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Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究
被引量：
2
1
作者
蔡小五
海潮和
+3 位作者
陆江
王立新
刘刚
刘梦新
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期754-756,777,共4页
本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的...
本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。
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关键词
叠层栅
界面态
电荷
氧化物俘获电荷
电容
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职称材料
题名
Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究
被引量：
2
1
作者
蔡小五
海潮和
陆江
王立新
刘刚
刘梦新
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期754-756,777,共4页
文摘
本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。
关键词
叠层栅
界面态
电荷
氧化物俘获电荷
电容
Keywords
stack gate
interface traps
oxade charge
capacitors
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究
蔡小五
海潮和
陆江
王立新
刘刚
刘梦新
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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