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题名不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响
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作者
王博
杨建国
林殷茵
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机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期769-773,788,共6页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032902)
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文摘
通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成功率提高、烘烤失效率降低,进一步增加脉宽,烘烤失效率大大增加。通过比较不同工艺,发现在烘烤失效率降低时的脉宽条件(1 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率高;而在烘烤失效率增加时的脉宽条件(10 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率低。研究结果为设计RRAM单元操作算法提供了优化方向,同时通过对不同条件下RRAM单元可靠性的比较,优化了工艺配方。
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关键词
氧化铝/氧化钨
阻变存储器(RRAM)
形成算法
可靠性
阻变机制
工艺优化
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Keywords
AlOx/WOx
resistive random access memory（RRAM）
forming algorithm
reliability
resistive mechanism
process optimization
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分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
TP333.8
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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