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用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究
被引量：
4
1
作者
丁士进
王鹏飞
+2 位作者
张卫
王季陶
李伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期26-30,共5页
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。
关键词
氟化非晶碳膜
ULSI
集成电路
化学汽相淀积
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职称材料
掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
2
作者
刘雄飞
徐根
李伯勋
《郑州大学学报（工学版）》
CAS
北大核心
2010年第1期52-55,共4页
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了...
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氮流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氮氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.
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关键词
掺氮
氟化非晶碳膜
表面结构
F-N曲线
重复性
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职称材料
题名
用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究
被引量：
4
1
作者
丁士进
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系CVD室
台湾半导体制造公司(TSMC)
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期26-30,共5页
基金
国家自然科学基金!(69776026)
高等学校骨干教师资助计划资助
文摘
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。
关键词
氟化非晶碳膜
ULSI
集成电路
化学汽相淀积
Keywords
a-C:F films
low dielectric constant
chemical vapor deposition
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
2
作者
刘雄飞
徐根
李伯勋
机构
中南大学物理科学与技术学院
出处
《郑州大学学报（工学版）》
CAS
北大核心
2010年第1期52-55,共4页
文摘
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氮流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氮氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.
关键词
掺氮
氟化非晶碳膜
表面结构
F-N曲线
重复性
Keywords
nitrogen doped fluorinated carbon film
surface structure
F-N curve
repeatability
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究
丁士进
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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职称材料
2
掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
刘雄飞
徐根
李伯勋
《郑州大学学报（工学版）》
CAS
北大核心
2010
0
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职称材料
已选择
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