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氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究
1
作者
阳生红
CHATELET Marc
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期30-33,共4页
利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合...
利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合氢分子角分布。脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关。根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。
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关键词
四极质谱仪
氢
化
si
(
100
)
表面
脱附
氢
分子角分布
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职称材料
题名
氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究
1
作者
阳生红
CHATELET Marc
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院
Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期30-33,共4页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
文摘
利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合氢分子角分布。脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关。根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。
关键词
四极质谱仪
氢
化
si
(
100
)
表面
脱附
氢
分子角分布
Keywords
quadrupole mass spectrometer, hydrogenated
si
（
100
） surface, desorbing, angle distributions of H2 molecules
分类号
O552.33 [理学—热学与物质分子运动论]
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作者
出处
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1
氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究
阳生红
CHATELET Marc
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007
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