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二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路
被引量：
4
1
作者
胡宇峰
李冠明
+3 位作者
吴为敬
徐苗
王磊
彭俊彪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1223-1229,共7页
为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基...
为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。
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关键词
行驱动电路
氧化铟锌薄膜晶体管
耦合效应
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职称材料
题名
二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路
被引量：
4
1
作者
胡宇峰
李冠明
吴为敬
徐苗
王磊
彭俊彪
机构
华南理工大学电子与信息学院
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1223-1229,共7页
基金
国家自然科学基金(61574062
61574061)
+2 种基金
广东省科技计划项目(2015B090914003
2014B090916002
2016B090906002)资助
文摘
为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。
关键词
行驱动电路
氧化铟锌薄膜晶体管
耦合效应
Keywords
gate driver circuit
IZO thin film transistor
bootstrapping effect
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路
胡宇峰
李冠明
吴为敬
徐苗
王磊
彭俊彪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
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