铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响

1

作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页

研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多

关键词 铟锡氧化物 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ito靶材

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喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量：7

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作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在0．06-0．25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In／Sn比超过 0．3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型．因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In／Sn比不宜过低,也不能过高．热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In／Sn=0．2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电．当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80％以上． 展开更多

关键词 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解

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溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量：5

3

作者 刘媛媛 赵继凤 +3 位作者 李延辉 宋淑梅 辛艳青 杨田林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期391-396,共6页

利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效... 利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。 展开更多

关键词 溅射气压 铟锡锌氧化物薄膜晶体管 磁控溅射 光学带隙

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铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用 被引量：24

4

作者 刘世友 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期98-100,80,共4页

介绍了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜的特征，主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子、太阳能等领域的应用。

关键词 铟锡氧化物薄膜 特性 生产工艺 应用 展望 ito

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络盐法制备纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末 被引量：3

5

作者 陈林 吴伯麟 《桂林工学院学报》 北大核心 2007年第2期257-261,共5页

以纯铟、SnCl4·5H2O为原料，采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148．5nm、粒径分布较窄、在800～3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90％以上的纳米晶铟锡氧化物（ITO）粉末．通过制备络合盐晶体（NH4）2InC... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料，采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148．5nm、粒径分布较窄、在800～3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90％以上的纳米晶铟锡氧化物（ITO）粉末．通过制备络合盐晶体（NH4）2InCl5·H2O和（NH4）2SnCl6，证实反应初始溶液中有络离子存在．研究了络离子本身以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮对ITO粒径的影响．用XRD、红外光谱仪和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征．结果表明：络离子浓度的增加有利于ITO粉末粒径的变小，分散剂的加入有利于ITO费氏粒度的减小． 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米晶 络盐法 分散剂 络离子

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铟锡氧化物薄膜的生产、应用与开发 被引量：9

6

作者 文友 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1997年第3期56-59,共4页

介绍了铟锡氧化物（ITO）薄膜的特性、主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子等领域的应用。并对该材料生产工艺及产品市场的发展前景进行了展望。

关键词 铟锡氧化物 薄膜 生产工艺 应用

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铟锡氧化物(ITO)前驱体的相演变规律研究 被引量：3

7

作者 廖红卫 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期64-67,共4页

采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶... 采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶体的相演变规律进行了系统的研究。立方结构In(OH)3向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于150℃,在300℃左右转变完全并且表现为一种吸热行为。四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体转变起始于220℃并且终止于430℃。此外,四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体的转变包含2个子过程,一个表现为吸热行为的InOOH脱水过程,另一个表现为强烈放热行为的InOOH脱水产物向刚玉型结构ITO固溶体的转变过程。刚玉型结构ITO固溶体在空气中处于亚稳态,并且在加热的条件下可以转变为萤石型结构ITO固溶体。刚玉型结构ITO固溶体向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于578℃,在800℃以前转变终止并且表现为一种弱吸热行为。 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 前驱体 相演变规律

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分散剂对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响

8

作者 肖素萍 陈林 +3 位作者 王献忠 文忠和 张西玲 向芸 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期111-113,共3页

以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的... 以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的粒径逐渐变小;加入不同分子量的PEG配合使用有利于制备纳米级颗粒,加入PEG(10000∶6000=1∶1)作分散剂所制ITO粉末粒径为50～100nm。 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米粉末 分散剂 络盐法

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提拉法制备铟锡氧化物透明隔热薄膜的研究

9

作者 刘扬林 段学臣 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2009年第3期56-60,71,共6页

将纳米铟锡氧化物(ITO)粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米ITO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜.研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系.研究表明:提... 将纳米铟锡氧化物(ITO)粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米ITO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜.研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系.研究表明:提拉镀ITO膜具有很好的透明隔热性能,对可见光的透过率大于85%,对近红外透过率低于35%,膜的耐有机溶剂性好,提拉次数对膜的厚度、红外透过率以及宏观隔热性能成正比关系,提拉温度对膜性能的影响较为复杂,提拉温度为35℃时,膜的厚度最厚,综合性能较好. 展开更多

关键词 铟锡氧化物 提拉镀膜 透明 隔热 薄膜

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薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究 被引量：1

10

作者 王守坤 郭总杰 +2 位作者 袁剑峰 林承武 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期355-360,共6页

对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致... 对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题。通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良。 展开更多

关键词 铟锡氧化物 薄雾不良 边缘场开关薄膜晶体管 等离子体化学气相沉积 氮化硅膜 透过率

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透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量：12

11

作者 望咏林 颜悦 +2 位作者 沈玫 贺会权 张官理 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期317-320,共4页

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望。

关键词 氧化物薄膜 透明导电机理 制备工艺 ito AZO

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氯离子与铟离子的总浓度比对铟锡氧化物前驱体(氢氧化物)粒径的影响 被引量：5

12

作者 陈林 吴伯麟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1073-1078,共6页

用络盐法制备了铟锡氧化物(ITO)纳米粉末．通过对铟和锡的络合盐[(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SNCl6]的制备研究,证实了反应初始溶液中络离子的存在．通过调节氯离子与铟离子的总浓度比研究了络离子对ITO前驱体(氢氧化物)粒径的影响．... 用络盐法制备了铟锡氧化物(ITO)纳米粉末．通过对铟和锡的络合盐[(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SNCl6]的制备研究,证实了反应初始溶液中络离子的存在．通过调节氯离子与铟离子的总浓度比研究了络离子对ITO前驱体(氢氧化物)粒径的影响．提出了络离子对纳米ITO粉末粒径的影响原理:络离子的存在,降低了反应初始溶液中游离In3+和Sn4+的浓度,有利于纳米级ITO粉末的生成．通过XRD和激光粒度仪对ITO前驱体(氢氧化物)进行了表征． 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 络盐法 原理 前驱体

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退火处理对铟锡氧化物粉末的影响

13

作者 刘喜波 陈派明 +2 位作者 杨硕 王政红 张秀勤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期30-34,共5页

对两种不同比表面积(BET)的铟锡氧化物(ITO)纳米粉末进行退火处理,研究和比较了温度对两种粉末微观组织和结构的影响,并对这两种粉末烧结的靶材进行了比较。结果表明,在800～1500℃进行不同温度的退火处理后,在1200℃以上,两种比表面积... 对两种不同比表面积(BET)的铟锡氧化物(ITO)纳米粉末进行退火处理,研究和比较了温度对两种粉末微观组织和结构的影响,并对这两种粉末烧结的靶材进行了比较。结果表明,在800～1500℃进行不同温度的退火处理后,在1200℃以上,两种比表面积的ITO粉末粒径增长显著,颗粒之间出现了相互合并和结合长大现象,而高BET粉末的粒径增加幅度比低BET粉末的更大;在1525℃烧结后,用高BET粉末烧成的靶材的晶粒和气孔尺寸更大,气孔数量也更多。 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米粉末 退火 烧结

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铟锡氧化物及其应用 被引量：22

14

作者 何小虎 韦莉 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2003年第4期51-55,57,共6页

简述了ITO粉末、ITO靶材、ITO透明导电薄膜的生产工艺、性质及用途,并介绍了国内外有关资源储量、生产和消费市场情况。

关键词 ito粉末 靶材 透明导电薄膜 铟锡氧化物 生产工艺

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ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法 被引量：38

15

作者 张树高 黄伯云 方勋华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期11-14,共4页

综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn^(4+)替代部分In^(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。

关键词 ito薄膜 半导体 制备 铟锡氧化物 半导体

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磁控溅射低阻ITO薄膜的气体参数优化 被引量：9

16

作者 王军 成建波 +2 位作者 饶海波 蒋亚东 杨刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期115-117,共3页

用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随... 用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大,随氧气比例增加薄膜(400)晶向消失。优化参数为气压266.664 mPa,V(Ar):V(O2)=15:0,制备的ITO薄膜方阻为22Ω/□,在可见光区域平均透过率为85%。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 直流磁控溅射 沉积气压 流量比

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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：15

17

作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2003年第4期37-40,共4页

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多

关键词 ito透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡

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ITO薄膜的光学和电学性质及其应用 被引量：32

18

作者 马勇 孔春阳 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期114-117,共4页

介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是... 介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。 展开更多

关键词 ito薄膜 结构 能带 电学性质 氧化铟锡薄膜 光学性质

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膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响 被引量：6

19

作者 罗远晟 陈松林 +4 位作者 马平 蒲云体 朱基亮 朱建国 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1024-1026,共3页

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 磁控溅射 薄膜厚度

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磁控溅射ITO薄膜的退火处理 被引量：4

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作者 王军 成建波 +4 位作者 陈文彬 杨刚 蒋亚东 蒋泉 杨健君 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期264-266,共3页

采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退... 采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退火温度升高，方块电阻迅速下降，表面更加平整，薄膜在可见光范围平均透过率提高到85％。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 退火 直流磁控溅射 方阻

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