 )× 10 - 10 m .同时必须保证ITO薄膜接地效果良好 ,否则会使OSR表面充放电现象更加严重 . 展开更多
关键词 光学太阳反射镜 抗静电放电 氧化铟锡薄膜 太阳光谱吸收率 太阳光谱吸收率 接地效果 OSR表面充放电现象
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分散剂对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响
16
作者 肖素萍 陈林 +3 位作者 王献忠 文忠和 张西玲 向芸 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期111-113,共3页
以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的... 以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的粒径逐渐变小;加入不同分子量的PEG配合使用有利于制备纳米级颗粒,加入PEG(10000∶6000=1∶1)作分散剂所制ITO粉末粒径为50~100nm。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米粉末 分散剂 络盐法
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提拉法制备铟锡氧化物透明隔热薄膜的研究
17
作者 刘扬林 段学臣 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2009年第3期56-60,71,共6页
将纳米铟锡氧化物(ITO)粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米ITO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜.研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系.研究表明:提... 将纳米铟锡氧化物(ITO)粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米ITO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜.研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系.研究表明:提拉镀ITO膜具有很好的透明隔热性能,对可见光的透过率大于85%,对近红外透过率低于35%,膜的耐有机溶剂性好,提拉次数对膜的厚度、红外透过率以及宏观隔热性能成正比关系,提拉温度对膜性能的影响较为复杂,提拉温度为35℃时,膜的厚度最厚,综合性能较好. 展开更多
关键词 铟锡氧化 提拉镀膜 透明 隔热 薄膜
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基于氧化铟锡薄膜的医用护目镜加温除雾技术研究 被引量:1
18
作者 王宜馨 王洪亮 +2 位作者 施锦玮 皮大伟 王显会 《南京理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期15-23,共9页
为了解决传统除雾方法在抗击新冠肺炎疫情的过程中所出现的除雾时效短且效果不稳定等问题,该文提出一种基于氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)薄膜的医用护目镜加温除雾技术。该技术提出了加温除雾装置系统方案,并利用ANSYS软件模拟该除... 为了解决传统除雾方法在抗击新冠肺炎疫情的过程中所出现的除雾时效短且效果不稳定等问题,该文提出一种基于氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)薄膜的医用护目镜加温除雾技术。该技术提出了加温除雾装置系统方案,并利用ANSYS软件模拟该除雾技术的使用环境并分析对应的温度场,获得了针对不同室温所需的除雾参数,同时以仿真结果为参考,进行了除雾效果验证试验,得到了不同环境温度下的最佳除雾温度。试验结果表明,该文提出的护目镜ITO薄膜加温除雾技术能有效延长除雾时间,且能保持除雾效果的稳定性。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 护目镜 除雾 新冠肺炎
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氧化铟锡纳米晶薄膜的制备及其电致变色性能
19
作者 贾岩 刘东青 程海峰 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期215-221,共7页
采用一锅法合成不同形貌、尺寸的氧化铟锡(ITO)纳米晶,并通过旋涂工艺制备ITO纳米晶薄膜,研究不同形貌、尺寸ITO纳米晶制备的薄膜的近红外光谱调控性能。结果表明:5次旋涂后,ITO纳米晶薄膜的可见光透过率为89.2%,电阻率为54Ω·cm... 采用一锅法合成不同形貌、尺寸的氧化铟锡(ITO)纳米晶,并通过旋涂工艺制备ITO纳米晶薄膜,研究不同形貌、尺寸ITO纳米晶制备的薄膜的近红外光谱调控性能。结果表明:5次旋涂后,ITO纳米晶薄膜的可见光透过率为89.2%,电阻率为54Ω·cm。平均直径为(6.88±1.53)nm的均匀球形ITO纳米晶制备的薄膜表现出最优的近红外光谱调控能力,在施加±2.5 V电压后,其在2000 nm的光谱调制量为39.3%,光密度变化量为0.43。在电致变色前后,ITO纳米晶薄膜始终保持高可见光透过率。ITO纳米晶的电致变色是由于电子注入/脱出导致的局域表面等离子体共振(LSPR)频率和强度变化引起,其电致变色过程是通过电容充放电实现的。 展开更多
关键词 氧化铟锡 电致变色 纳米晶薄膜 智能窗
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铝栅极降低氧化铟锡薄膜表面电阻
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作者 付潇潇 郑卓 +2 位作者 王取泉 李建民 肖旭东 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期430-435,共6页
大面积钙钛矿电池组件效率一直比小面积电池最高效率低10%左右,其中透明导电氧化物(TCO)电极的横向电阻是构成串联电阻增加的主要因素。本文采用湿法刻蚀的方法在超白玻璃上制备了深达1-2μm的凹槽,横向宽度最小为10μm,随后蒸镀金属铝... 大面积钙钛矿电池组件效率一直比小面积电池最高效率低10%左右,其中透明导电氧化物(TCO)电极的横向电阻是构成串联电阻增加的主要因素。本文采用湿法刻蚀的方法在超白玻璃上制备了深达1-2μm的凹槽,横向宽度最小为10μm,随后蒸镀金属铝,射频溅射沉积氧化铟锡(ITO)薄膜,通过调控刻蚀各参数,得到良好的铝栅极形状。对比分析有无铝栅极的ITO薄膜,结果表明,有铝栅极的ITO薄膜相较无铝栅极的ITO薄膜,平均透过率下降约3.5%,横向电阻从17.4Ω降至2.4Ω,得到明显改善。并可通过调控刻蚀厚度,可使横向电阻进一步降低,从而显著提升ITO薄膜在太阳能电池领域里作为透明导电电极时横向电子收集能力,对以玻璃为基底的薄膜太阳能电池大面积产业化应用提供了可能。 展开更多
关键词 超白玻璃 湿法刻蚀 氧化铟锡薄膜 太阳能电池
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