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面向类脑计算的氧化物忆阻器
被引量：
3
1
作者
诸葛霞
朱仁祥
+2 位作者
王建民
王敬蕊
诸葛飞
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期1149-1162,共14页
类脑神经形态计算通过电子或光子器件集成来模拟人脑结构和功能。人工突触是类脑系统中数量最多的计算单元。忆阻器可模拟突触功能,并具有优异的尺寸缩放性和低能耗,是实现人工突触的理想元器件。利用欧姆定律和基尔霍夫定律,忆阻器交...
类脑神经形态计算通过电子或光子器件集成来模拟人脑结构和功能。人工突触是类脑系统中数量最多的计算单元。忆阻器可模拟突触功能,并具有优异的尺寸缩放性和低能耗,是实现人工突触的理想元器件。利用欧姆定律和基尔霍夫定律,忆阻器交叉阵列可执行并行的原位乘累加运算,从而大幅提升类脑系统处理模拟信号的速度。氧化物制备容易,和CMOS工艺兼容性强,是使用最广泛的忆阻器材料。本文梳理了氧化物忆阻器的研究进展,分别讨论了电控、光电混合调控和全光控忆阻器,主要聚焦阻变机理、器件结构和性能。电控忆阻器工作一般会产生微结构变化和焦耳热,将严重影响器件稳定性,改进器件结构和材料成分可有效改善器件性能。利用光信号调控忆阻器电导,不仅能降低能耗,而且可避免产生微结构变化和焦耳热,从而有望解决稳定性难题。此外,光控忆阻器能直接感受光刺激,单器件即可实现感/存/算功能,可用于研发新型视觉传感器。因此,全光控忆阻器的实现为忆阻器的研究和应用打开了一扇新窗口。
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关键词
氧化物忆阻器
光电
器
件
人工突触
类脑神经形态计算
综述
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职称材料
题名
面向类脑计算的氧化物忆阻器
被引量：
3
1
作者
诸葛霞
朱仁祥
王建民
王敬蕊
诸葛飞
机构
宁波工程学院电子与信息工程学院
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心
中国科学院大学材料与光电研究中心
浙江大学温州研究院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期1149-1162,共14页
基金
国家自然科学基金(U20A20209,61874125)
中国科学院战略性先导专项(XDB32050204)
+2 种基金
环境友好能源材料国家重点实验室开放基金(20kfhg09)
宁波市自然科学基金(2021J139)
硅材料国家重点实验室开放基金(SKL2021-03)。
文摘
类脑神经形态计算通过电子或光子器件集成来模拟人脑结构和功能。人工突触是类脑系统中数量最多的计算单元。忆阻器可模拟突触功能,并具有优异的尺寸缩放性和低能耗,是实现人工突触的理想元器件。利用欧姆定律和基尔霍夫定律,忆阻器交叉阵列可执行并行的原位乘累加运算,从而大幅提升类脑系统处理模拟信号的速度。氧化物制备容易,和CMOS工艺兼容性强,是使用最广泛的忆阻器材料。本文梳理了氧化物忆阻器的研究进展,分别讨论了电控、光电混合调控和全光控忆阻器,主要聚焦阻变机理、器件结构和性能。电控忆阻器工作一般会产生微结构变化和焦耳热,将严重影响器件稳定性,改进器件结构和材料成分可有效改善器件性能。利用光信号调控忆阻器电导,不仅能降低能耗,而且可避免产生微结构变化和焦耳热,从而有望解决稳定性难题。此外,光控忆阻器能直接感受光刺激,单器件即可实现感/存/算功能,可用于研发新型视觉传感器。因此,全光控忆阻器的实现为忆阻器的研究和应用打开了一扇新窗口。
关键词
氧化物忆阻器
光电
器
件
人工突触
类脑神经形态计算
综述
Keywords
oxide memristor
optoelectronic device
artificial synapse
brain-inspired neuromorphic computing
review
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
面向类脑计算的氧化物忆阻器
诸葛霞
朱仁祥
王建民
王敬蕊
诸葛飞
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
3
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