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碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状
被引量:
3
1
作者
沈新民
涂群章
+2 位作者
张晓南
殷勤
王东
《河北科技大学学报》
CAS
2016年第5期431-440,共10页
通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层,利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除,有利于提高材料去除效率、提升加工表面质量。研究发现,通过等离子体氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.626nm和0.480nm...
通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层,利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除,有利于提高材料去除效率、提升加工表面质量。研究发现,通过等离子体氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.626nm和0.480nm;通过热氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.920nm和0.726nm;在电化学氧化中,基于Deal-Grove模型计算得到的氧化速度为5.3nm/s,电化学氧化辅助抛光后的表面粗糙度RMS和Ra分别是4.428nm和3.453nm。氧化辅助抛光有助于烧结碳化硅加工工艺水平的提升,促进碳化硅零件在光学、陶瓷等领域的应用。
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关键词
特种加工工艺
烧结碳化硅
氧化辅助抛光
表面粗糙度
材料去除效率
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职称材料
题名
碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状
被引量:
3
1
作者
沈新民
涂群章
张晓南
殷勤
王东
机构
解放军理工大学野战工程学院
出处
《河北科技大学学报》
CAS
2016年第5期431-440,共10页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFC0802903)
国家自然科学基金(51505498)
江苏省自然科学基金(BK20150714)
文摘
通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层,利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除,有利于提高材料去除效率、提升加工表面质量。研究发现,通过等离子体氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.626nm和0.480nm;通过热氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.920nm和0.726nm;在电化学氧化中,基于Deal-Grove模型计算得到的氧化速度为5.3nm/s,电化学氧化辅助抛光后的表面粗糙度RMS和Ra分别是4.428nm和3.453nm。氧化辅助抛光有助于烧结碳化硅加工工艺水平的提升,促进碳化硅零件在光学、陶瓷等领域的应用。
关键词
特种加工工艺
烧结碳化硅
氧化辅助抛光
表面粗糙度
材料去除效率
Keywords
non-traditional machining
RS-SiC
oxidation-assisted polishing
surface roughness
material removal rate
分类号
TH164 [机械工程—机械制造及自动化]
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状
沈新民
涂群章
张晓南
殷勤
王东
《河北科技大学学报》
CAS
2016
3
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职称材料
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