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不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
1
作者
李国强
管云芳
高芳亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期721-728,共8页
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决...
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。
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关键词
氧化物衬底
LiGaO2
MGAL2O4
LAALO3
GAN薄膜
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职称材料
Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体与氧化物衬底材料的反应性估计
2
作者
赵良仲
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期409-412,共4页
测定了一系列氧化物的电子结合能，显示了铋系超导体与二元氧化物衬底材料的化学反应性可以用固态酸碱反应理论来描述，其反应性大小除了可以用衬底氧化物的酸碱参数估计以外，还可以用衬底氧化物氧离子的内层电子结合能估计．
关键词
BSCCO
超导体
氧化物衬底
XPS
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职称材料
题名
不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
1
作者
李国强
管云芳
高芳亮
机构
华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室
华南理工大学材料科学与工程学院电子材料科学与工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期721-728,共8页
基金
国家安全重大基础研究(国防973)资助项目
国家自然科学基金资助项目(51002052)
文摘
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。
关键词
氧化物衬底
LiGaO2
MGAL2O4
LAALO3
GAN薄膜
Keywords
oxide substrate
LiGa02
MgA12O4
LaAIO3
GaN film
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体与氧化物衬底材料的反应性估计
2
作者
赵良仲
机构
中国科学院化学研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期409-412,共4页
文摘
测定了一系列氧化物的电子结合能，显示了铋系超导体与二元氧化物衬底材料的化学反应性可以用固态酸碱反应理论来描述，其反应性大小除了可以用衬底氧化物的酸碱参数估计以外，还可以用衬底氧化物氧离子的内层电子结合能估计．
关键词
BSCCO
超导体
氧化物衬底
XPS
Keywords
Bi-Sr-Ca-Cu-O superconductor, Solid acid-base reaction, XPS
分类号
O511 [理学—低温物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
李国强
管云芳
高芳亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
2
Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体与氧化物衬底材料的反应性估计
赵良仲
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
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职称材料
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参考文献
引证文献
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