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氚靶片核素组成对氘氚中子源强的影响
被引量：
2
1
作者
张思纬
王永峰
+5 位作者
王伟
季翔
王志刚
刘超
吴宜灿
FDS凤麟团队
《核科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期389-395,共7页
氘氚中子源通过氘离子束轰击氚靶片引发氘氚聚变反应,产生 14.1 MeV 高能中子。高能中子调控后亦可产生宽能谱中子场,是先进核能及核技术交叉应用研究的重要实验平台。作为中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和储氚薄膜组成,其中储氚薄...
氘氚中子源通过氘离子束轰击氚靶片引发氘氚聚变反应,产生 14.1 MeV 高能中子。高能中子调控后亦可产生宽能谱中子场,是先进核能及核技术交叉应用研究的重要实验平台。作为中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和储氚薄膜组成,其中储氚薄膜的核素组成会影响氚原子密度与入射氘离子射程,最终直接关系到中子源强的高低。本文基于 MATLAB 和 SRIM 软件建立氘氚中子源强计算模型,对比计算了不同新型储氢金属材料组成的储氚薄膜(TiT2、MgT2、Mg2NiT4、VT2、LiBT4和 LaNi5T6)和不同氘离子能量对中子源强的影响。计算结果表明,在同等束流条件下,MgT2的中子源强相比 TiT2可提高 30%以上,且制备工艺较为成熟,是氘氚中子源的优秀储氚薄膜材料。
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关键词
氘氚中子源
氚
靶片
中子源
强
新型储氢金属材料
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职称材料
强流氘氚中子源用TiD_(2)靶膜制备技术研究
被引量：
2
2
作者
梁斌斌
巴伟伟
+3 位作者
王子默
彭怡刚
高翔
刘超
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第S01期265-271,共7页
基片镀膜是氘/氚靶制备过程的重要工序,靶膜的性能直接影响充氘及中子实验。本文对去除表面污渍和氧化层后的基片采用磁控溅射进行镀膜,研制性能优良的强流氘氚中子源用靶膜。采用扫描电镜观察膜层表面外观形貌,根据称重法用电子天秤测...
基片镀膜是氘/氚靶制备过程的重要工序,靶膜的性能直接影响充氘及中子实验。本文对去除表面污渍和氧化层后的基片采用磁控溅射进行镀膜,研制性能优良的强流氘氚中子源用靶膜。采用扫描电镜观察膜层表面外观形貌,根据称重法用电子天秤测量理论膜厚,使用划痕仪分析膜层结合力,并通过电子探针分析膜层的杂质元素含量来表征靶膜的性能。结果表明,磁控溅射镀膜后膜层颗粒度细小、分布均匀,同时膜层表面杂质小于6.0%。镀膜后基片的活化充氘实验表明,氘/钛(原子比)最高可达1.98,满足中子产额实验要求,可进行后续中子实验。
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关键词
氘
/
氚
中子源
靶膜
TiD_(2)
磁控溅射镀膜
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职称材料
基于D-T中子源的板状铌样品的评价数据基准检验实验
3
作者
赵齐
聂阳波
+4 位作者
丁琰琰
任杰
阮锡超
胡志杰
徐阔之
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期849-859,共11页
利用中国原子能科学研究院核数据国家重点实验室的脉冲化氘氚聚变中子源产生的14.5 MeV单能中子,通过飞行时间法,测量了5、10、15 cm厚度板状铌(Nb)样品在与60°和120°两个方向上的泄漏中子飞行时间谱。利用蒙特卡罗模拟软件MC...
利用中国原子能科学研究院核数据国家重点实验室的脉冲化氘氚聚变中子源产生的14.5 MeV单能中子,通过飞行时间法,测量了5、10、15 cm厚度板状铌(Nb)样品在与60°和120°两个方向上的泄漏中子飞行时间谱。利用蒙特卡罗模拟软件MCNP-4C进行了泄漏中子飞行时间谱的模拟计算,分别获得了CENDL-3.1、ENDF/B-Ⅷ.0和JENDL-4.03个数据库中Nb评价数据的模拟结果。通过各数据库不同能区的模拟结果与实验结果的比值(C/E),对3个数据库中^(93)Nb与14.5 MeV中子作用的角分布和双微分截面等相关评价数据进行了检验,重点分析了CENDL-3.1库的数据。结果表明,CENDL-3.1数据库的模拟结果在弹性散射能区、非弹性散射能区以及(n,2n)反应能区与实验结果均存在一定的偏差。而JENDL-4.0数据库除在120°弹性散射能区有高估现象,其他能区的模拟结果与实验结果均符合较好。ENDF/B-Ⅷ.0数据库的模拟结果除在60°方向弹性散射峰偏低外,其他能量范围的模拟结果均高于实验。
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关键词
氘氚中子源
飞行时间法
NB
MCNP-4C
CENDL-3.1
C/E
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职称材料
题名
氚靶片核素组成对氘氚中子源强的影响
被引量：
2
1
作者
张思纬
王永峰
王伟
季翔
王志刚
刘超
吴宜灿
FDS凤麟团队
机构
中国科学院核能安全技术研究所中子输运理论与辐射安全重点实验室
中国科学技术大学
出处
《核科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期389-395,共7页
基金
中国科学院战略性先导科技专项(NO.XDA14020503)
国家自然科学基金(NO.21773250)
文摘
氘氚中子源通过氘离子束轰击氚靶片引发氘氚聚变反应,产生 14.1 MeV 高能中子。高能中子调控后亦可产生宽能谱中子场,是先进核能及核技术交叉应用研究的重要实验平台。作为中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和储氚薄膜组成,其中储氚薄膜的核素组成会影响氚原子密度与入射氘离子射程,最终直接关系到中子源强的高低。本文基于 MATLAB 和 SRIM 软件建立氘氚中子源强计算模型,对比计算了不同新型储氢金属材料组成的储氚薄膜(TiT2、MgT2、Mg2NiT4、VT2、LiBT4和 LaNi5T6)和不同氘离子能量对中子源强的影响。计算结果表明,在同等束流条件下,MgT2的中子源强相比 TiT2可提高 30%以上,且制备工艺较为成熟,是氘氚中子源的优秀储氚薄膜材料。
关键词
氘氚中子源
氚
靶片
中子源
强
新型储氢金属材料
Keywords
D-T neutron source
Tritium target
Neutron intensity
New hydrogen storage metal
分类号
O571.53 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
强流氘氚中子源用TiD_(2)靶膜制备技术研究
被引量：
2
2
作者
梁斌斌
巴伟伟
王子默
彭怡刚
高翔
刘超
机构
原子高科股份有限公司
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第S01期265-271,共7页
基金
中核集团“青年英才”项目
文摘
基片镀膜是氘/氚靶制备过程的重要工序,靶膜的性能直接影响充氘及中子实验。本文对去除表面污渍和氧化层后的基片采用磁控溅射进行镀膜,研制性能优良的强流氘氚中子源用靶膜。采用扫描电镜观察膜层表面外观形貌,根据称重法用电子天秤测量理论膜厚,使用划痕仪分析膜层结合力,并通过电子探针分析膜层的杂质元素含量来表征靶膜的性能。结果表明,磁控溅射镀膜后膜层颗粒度细小、分布均匀,同时膜层表面杂质小于6.0%。镀膜后基片的活化充氘实验表明,氘/钛(原子比)最高可达1.98,满足中子产额实验要求,可进行后续中子实验。
关键词
氘
/
氚
中子源
靶膜
TiD_(2)
磁控溅射镀膜
Keywords
deuterium and tritium neutron source
target film
TiD_(2)
magnetron sputtering coating film
分类号
O571.53 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
基于D-T中子源的板状铌样品的评价数据基准检验实验
3
作者
赵齐
聂阳波
丁琰琰
任杰
阮锡超
胡志杰
徐阔之
机构
中国原子能科学研究院核数据重点实验室
兰州大学核科技与技术学院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期849-859,共11页
基金
国家自然科学基金(11505297,11775311)。
文摘
利用中国原子能科学研究院核数据国家重点实验室的脉冲化氘氚聚变中子源产生的14.5 MeV单能中子,通过飞行时间法,测量了5、10、15 cm厚度板状铌(Nb)样品在与60°和120°两个方向上的泄漏中子飞行时间谱。利用蒙特卡罗模拟软件MCNP-4C进行了泄漏中子飞行时间谱的模拟计算,分别获得了CENDL-3.1、ENDF/B-Ⅷ.0和JENDL-4.03个数据库中Nb评价数据的模拟结果。通过各数据库不同能区的模拟结果与实验结果的比值(C/E),对3个数据库中^(93)Nb与14.5 MeV中子作用的角分布和双微分截面等相关评价数据进行了检验,重点分析了CENDL-3.1库的数据。结果表明,CENDL-3.1数据库的模拟结果在弹性散射能区、非弹性散射能区以及(n,2n)反应能区与实验结果均存在一定的偏差。而JENDL-4.0数据库除在120°弹性散射能区有高估现象,其他能区的模拟结果与实验结果均符合较好。ENDF/B-Ⅷ.0数据库的模拟结果除在60°方向弹性散射峰偏低外,其他能量范围的模拟结果均高于实验。
关键词
氘氚中子源
飞行时间法
NB
MCNP-4C
CENDL-3.1
C/E
Keywords
D-T neutron source
time-of-flight method
Nb
MCNP-4C
CENDL-3.1
C/E
分类号
O571.1 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氚靶片核素组成对氘氚中子源强的影响
张思纬
王永峰
王伟
季翔
王志刚
刘超
吴宜灿
FDS凤麟团队
《核科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
强流氘氚中子源用TiD_(2)靶膜制备技术研究
梁斌斌
巴伟伟
王子默
彭怡刚
高翔
刘超
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于D-T中子源的板状铌样品的评价数据基准检验实验
赵齐
聂阳波
丁琰琰
任杰
阮锡超
胡志杰
徐阔之
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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