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氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展
被引量：
5
1
作者
张育民
王建峰
+5 位作者
蔡德敏
徐俞
王明月
胡晓剑
徐琳
徐科
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期1970-1983,共14页
氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,...
氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展。本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用。最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望。
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关键词
氢化物气相外延生长
氮化镓
晶体
生长
掺杂
光电性能
缺陷
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职称材料
题名
氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展
被引量：
5
1
作者
张育民
王建峰
蔡德敏
徐俞
王明月
胡晓剑
徐琳
徐科
机构
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
苏州纳维科技股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期1970-1983,共14页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0404101,2017YFB0403000)
国家自然科学基金(61704187)
中国科学院前沿科学重点研究计划项目(QYZDB-SSW-SLH042)。
文摘
氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展。本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用。最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望。
关键词
氢化物气相外延生长
氮化镓
晶体
生长
掺杂
光电性能
缺陷
Keywords
hydride vapor phase epitaxy
GaN
crystal growth
doping
optical and electrical property
defect
分类号
O78 [理学—晶体学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展
张育民
王建峰
蔡德敏
徐俞
王明月
胡晓剑
徐琳
徐科
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
5
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