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氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究 被引量:1
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作者 张幸福 魏爱香 侯通贤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期684-688,共5页
采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构、成份和介电性能的影响。XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有... 采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构、成份和介电性能的影响。XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响。900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位。 展开更多
关键词 氧化钽薄膜 磁控反应溅射 介电性能
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基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究 被引量:5
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作者 明帅强 文庆涛 +3 位作者 高雅增 闫美菊 卢维尔 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期6042-6047,共6页
本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响。通过椭偏仪、原子力显微镜、扫... 本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响。通过椭偏仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜以及高分辨X射线光电子能谱测试分析表明,制备获得的氧化钽薄膜表面光滑,粗糙度小于1 nm,薄膜生长速率受工艺参数的影响较大,其中在乙醇钽源瓶温度170℃、脉冲时间0.1 s以及衬底温度200℃时,氧化钽的生长速率为0.253/cycle。本工作基于原子层沉积高性能氧化钽薄膜的工艺研究,将对氧化钽薄膜在介质材料、存储介质以及光学涂层等领域的应用奠定基础。 展开更多
关键词 原子层沉积 氧化钽薄膜 乙醇 生长速率 粗糙度
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高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析 被引量:1
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作者 曲铭浩 胡跃辉 +2 位作者 冯景华 谢耀江 王立富 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第2期182-185,共4页
在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2。电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试... 在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2。电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行Sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数。 展开更多
关键词 氧化钽薄膜 介电常数 漏电流密度
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氧化钽感湿薄膜的研究 被引量:1
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作者 陈国平 李玲珍 +1 位作者 张随新 张浩康 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第1期15-20,共6页
在Ar-O_2混合气氛中采用直流磁控反应溅射沉积制得了氧化钽薄膜.文章介绍了沉积薄膜的实验装置与工艺,叙述了反应溅射的过程与机理.用AES、XPS和X射线衍射研究了薄膜的成分与结晶结构,用Ta_2O_5薄膜研制成Si-MOS薄膜湿敏器件.测试结果表... 在Ar-O_2混合气氛中采用直流磁控反应溅射沉积制得了氧化钽薄膜.文章介绍了沉积薄膜的实验装置与工艺,叙述了反应溅射的过程与机理.用AES、XPS和X射线衍射研究了薄膜的成分与结晶结构,用Ta_2O_5薄膜研制成Si-MOS薄膜湿敏器件.测试结果表明:这种新的湿敏器件具有高的灵敏度和非常快的响应速度. 展开更多
关键词 氧化钽薄膜 湿敏器件 反应溅射
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五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性 被引量:4
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作者 王超 庄大明 +3 位作者 张弓 侯亚奇 吴敏生 刘家俊 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期61-63,67,共4页
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影... 本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I 展开更多
关键词 氧化薄膜 制备 I-U特性 脉冲直流反应磁控溅射
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高掺铒硅基氧化钽脊形光波导 被引量:1
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作者 陈朝夕 温浩康 +5 位作者 于浩 李彬 胡军 郭天娥 马小玲 华平壤 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期191-196,共6页
首次提出了采用Er-Ta共溅、高温退火的方法,在硅基二氧化硅表面制备高掺铒氧化钽(Er:Ta_2O_5)薄膜。利用棱镜耦合仪分析了铒掺杂浓度对Er:Ta_2O_5薄膜的折射率的影响,结果表明:Er:Ta_2O_5薄膜的折射率随着Er掺杂浓度的增加而略微降低,... 首次提出了采用Er-Ta共溅、高温退火的方法,在硅基二氧化硅表面制备高掺铒氧化钽(Er:Ta_2O_5)薄膜。利用棱镜耦合仪分析了铒掺杂浓度对Er:Ta_2O_5薄膜的折射率的影响,结果表明:Er:Ta_2O_5薄膜的折射率随着Er掺杂浓度的增加而略微降低,且所制备的薄膜没有明显的各向异性。在此基础上,成功制备出Er掺杂浓度分别为0、2.5、5、7.5 mol%的硅基Er:Ta_2O_5脊形波导,波导在1 550 nm波段可实现单模传输,通过截断法得到波导在1 600 nm波长处的传输损耗分别为0.6、1.1、2.5、5.0 d B/cm。在所制备的Er:Ta_2O_5薄膜中,尽管没有发现Er_2O_3结晶析出,但薄膜中的Er3+会影响Ta_2O_5晶体的结晶程度,进而增加波导的传输损耗。最终文中制备的掺杂浓度为2.5 mol%的硅基Er:Ta_2O_5脊形波导通过980 nm激光泵浦,在1 531 nm信号波长下达到了3.1 d B/cm的净增益。 展开更多
关键词 集成光学 铒掺杂 氧化钽薄膜 脊形波导
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钽-氧化锆光纤黑体腔温度传感器特性参数测试 被引量:5
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作者 郝晓剑 桑涛 +1 位作者 潘保武 周汉昌 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期373-378,共6页
为了实现恶劣环境、狭小空间瞬态高温的测量,采用溅射、等离子体喷涂技术研制了蓝宝石光纤钽(熔点为2 997℃)-氧化锆(熔点为2 715℃)薄膜黑体腔瞬态高温传感器。设计了3支水电解的氢氧焰枪组成的恒温高温静态灵敏度标定装置和大功率高... 为了实现恶劣环境、狭小空间瞬态高温的测量,采用溅射、等离子体喷涂技术研制了蓝宝石光纤钽(熔点为2 997℃)-氧化锆(熔点为2 715℃)薄膜黑体腔瞬态高温传感器。设计了3支水电解的氢氧焰枪组成的恒温高温静态灵敏度标定装置和大功率高频可调制CO2激光脉冲作为阶跃激励源的动态特性标定装置。测试结果表明:当静态灵敏度标定装置恒温区为1 721℃、传感器抗冲击能力达到50 MPa以上时,传感器测得的温度为2 802℃;当CO2激光脉冲作为1 500℃高温阶跃输入信号时,测得该传感器时间常数为微秒数量级。 展开更多
关键词 仪器仪表技术 -氧化薄膜 动态特性 瞬态超高温 抗冲击能力 测试
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磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能 被引量:2
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作者 张幸福 魏爱香 刘毅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期878-880,共3页
采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外.可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了... 采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外.可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz~13MHz频段的介电谱,结果表明在300~700nm的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数k→0,折射率>2.0,透射率大约80%。500Hz下的低频介电常数5的典型值为20.1。损耗角正切tgδ为19.9。 展开更多
关键词 氧化钽薄膜 光学性质 介电谱
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O_2气中激光烧蚀Ta_2O_5产物离子的氧化反应
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作者 辜振宁 王雪峰 +2 位作者 秦启宗 陈宏 郑兰荪 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第11期961-964,共4页
The mass spectra of both positive and negative charged Ta-containing ions from laser ablatiou of Ta2O5 were measured using a time-of-flight mass spectrometer. Formation of iomc Ta-containing oxides such as TaO and TaO... The mass spectra of both positive and negative charged Ta-containing ions from laser ablatiou of Ta2O5 were measured using a time-of-flight mass spectrometer. Formation of iomc Ta-containing oxides such as TaO and TaO from Ta2O5 ablation in ambient O2 were observed for the first time. The influence of ambient O2 pressure on the intensities of ablated Ta-containing ions has also been studied. It is found that the subsequent oxidation reactions were involved in the ablation of Ta2O5 at different O2 pressure. The enthalpies of possible okidation reactions were theoretically calculated, and the possible formation reastions of the ionic Ta-contauing oxides are discussed. 展开更多
关键词 激光烧蚀 离子氧化 氧化薄膜 PLC 制备
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