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钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制
1
作者
李树荣
郭维廉
李良全
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期18-19,55,共3页
本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在常温下空气中。
关键词
钯
MIS
隧道二极管
氢敏器件
在线阅读
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职称材料
表面覆膜SnO_2半导体氢敏元件
被引量：
3
2
作者
穆宝贵
黎丽琳
《传感器技术》
CSCD
1991年第1期31-34,共4页
在制备烧结体SnO_2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。
关键词
SNO2
半导体
氢敏器件
气
敏
器件
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职称材料
题名
钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制
1
作者
李树荣
郭维廉
李良全
机构
天津大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期18-19,55,共3页
文摘
本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在常温下空气中。
关键词
钯
MIS
隧道二极管
氢敏器件
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN312.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
表面覆膜SnO_2半导体氢敏元件
被引量：
3
2
作者
穆宝贵
黎丽琳
机构
哈尔滨通江晶体管厂
出处
《传感器技术》
CSCD
1991年第1期31-34,共4页
文摘
在制备烧结体SnO_2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。
关键词
SNO2
半导体
氢敏器件
气
敏
器件
Keywords
Semiconductor gas sensors, coating processing
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制
李树荣
郭维廉
李良全
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
2
表面覆膜SnO_2半导体氢敏元件
穆宝贵
黎丽琳
《传感器技术》
CSCD
1991
3
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