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势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
1
作者
杨鹏
杨琦
刘帅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期905-911,共7页
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)...
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。
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关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件
漏极
离子
轻掺杂(LDD)技术
增强型HEMT
击穿电压
氢离子注入
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职称材料
室温离子注氢CeO_2的微结构及价态研究
2
作者
王卫国
保田英洋
+2 位作者
褚凤敏
宋明晖
古屋一夫
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期26-28,18,共4页
利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及电子能量损失谱(EELS)对室温下注入氢离子的CeO2烧结体的显微组织结构和价态进行了原位观察和分析。结果表明:室温注氢,虽可以使严重损伤区内氧的状态发生明显改变,却不能引起CeO2的相转变及Ce的价态...
利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及电子能量损失谱(EELS)对室温下注入氢离子的CeO2烧结体的显微组织结构和价态进行了原位观察和分析。结果表明:室温注氢,虽可以使严重损伤区内氧的状态发生明显改变,却不能引起CeO2的相转变及Ce的价态改变;这一结果可能与氢离子因尺寸太小不能占据CeO2的正常格点位置从而无法有效形成氧空位以及室温下CeO2中Ce和O的扩散比较困难等因素有关。
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关键词
氢离子注入
CEO2
微结构
价态
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职称材料
MO·P_2O_5玻璃的结构与性能
被引量：
2
3
作者
张俊英
张中太
唐子龙
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2000年第1期7-11,共5页
主要介绍了质子导体MO·P2 O5 玻璃 (M =Be,Mg,Ca,Sr,Ba) ,从其结构、化学稳定性和导电原理等方面总结了前人所做的工作 .MO·P2 O5 玻璃系统化学稳定性较好 ,在其中注入H+使某些成分的玻璃具有快质子导电率 .对MO·P2 O5 ...
主要介绍了质子导体MO·P2 O5 玻璃 (M =Be,Mg,Ca,Sr,Ba) ,从其结构、化学稳定性和导电原理等方面总结了前人所做的工作 .MO·P2 O5 玻璃系统化学稳定性较好 ,在其中注入H+使某些成分的玻璃具有快质子导电率 .对MO·P2 O5 系统进行深入研究 ,以寻找出真正实用的玻璃 ,可望发展新型无机室温快质子导电电解质 ,为发展室温燃料电池打下良好基础 .
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关键词
磷酸盐玻璃
质子导电
结构
性能
氢离子注入
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职称材料
题名
势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
1
作者
杨鹏
杨琦
刘帅
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期905-911,共7页
文摘
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。
关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件
漏极
离子
轻掺杂(LDD)技术
增强型HEMT
击穿电压
氢离子注入
Keywords
AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) device
low-density drain(LDD) technology
enhancement mode HEMT
breakdown voltage
hydrogen ion implantation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
室温离子注氢CeO_2的微结构及价态研究
2
作者
王卫国
保田英洋
褚凤敏
宋明晖
古屋一夫
机构
山东理工大学机械工程学院
日本神户大学工学院
日本国立材料科学研究所
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期26-28,18,共4页
文摘
利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及电子能量损失谱(EELS)对室温下注入氢离子的CeO2烧结体的显微组织结构和价态进行了原位观察和分析。结果表明:室温注氢,虽可以使严重损伤区内氧的状态发生明显改变,却不能引起CeO2的相转变及Ce的价态改变;这一结果可能与氢离子因尺寸太小不能占据CeO2的正常格点位置从而无法有效形成氧空位以及室温下CeO2中Ce和O的扩散比较困难等因素有关。
关键词
氢离子注入
CEO2
微结构
价态
Keywords
hydrogen ion implantation
CeO_2
microstructures
valence state
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
MO·P_2O_5玻璃的结构与性能
被引量：
2
3
作者
张俊英
张中太
唐子龙
机构
清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2000年第1期7-11,共5页
文摘
主要介绍了质子导体MO·P2 O5 玻璃 (M =Be,Mg,Ca,Sr,Ba) ,从其结构、化学稳定性和导电原理等方面总结了前人所做的工作 .MO·P2 O5 玻璃系统化学稳定性较好 ,在其中注入H+使某些成分的玻璃具有快质子导电率 .对MO·P2 O5 系统进行深入研究 ,以寻找出真正实用的玻璃 ,可望发展新型无机室温快质子导电电解质 ,为发展室温燃料电池打下良好基础 .
关键词
磷酸盐玻璃
质子导电
结构
性能
氢离子注入
Keywords
phosphate glass
protonic conduction
H + implantation
分类号
TQ171.717 [化学工程—玻璃工业]
TQ171.112 [化学工程—玻璃工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
杨鹏
杨琦
刘帅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
室温离子注氢CeO_2的微结构及价态研究
王卫国
保田英洋
褚凤敏
宋明晖
古屋一夫
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
3
MO·P_2O_5玻璃的结构与性能
张俊英
张中太
唐子龙
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2000
2
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职称材料
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