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氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究被引量：2: 1; 作者刘雄飞周昕《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期531-534,共4页; 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜。用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱仪对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中氮气含量的增加,光学带隙先减小后升高,折射率变化情况... 展开更多; 关键词氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学带隙; 在线阅读下载PDF 职称材料

低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展被引量：1: 2; 作者闫继红宁兆元《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期20-22,35,共4页; 目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)... 展开更多; 关键词氟化非晶碳薄膜研究进展低介电常数材料微电子器件特征尺寸材料结构器件性能二氧化硅研究课题应用价值介质层连线金属电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究被引量：3: 3; 作者张云芳《绝缘材料》 CAS 2006年第4期48-50,55,共4页; 以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,采用PECVD技术,在不同源气体流量比下制备了α-C:F:N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理,并对退火前后的薄膜进行了拉曼结构分析。拉曼分析表明:α-C:F:N薄膜是由sp2和sp3混合结构组成的非晶碳薄膜... 展开更多; 关键词等离子体增强化学气相沉积氮掺杂氟化非晶碳薄膜拉曼光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频功率对氟化非晶碳薄膜微观性能的影响: 4; 作者刘雄飞高金定 +2 位作者肖剑荣张云芳周昕《绝缘材料》 CAS 北大核心 2004年第4期38-40,共3页; 以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧。FITR光谱分... 展开更多; 关键词射频功率氟化非晶碳薄膜微观性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析被引量：2: 5; 作者叶超宁兆元 +2 位作者程珊华辛煜许圣华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期338-340,共3页; 　研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a C∶F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质。发现a C∶F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中CC相对含量的增大是导... 展开更多; 关键词氟化非晶碳(α-C:F)薄膜介电色散键结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究被引量：4: 6; 作者刘雄飞肖剑荣 +1 位作者李幼真张云芳《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期48-50,共3页; 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响;研究了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用,并... 展开更多; 关键词氟化非晶碳薄膜热稳定性物理性质介电常数化学气相沉积 CVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的研究被引量：3: 7; 作者谷建东李东明 +2 位作者冯志庆牛金海刘东平《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-67,共7页; 本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研... 展开更多; 关键词氟化非晶碳薄膜沉积机理原子力显微镜发射光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

氟化非晶碳膜的微结构分析被引量：1: 8; 作者蒋爱华肖剑荣《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期38-41,共4页; 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温... 展开更多; 关键词氟化非晶碳薄膜 PECVD 微结构沉积温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

源气体流量比对a-C:F:N薄膜的影响: 9; 作者张云芳《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期611-613,共3页; 以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体，利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳（a_C：F：N）薄膜，研究了源气体流量比对a_C：F：N薄膜沉积速率和结构的影响。用椭圆偏振光谱测试仪测量了薄膜厚度，结合沉积时间计算了薄膜的沉积速... 展开更多; 关键词流量比氮掺杂氟化非晶碳薄膜拉曼光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究被引量：2: 1; 作者刘雄飞周昕; 机构中南大学物理科学与技术学院; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期531-534,共4页; 文摘用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜。用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱仪对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中氮气含量的增加,光学带隙先减小后升高,折射率变化情况与之相反。在其它条件相同的情况下,升高沉积温度使得薄膜的光学带隙和折射率降低。光学带隙的大小与sp2键含量密切相关,sp2键浓度越大,薄膜的光学带隙越小。; 关键词氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学带隙; Keywords nitrogen doping a-C：F thin films optical band gap; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展被引量：1: 2; 作者闫继红宁兆元; 机构合肥学院数学与物理系苏州大学物理学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期20-22,35,共4页; 文摘目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题。着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展。; 关键词氟化非晶碳薄膜研究进展低介电常数材料微电子器件特征尺寸材料结构器件性能二氧化硅研究课题应用价值介质层连线金属电阻; Keywords low-K material fluorinated amorphous carbon film micro-electronic device resistance capacitance; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究被引量：3: 3; 作者张云芳; 机构江苏科技大学数理学院; 出处《绝缘材料》 CAS 2006年第4期48-50,55,共4页; 文摘以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,采用PECVD技术,在不同源气体流量比下制备了α-C:F:N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理,并对退火前后的薄膜进行了拉曼结构分析。拉曼分析表明:α-C:F:N薄膜是由sp2和sp3混合结构组成的非晶碳薄膜;随源气体流量比的增大,α-C:F:N薄膜中sp2键的含量增加,交联结构加强,薄膜的热稳定性得到提高;对低流量比下沉积的薄膜,退火处理可以提高其热稳定性。; 关键词等离子体增强化学气相沉积氮掺杂氟化非晶碳薄膜拉曼光谱; Keywords PECVD α-C ： F ： N films Raman spectrum; 分类号 TM212 [一般工业技术—材料科学与工程] TQ127.12 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名射频功率对氟化非晶碳薄膜微观性能的影响: 4; 作者刘雄飞高金定肖剑荣张云芳周昕; 机构中南大学物理科学与技术学院; 出处《绝缘材料》 CAS 北大核心 2004年第4期38-40,共3页; 文摘以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧。FITR光谱分析表明:薄膜中主要含有CFx和C＝C键,较低功率下沉积的薄膜中主要含有CF2和CF3,较高功率下沉积的薄膜中主要含CF和CF2。Raman光谱分析发现在较高沉积功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构。; 关键词射频功率氟化非晶碳薄膜微观性能; Keywords RF-power a-C:F films micro-capabilities; 分类号 TM215.3 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析被引量：2: 5; 作者叶超宁兆元程珊华辛煜许圣华; 机构苏州大学物理科学与技术学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期338-340,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(10175048) 江苏省高校省级重点实验室开放课题资助项目(KJS01012); 文摘　研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a C∶F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质。发现a C∶F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中CC相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C—F相对含量的增大则使低频介电色散减弱。; 关键词氟化非晶碳(α-C:F)薄膜介电色散键结构; Keywords Carbon Dielectric properties Electron cyclotron resonance Fluorine Permittivity Plasma enhanced chemical vapor deposition; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究被引量：4: 6; 作者刘雄飞肖剑荣李幼真张云芳; 机构中南大学物理科学与技术学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期48-50,共3页; 文摘氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响;研究了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与制备工艺参数的关联作了详细的论述;指出介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该膜实用化的主要原因。; 关键词氟化非晶碳薄膜热稳定性物理性质介电常数化学气相沉积 CVD; Keywords a-C : F thin films,dielectric constant,optical band gap,thermal stablity,chemical vapor deposition; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的研究被引量：3: 7; 作者谷建东李东明冯志庆牛金海刘东平; 机构大连民族学院光电子技术研究所大连交通大学机械工程学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-67,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.10405005); 文摘本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响。在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小。而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高。增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小。本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究。结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少。结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨。; 关键词氟化非晶碳薄膜沉积机理原子力显微镜发射光谱; Keywords a-C ： F films, Deposition mechanism, Atomic force microscopy, Emission spectroscopy; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O461.24 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氟化非晶碳膜的微结构分析被引量：1: 8; 作者蒋爱华肖剑荣; 机构桂林工学院数理系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期38-41,共4页; 基金广西教育厅科研项目(No.200807MS044) 桂林工学院博士启动项目(No.002401003252); 文摘利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温度控制密切相关,温度升高,膜内键合结构变化,sp2相对含量增加。; 关键词氟化非晶碳薄膜 PECVD 微结构沉积温度; Keywords a-C ： F films, PECVD, Micmstructure, Deposition temperature; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名源气体流量比对a-C:F:N薄膜的影响: 9; 作者张云芳; 机构江苏科技大学数理学院; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期611-613,共3页; 文摘以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体，利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳（a_C：F：N）薄膜，研究了源气体流量比对a_C：F：N薄膜沉积速率和结构的影响。用椭圆偏振光谱测试仪测量了薄膜厚度，结合沉积时间计算了薄膜的沉积速率（在18～21nm／min之间），随流量比增大，薄膜的沉积速率先升高后降低。FTIR光谱分析表明，随流量比增大，薄膜中含F量降低，交联结构增强。Raman光谱分析发现，薄膜中的碳原子由sp^2和sp^3两种组态的混合结构组成，并进一步证明，随流量比增大，薄膜中sp^2键含量增加，交联程度增强。; 关键词流量比氮掺杂氟化非晶碳薄膜拉曼光谱; Keywords flow ratio a_ C：F：N films Raman spectrum; 分类号 TB43 [一般工业技术] O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究	刘雄飞周昕	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展	闫继红宁兆元	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究	张云芳	《绝缘材料》 CAS	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	射频功率对氟化非晶碳薄膜微观性能的影响	刘雄飞高金定肖剑荣张云芳周昕	《绝缘材料》 CAS 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析	叶超宁兆元程珊华辛煜许圣华	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究	刘雄飞肖剑荣李幼真张云芳	《材料导报》 EI CAS CSCD	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的研究	谷建东李东明冯志庆牛金海刘东平	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	氟化非晶碳膜的微结构分析	蒋爱华肖剑荣	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	源气体流量比对a-C:F:N薄膜的影响	张云芳	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料