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湿法化学刻蚀技术处理抛光熔石英元件
被引量：
5
1
作者
叶卉
李亚国
+1 位作者
姜晨
陈起
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期382-389,共8页
为了提高熔石英元件的抗激光损伤能力,采用基于氢氟酸刻蚀的湿法化学技术去除元件内的激光损伤诱因。利用不同的氢氟酸溶液处理经氧化铈抛光的熔石英元件,并对元件的刻蚀速率、表面洁净度、粗糙度、透过率和激光损伤性能进行评价。研究...
为了提高熔石英元件的抗激光损伤能力,采用基于氢氟酸刻蚀的湿法化学技术去除元件内的激光损伤诱因。利用不同的氢氟酸溶液处理经氧化铈抛光的熔石英元件,并对元件的刻蚀速率、表面洁净度、粗糙度、透过率和激光损伤性能进行评价。研究结果表明,与传统的静态刻蚀相比,在质量分数为6%的氢氟酸刻蚀溶液中引入能量密度约为0.6 W/cm^2的兆声能量对元件的溶解速率和激光损伤性能没有明显的提升作用;化学刻蚀产生的沉积物对元件表面粗糙度和透过率均有不利影响,且沉积物比例与所用的刻蚀液成分和浓度密切相关;经质量分数6%或12%的纯氢氟酸溶液刻蚀(5±1)μm深度后,熔石英元件的激光损伤阈值相比于未刻蚀元件提升了约1.9倍;熔石英元件的激光损伤性能与表面粗糙度和透过率之间不是简单的线性关系,但激光损伤阈值较理想的元件(>20 J/cm^2@3ns)往往具有较光滑的表面,即表面粗糙度<2 nm,由此可以确定有利于熔石英元件激光损伤性能的刻蚀条件,并获得元件表面粗糙度的控制指标。
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关键词
激光损伤性能
熔石英
氢氟酸湿法刻蚀
刻蚀
沉积物
表面粗糙度
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职称材料
题名
湿法化学刻蚀技术处理抛光熔石英元件
被引量：
5
1
作者
叶卉
李亚国
姜晨
陈起
机构
上海理工大学机械工程学院
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期382-389,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.51475310)
上海市青年科技英才扬帆计划资助项目(No.18YF1417700)。
文摘
为了提高熔石英元件的抗激光损伤能力,采用基于氢氟酸刻蚀的湿法化学技术去除元件内的激光损伤诱因。利用不同的氢氟酸溶液处理经氧化铈抛光的熔石英元件,并对元件的刻蚀速率、表面洁净度、粗糙度、透过率和激光损伤性能进行评价。研究结果表明,与传统的静态刻蚀相比,在质量分数为6%的氢氟酸刻蚀溶液中引入能量密度约为0.6 W/cm^2的兆声能量对元件的溶解速率和激光损伤性能没有明显的提升作用;化学刻蚀产生的沉积物对元件表面粗糙度和透过率均有不利影响,且沉积物比例与所用的刻蚀液成分和浓度密切相关;经质量分数6%或12%的纯氢氟酸溶液刻蚀(5±1)μm深度后,熔石英元件的激光损伤阈值相比于未刻蚀元件提升了约1.9倍;熔石英元件的激光损伤性能与表面粗糙度和透过率之间不是简单的线性关系,但激光损伤阈值较理想的元件(>20 J/cm^2@3ns)往往具有较光滑的表面,即表面粗糙度<2 nm,由此可以确定有利于熔石英元件激光损伤性能的刻蚀条件,并获得元件表面粗糙度的控制指标。
关键词
激光损伤性能
熔石英
氢氟酸湿法刻蚀
刻蚀
沉积物
表面粗糙度
Keywords
laser damage performance
fused silica optics
HF-based etching
etching-induced deposits
roughness
分类号
TH145 [一般工业技术—材料科学与工程]
O43 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
湿法化学刻蚀技术处理抛光熔石英元件
叶卉
李亚国
姜晨
陈起
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
5
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