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HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰
被引量：
1
1
作者
叶振华
尹文婷
+8 位作者
黄建
胡伟达
冯婧文
陈路
廖亲君
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期26-28,34,共4页
报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列...
报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.
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关键词
碲镉汞(HgCdTe)
氢等离子体修饰
光电二极管列阵
暗电流
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职称材料
题名
HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰
被引量：
1
1
作者
叶振华
尹文婷
黄建
胡伟达
冯婧文
陈路
廖亲君
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期26-28,34,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(6070612)
中国科学院国防科技创新基金项目(cxjj-10-m29)~~
文摘
报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.
关键词
碲镉汞(HgCdTe)
氢等离子体修饰
光电二极管列阵
暗电流
Keywords
HgCdTe
hydrogen plasma modification
photodiode arrays
dark current
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰
叶振华
尹文婷
黄建
胡伟达
冯婧文
陈路
廖亲君
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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