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氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究被引量：3: 1; 作者于威侯海虹 +2 位作者王保柱刘丽辉傅广生《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第3期253-256,共4页; 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP -CVD)技术以SiH4 和N2 为反应气体沉积了氮化硅 (SiN)薄膜 ,利用傅里叶红外吸收谱 (FTIR)、紫外 -可见透射谱 (UV -VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析 .结果表明 ,采用H... 展开更多; 关键词氢化非晶氮化硅薄膜螺旋波等离子体光学带隙化学气相沉积傅里叶红外吸收谱紫外-可见透射谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响: 2; 作者朱海丰杨彦斌 +1 位作者路万兵于威《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期247-250,共4页; 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5e... 展开更多; 关键词氢化非晶氮化硅光致发光反应气压; 在线阅读下载PDF 职称材料

高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响被引量：5: 3; 作者谢振宇龙春平 +1 位作者邓朝勇胡文成《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-31,共6页; 采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄... 展开更多; 关键词氢化非晶氮化硅沉积速率禁带宽度介电常数反射系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究: 4; 作者翁丽敏何奕骅 +3 位作者范焕章许春芳杨光邬学文《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期40-47,共8页; 用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。; 关键词氢原子核磁共振非晶氢化氮化硅薄膜 PECVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究被引量：3: 1; 作者于威侯海虹王保柱刘丽辉傅广生; 机构河北大学物理科学与技术学院; 出处《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第3期253-256,共4页; 基金河北省自然科学基金资助项目 (10 0 0 6 4 ); 文摘采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP -CVD)技术以SiH4 和N2 为反应气体沉积了氮化硅 (SiN)薄膜 ,利用傅里叶红外吸收谱 (FTIR)、紫外 -可见透射谱 (UV -VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析 .结果表明 ,采用HWP -CVD技术能在较低的衬底温度下制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si -N键合结构 .适当提高N2 /SiH4 比例将有利于薄膜中H含量的降低 .; 关键词氢化非晶氮化硅薄膜螺旋波等离子体光学带隙化学气相沉积傅里叶红外吸收谱紫外-可见透射谱; Keywords silicon nitride films helicon wave plasma optical band gap; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响: 2; 作者朱海丰杨彦斌路万兵于威; 机构河北大学物理科学与技术学院; 出处《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期247-250,共4页; 基金河北省自然科学基金资助项目(100064); 文摘采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV.; 关键词氢化非晶氮化硅光致发光反应气压; Keywords hydrogenated amorphous silicon nitride photoluminescence gas pressure; 分类号 O447 [理学—电磁学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响被引量：5: 3; 作者谢振宇龙春平邓朝勇胡文成; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院北京京东方光电科技有限公司工艺开发科; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-31,共6页; 基金 "973"重大基础研究项目(No.51310Z04-3); 文摘采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N—H键含量和氮含量增大,Si—H键含量和氢含量降低。薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数。禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大。另外,介电常数和折射系数则随之增大。最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数。; 关键词氢化非晶氮化硅沉积速率禁带宽度介电常数反射系数; Keywords a-SiNx ： H deposition rate band gap dielectric constant refractive index; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究: 4; 作者翁丽敏何奕骅范焕章许春芳杨光邬学文; 机构华东师范大学电子科学技术系华东师范大学分析测试中心; 出处《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期40-47,共8页; 基金国家自然科学基金!19374023; 文摘用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。; 关键词氢原子核磁共振非晶氢化氮化硅薄膜 PECVD; Keywords silicon nitride hydrogen nuclear magnetic resonance(NMR); 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料