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衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量：
5
1
作者
张丽平
张建军
+2 位作者
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220...
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
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关键词
氢化微晶硅锗薄膜
衬底温度
光、暗电导率
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职称材料
题名
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量：
5
1
作者
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(No.2009AA05Z422)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.08JCZDJC22200)
科技部基础研究973项目(No.2006CB202602No.2006CB202603)
文摘
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
关键词
氢化微晶硅锗薄膜
衬底温度
光、暗电导率
Keywords
hydrogenated microcrystalline silicon-germanium
substrate temperature
photo- and dark-conductivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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