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栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
刘兆慧
尉升升
+2 位作者
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时...
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
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关键词
SiC
MOSFET
阈值电压不稳定性
栅
氧化层陷阱电荷
界面
陷阱
电荷
可动
电荷
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职称材料
MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
被引量：
7
2
作者
何玉娟
师谦
+2 位作者
李斌
罗宏伟
林丽
《电子产品可靠性与环境试验》
2006年第4期26-29,共4页
对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。
关键词
界面态
氧化层陷阱电荷
电荷
分离方法
辐照效应
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职称材料
基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析
被引量：
4
3
作者
何玉娟
刘远
章晓文
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期531-536,共6页
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪...
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。
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关键词
热载流子注入(HCI)效应
低频噪声
金属
氧化
物半导体场效应晶体管(MOSFET)
界面态
陷阱
电荷
氧化层陷阱电荷
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职称材料
题名
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
机构
大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
文摘
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
关键词
SiC
MOSFET
阈值电压不稳定性
栅
氧化层陷阱电荷
界面
陷阱
电荷
可动
电荷
Keywords
SiC MOSFET
threshold voltage instability
gate⁃oxide layer trap charge
interface trap charge
mobile charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
被引量：
7
2
作者
何玉娟
师谦
李斌
罗宏伟
林丽
机构
信息产业部电子第五研究所
华南理工大学微电子研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2006年第4期26-29,共4页
基金
重点基金项目(6140438)
重点实验室基金项目(51433020101DZ1501)
文摘
对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。
关键词
界面态
氧化层陷阱电荷
电荷
分离方法
辐照效应
Keywords
interface-trap charge
oxide-trap charge
charge separation techniques
irradiation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析
被引量：
4
3
作者
何玉娟
刘远
章晓文
机构
西安电子科技大学微电子学院
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期531-536,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112)
广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044)
文摘
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。
关键词
热载流子注入(HCI)效应
低频噪声
金属
氧化
物半导体场效应晶体管(MOSFET)
界面态
陷阱
电荷
氧化层陷阱电荷
Keywords
hot carrier injection(HCI)effect
low frequency noise
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)
interface trap charge
oxide layer trap charge
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
何玉娟
师谦
李斌
罗宏伟
林丽
《电子产品可靠性与环境试验》
2006
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析
何玉娟
刘远
章晓文
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
4
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职称材料
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