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题名氢稀释对nc-Si∶H薄膜结构和光致发光的影响
被引量：3
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作者
张一轲
郝惠莲
吴兆坤
于潇洋
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机构
上海工程技术大学材料工程学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第11期717-723,共7页
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基金
上海市大学生创新训练项目(csl305009)
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文摘
基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发光性能的影响。随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的纳米晶硅尺寸单调减小,而晶化率提高。键合结构分析表明,随着氢稀释比增加,nc-Si∶H薄膜中氢含量和Si—H键密度均减小。综合在不同氢稀释比下纳米晶硅尺寸变化、PL峰位移动及PL峰强度变化等特征,nc-Si∶H室温PL光谱被归因于纳米晶硅的量子限制效应。当氢稀释比由96%增大至97%时,氢的钝化作用使PL峰强度升高;当进一步增加氢稀释比至98.5%时,由于H2的生成,使氢的钝化效果显著降低,导致PL峰强度降低。
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关键词
氢化纳米晶硅薄膜
氢稀释比
微观结构
光致发光(PL)
晶化率
量子限制效应
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Keywords
nc-Si ： H thin film
hydrogen dilution ratio
microstructure
photoluminescence （PL）
crystallization rate
quantum confinement effect
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
O482.31
[理学—固体物理]
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