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掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响
1
作者 贺海晏 郑佳毅 +3 位作者 单伟 王仕鹏 黄海燕 陆川 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期825-830,共6页
研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SH... 研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。 展开更多
关键词 反应等离子体沉积 掺钨氧化铟薄膜 非晶硅/晶体硅异质结电池 工业化生产
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以150—200℃沉积的低阻锡掺杂氧化铟薄膜的微结构
2
作者 刘哲 《发光快报》 CSCD 1995年第6期35-39,共5页
关键词 锡 掺杂 氧化铟薄膜 微结构 光电子材料
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Sol-Gel法制备低阻In_2O_3薄膜 被引量：15
3
作者 全宝富 刘凤敏 +1 位作者 李爱武 陈丽华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期407-409,共3页
采用sol gel法制备In2 O3薄膜材料 ,研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响 ;分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析 ,确定了其结构和组成 ,并用此薄膜材料制作了直热式气敏元件 ,发现它对乙醇、丁烷气体具有较高的灵敏度。
关键词 气敏特性 溶胶-凝胶法 氧化铟薄膜 制备
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ITO薄膜微结构对其光电性质的影响 被引量：8
4
作者 曾明刚 陈松岩 +3 位作者 陈谋智 王水菊 林爱清 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考. 展开更多
关键词 ITO薄膜 微结构 光电性质 磁控溅射 掺锡氧化铟薄膜 电导率 透射率
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沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响 被引量：3
5
作者 袁果 黎建明 +2 位作者 张树玉 刘伟 闫兰琴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期676-679,共4页
采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜... 采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.15×1020cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1。在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上。在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降。 展开更多
关键词 掺钼氧化铟薄膜 射频磁控反应溅射 电学性能 光学性能
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两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析 被引量：14
6
作者 周平 黄昱勇 +3 位作者 林宇翔 李海峰 刘旭 顾培夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期985-988,共4页
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5... 比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5 0nm附近的透过率可达 86%以上 ,消光系数约为 0 0 4 ,方电阻最低为 1 0 0Ω/□ . 展开更多
关键词 红外特性 ITO薄膜 光学特性 磁控溅射 电子束加热蒸发 氧化锡铟薄膜 制备方法
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用In_2O_3薄膜制成的高感度半导体O_3传感器 被引量：6
7
作者 牛文成 徐春林 +3 位作者 张福海 祁增芳 张玉英 赖斌斌 《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第1期7-12,共6页
用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10^(-9)~1×10^(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分... 用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10^(-9)~1×10^(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O_3非常敏感的物理机制. 展开更多
关键词 O3 传感器 化学吸附 三氧化二铟薄膜
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溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管 被引量：6
8
作者 信恩龙 李喜峰 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期208-212,共5页
采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜... 采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 铟锌氧化物薄膜 薄膜晶体管 低温
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二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路 被引量：4
9
作者 胡宇峰 李冠明 +3 位作者 吴为敬 徐苗 王磊 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1223-1229,共7页
为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基... 为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。 展开更多
关键词 行驱动电路 氧化铟锌薄膜晶体管 耦合效应
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ITO退火膜的光学和电学特性 被引量：6
10
作者 王刚 刘宏宇 +2 位作者 赵超 杨柏梁 黄锡珉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第4期61-65,共5页
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理，并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明，N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性，同时使ITO薄膜质量得到优化，并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．
关键词 ITO薄膜 氧空位 光学特性 电学特性 氧化铟薄膜
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