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基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
1
作者
刘妍
彭艳
+2 位作者
郭经纬
徐朝鹏
喇东升
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第23期3930-3938,共9页
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构...
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。
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关键词
纳米线
半导体
Ⅲ
-
Ⅴ族
气-液-固模式
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职称材料
非晶SiO_2纳米灯笼的制备和表征
被引量：
1
2
作者
邹兴权
吴萍
+1 位作者
李强
肖潭
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期322-326,共5页
在1000℃用活性炭把二氧化锡粉末还原成单质锡,锡作为催化剂,硅片作为硅源同时作为收集衬底,在硅片上制备出了非晶SiO2纳米灯笼.灯笼的一端连在硅片上,另一端为一个锡球,中间是一些圆弧状的SiO2纳米线把两端相连.纳米灯笼具有良好的对称...
在1000℃用活性炭把二氧化锡粉末还原成单质锡,锡作为催化剂,硅片作为硅源同时作为收集衬底,在硅片上制备出了非晶SiO2纳米灯笼.灯笼的一端连在硅片上,另一端为一个锡球,中间是一些圆弧状的SiO2纳米线把两端相连.纳米灯笼具有良好的对称性.利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)和HRTEM自带的能谱分析仪(EDS)对样品的表面形貌、微观结构和成分进行了分析研究.结果表明,灯笼中SiO2纳米线为非晶态,结点是晶态锡,结点表面覆盖一层非晶态的硅的氧化物.结合实验条件对纳米灯笼的生长机理进行了讨论,提出了纳米灯笼生长的一个模型.
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关键词
纳米灯笼
氧化硅纳米线
气
-
液
-
固
生长
模式
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职称材料
题名
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
1
作者
刘妍
彭艳
郭经纬
徐朝鹏
喇东升
机构
燕山大学国家冷轧板带装备及工艺工程技术研究中心
燕山大学信息科学与工程学院
燕山大学河北省信息传输与信号处理重点实验室
东北大学秦皇岛分校计算机与通信工程学院
东南大学毫米波国家重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第23期3930-3938,共9页
基金
国家自然科学基金(51375424
61501100)
+1 种基金
河北省自然科学基金(F2019203012)
东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K201705)~~
文摘
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。
关键词
纳米线
半导体
Ⅲ
-
Ⅴ族
气-液-固模式
Keywords
nanowire
semiconductor
Ⅲ
-
Ⅴ
vapor
-
liquid
-
solid mode
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
非晶SiO_2纳米灯笼的制备和表征
被引量：
1
2
作者
邹兴权
吴萍
李强
肖潭
机构
汕头大学物理系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期322-326,共5页
基金
国家自然科学基金(10572079)
汕头大学研究与发展基金(130-934062)资助项目
文摘
在1000℃用活性炭把二氧化锡粉末还原成单质锡,锡作为催化剂,硅片作为硅源同时作为收集衬底,在硅片上制备出了非晶SiO2纳米灯笼.灯笼的一端连在硅片上,另一端为一个锡球,中间是一些圆弧状的SiO2纳米线把两端相连.纳米灯笼具有良好的对称性.利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)和HRTEM自带的能谱分析仪(EDS)对样品的表面形貌、微观结构和成分进行了分析研究.结果表明,灯笼中SiO2纳米线为非晶态,结点是晶态锡,结点表面覆盖一层非晶态的硅的氧化物.结合实验条件对纳米灯笼的生长机理进行了讨论,提出了纳米灯笼生长的一个模型.
关键词
纳米灯笼
氧化硅纳米线
气
-
液
-
固
生长
模式
Keywords
Nano
-
lantern
Silicon oxide nanowire
Vapor
-
liquid
-
solid （VLS） growth mechanism
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述
刘妍
彭艳
郭经纬
徐朝鹏
喇东升
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
非晶SiO_2纳米灯笼的制备和表征
邹兴权
吴萍
李强
肖潭
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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