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VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜被引量：5: 1; 作者杨恢东吴春亚 +7 位作者黄君凯麦耀华张晓丹薛俊明任慧志赵颖耿新华熊绍珍《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期127-132,共6页; 采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman... 展开更多; 关键词光发射谱氢化微晶硅薄膜甚高频等离子体化学气相沉积高速沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响被引量：5: 2; 作者张丽平张建军 +2 位作者张鑫孙建赵颖《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期831-835,共5页; 采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220... 展开更多; 关键词氢化微晶硅锗薄膜衬底温度光、暗电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题被引量：4: 3; 作者杨恢东吴春亚 +6 位作者赵颖麦耀华张晓丹薛俊明任慧志耿新华熊绍珍《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期5-8,共4页; 采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明:不同氧污染条件下制备所制备μc-Si:H薄膜中,氧以不同的... 展开更多; 关键词氢化微晶硅薄膜甚高频等离子体增强化学气相沉积光发射谱氧污染; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展: 4; 作者韦文生王天民王聪《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期37-39,共3页; 氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件... 展开更多; 关键词氢化纳米硅(nc-si:h)薄膜光电性质量子功能器件电导率制备发光机理结构光致发光电致发光光学性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究被引量：14: 5; 作者张晓丹朱锋 +8 位作者赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页; 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的... 展开更多; 关键词 VhF-PECVD 制备方法气压 μc-si:h 薄膜微晶硅材料太阳能电池光致衰退效应 SWE; 在线阅读下载PDF 职称材料

RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究被引量：3: 6; 作者蔡宏琨张德贤 +4 位作者何青赵飞陶科席强孙云《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期545-549,共5页; 采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的... 展开更多; 关键词 X射线衍射(XRD) 氢化非晶硅(a-Si:h)薄膜氢化微晶硅(μc-si:h)薄膜晶粒尺寸; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究被引量：7: 7; 作者刘玉芬郜小勇 +2 位作者刘绪伟赵剑涛卢景霄《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期365-369,共5页; 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现... 展开更多; 关键词氢化微晶硅薄膜晶化率平均晶粒尺寸光学带隙 Kronig—Penney模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6: 8; 作者汪昌州杨仕娥 +3 位作者陈永生杨根郜小勇卢景霄《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页; 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si... 展开更多; 关键词 p型氢化微晶硅薄膜掺硼比晶化率电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

Nc-Si∶H薄膜器件的研究: 9; 作者韦文生徐刚毅 +1 位作者王天民张春熹《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第1期76-79,共4页; 介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的... 展开更多; 关键词 Nc-si:h薄膜氢化纳米硅薄膜电子学器件光电转换器件化学稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜被引量：5: 1; 作者杨恢东吴春亚黄君凯麦耀华张晓丹薛俊明任慧志赵颖耿新华熊绍珍; 机构南开大学光电所暨南大学电子工程系; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期127-132,共6页; 基金国家重点基础发展规划项目"973"资助(G20000282 2 G20000282 3); 文摘采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc Si∶H薄膜的结构特征与表面形貌。基于当前的沉积系统,对μc Si∶H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc Si∶H薄膜的沉积速率提高到2 0nm/s。; 关键词光发射谱氢化微晶硅薄膜甚高频等离子体化学气相沉积高速沉积; Keywords Crystalline materials Emission spectroscopy Film growth Phase transitions Plasma enhanced chemical vapor deposition Raman spectroscopy Scanning electron microscopy Silanes Silicon Substrates X ray diffraction analysis; 分类号 TK511.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响被引量：5: 2; 作者张丽平张建军张鑫孙建赵颖; 机构南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期831-835,共5页; 基金国家高技术研究发展计划(No.2009AA05Z422) 天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.08JCZDJC22200) 科技部基础研究973项目(No.2006CB202602No.2006CB202603); 文摘采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。; 关键词氢化微晶硅锗薄膜衬底温度光、暗电导率; Keywords hydrogenated microcrystalline silicon-germanium substrate temperature photo- and dark-conductivity; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题被引量：4: 3; 作者杨恢东吴春亚赵颖麦耀华张晓丹薛俊明任慧志耿新华熊绍珍; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期5-8,共4页; 基金国家重点基础发展规划(973)项目(G20000282-2, G20000282-3) 教育部科学技术研究重大项目(02167); 文摘采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明:不同氧污染条件下制备所制备μc-Si:H薄膜中,氧以不同的键合模式存在.氧污染程度较低时,氧主要表现为O-O与O-H键合;氧污染严重时,则以Si-O键合占主导.通过Raman光谱、电导率与激活能的测量进一步发现:μc-Si:H薄膜的结构特性与电学特性随沉积过程中氧污染程度不同发生显著的变化,而且这种变化不同于氧污染对a-Si:H薄膜的影响.; 关键词氢化微晶硅薄膜甚高频等离子体增强化学气相沉积光发射谱氧污染; 分类号 TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展: 4; 作者韦文生王天民王聪; 机构北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期37-39,共3页; 文摘氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研究工作。; 关键词氢化纳米硅(nc-si:h)薄膜光电性质量子功能器件电导率制备发光机理结构光致发光电致发光光学性质; Keywords hydrogenated nano-crystalline silicon thin films,optoelectronic properties,quantum-sized functional device; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究被引量：14: 5; 作者张晓丹朱锋赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍; 机构南开大学光电子所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页; 基金国家"973"研究项目 (No .G2 0 0 0 0 2 82 0 2 G2 0 0 0 0 2 82 0 3 ) +1 种基金教育部重点项目 (No .0 2 167) "863"项目 (No .2 0 0 2 3 0 3 2 61)资助; 文摘本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ;; 关键词 VhF-PECVD 制备方法气压 μc-si:h 薄膜微晶硅材料太阳能电池光致衰退效应 SWE; Keywords very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VhF-PECVD) hydrogenated microcrystalline silicon (μc-si∶h) Flourier transform infrared (FTIR) spectroscopy X-ray diffraction micro-Raman spectroscopy; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究被引量：3: 6; 作者蔡宏琨张德贤何青赵飞陶科席强孙云; 机构南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期545-549,共5页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2006AA05Z422) 天津市科技发展计划公关培育项目(06YFGPGX08000); 文摘采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大。; 关键词 X射线衍射(XRD) 氢化非晶硅(a-Si:h)薄膜氢化微晶硅(μc-si:h)薄膜晶粒尺寸; Keywords X-ray diffraction hydrogenated amorphous silicon （a-Si： h ） thin film hydrogenated microcrystalline silicon （ μc-si ： h） thin film crystalline size; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究被引量：7: 7; 作者刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期365-369,共5页; 基金国家"973"子课题(No.2006CB202601); 文摘本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。; 关键词氢化微晶硅薄膜晶化率平均晶粒尺寸光学带隙 Kronig—Penney模型; Keywords μc-si h films, Crystalline volume fraction, Average grain size, Optical energy gap, Kronig--Penneymodel; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6: 8; 作者汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页; 基金河南省科技攻关项目(No.0424210016); 文摘采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。; 关键词 p型氢化微晶硅薄膜掺硼比晶化率电导率; Keywords p-type μc-si h films diborane doping ratio crystalline fraction volume conductivity; 分类号 O484 [理学—固体物理] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Nc-Si∶H薄膜器件的研究: 9; 作者韦文生徐刚毅王天民张春熹; 机构北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心中国科学院上海信息技术研究所北京航空航天大学光电技术研究所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第1期76-79,共4页; 基金 863-***项目高校博士点基金(200220006037) 北京航空航天大学博士生基础性研究基金; 文摘介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点。; 关键词 Nc-si:h薄膜氢化纳米硅薄膜电子学器件光电转换器件化学稳定性; Keywords nc-si:h film tunneling diode heterojunction diode varied capacitance diode solar cell single electronic transistor light emitting diode; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜	杨恢东吴春亚黄君凯麦耀华张晓丹薛俊明任慧志赵颖耿新华熊绍珍	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响	张丽平张建军张鑫孙建赵颖	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题	杨恢东吴春亚赵颖麦耀华张晓丹薛俊明任慧志耿新华熊绍珍	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展	韦文生王天民王聪	《材料导报》 EI CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究	张晓丹朱锋赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	14	在线阅读下载PDF 职称材料
6	RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究	蔡宏琨张德贤何青赵飞陶科席强孙云	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究	刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	7	在线阅读下载PDF 职称材料
8	硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响	汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
9	Nc-Si∶H薄膜器件的研究	韦文生徐刚毅王天民张春熹	《材料导报》 EI CAS CSCD	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料