提供了一种快速制备氧化石墨烯(GO)薄膜的方法,并通过调节GO薄膜的含氧量来调控其能级结构.采用阳极电泳及阴极电化学还原联用的方法在F掺杂Sn O2(FTO)导电玻璃上制备出不同层数及含氧量的GO薄膜,并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)...提供了一种快速制备氧化石墨烯(GO)薄膜的方法,并通过调节GO薄膜的含氧量来调控其能级结构.采用阳极电泳及阴极电化学还原联用的方法在F掺杂Sn O2(FTO)导电玻璃上制备出不同层数及含氧量的GO薄膜,并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光谱、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱及电化学分析对样品进行表征.用20-350 s不同时间电泳沉积得到层数约为77-570层的GO薄膜.经过不同时间阴极还原的GO薄膜的禁带宽度为1.0-2.7 e V,其导带位置及费米能级也随之改变.GO作为p型半导体,与FTO导电膜之间会形成p-n结,在光强为100 m W·cm-2的模拟太阳光照射下,电泳300 s且电化学还原120 s时GO薄膜阳极光电流密度达到5.25×10-8A·cm-2.展开更多
文摘提供了一种快速制备氧化石墨烯(GO)薄膜的方法,并通过调节GO薄膜的含氧量来调控其能级结构.采用阳极电泳及阴极电化学还原联用的方法在F掺杂Sn O2(FTO)导电玻璃上制备出不同层数及含氧量的GO薄膜,并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光谱、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱及电化学分析对样品进行表征.用20-350 s不同时间电泳沉积得到层数约为77-570层的GO薄膜.经过不同时间阴极还原的GO薄膜的禁带宽度为1.0-2.7 e V,其导带位置及费米能级也随之改变.GO作为p型半导体,与FTO导电膜之间会形成p-n结,在光强为100 m W·cm-2的模拟太阳光照射下,电泳300 s且电化学还原120 s时GO薄膜阳极光电流密度达到5.25×10-8A·cm-2.
