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氟离子场效应晶体管的研究
1
作者
方培生
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1989年第2期31-34,共4页
本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待...
本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。
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关键词
氟离子场效应晶体管
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职称材料
题名
氟离子场效应晶体管的研究
1
作者
方培生
机构
温州师范学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1989年第2期31-34,共4页
文摘
本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。
关键词
氟离子场效应晶体管
Keywords
fluorine ion field effect transistors
分类号
TP212-55 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氟离子场效应晶体管的研究
方培生
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1989
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