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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
1
作者
周玉刚
李卫平
+7 位作者
沈波
陈鹏
陈志忠
臧岚
张荣
顾书林
施毅
郑有翀
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对...
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。
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关键词
ALGAN
GAN
金属有机化学
气
相
淀积
气相寄生反应
光加热
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职称材料
题名
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
1
作者
周玉刚
李卫平
沈波
陈鹏
陈志忠
臧岚
张荣
顾书林
施毅
郑有翀
机构
南京大学物理系
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第8期34-36,共3页
基金
863计划
国家自然科学基金资助项目
文摘
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。
关键词
ALGAN
GAN
金属有机化学
气
相
淀积
气相寄生反应
光加热
Keywords
GaN, AlGaN, Gas phase parasitic reaction, Light radiation heating, MOCVD
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
周玉刚
李卫平
沈波
陈鹏
陈志忠
臧岚
张荣
顾书林
施毅
郑有翀
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000
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