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PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟
1
作者
姚若河
林璇英
+2 位作者
黄创君
杨坤进
林揆训
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期506-507,共2页
利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随...
利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大 。
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关键词
计算机模拟
MONTE
CARLO方法
PCVD
氢化非晶硅合金薄膜
α-Si:H
薄膜
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职称材料
题名
PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟
1
作者
姚若河
林璇英
黄创君
杨坤进
林揆训
机构
汕头大学物理学系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期506-507,共2页
文摘
利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大 。
关键词
计算机模拟
MONTE
CARLO方法
PCVD
氢化非晶硅合金薄膜
α-Si:H
薄膜
Keywords
film growth
computer simulation
Monter Carlo method
分类号
TB43 [一般工业技术]
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟
姚若河
林璇英
黄创君
杨坤进
林揆训
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
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