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题名金刚石线锯切割多晶硅片的气相刻蚀制绒研究（英文）
被引量：2
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作者
刘小梅
陈文浩
李妙
周浪
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机构
南昌大学太阳能光伏学院
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期149-154,共6页
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基金
The Photovoltaic Major Science and Technology Planned Subject in Jiangxi Province(No.2009AZD10301)
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文摘
采用气相刻蚀制绒法研究金刚石线锯切割多晶硅片制绒.加热体积比1:3、总体积400mL的HF-HNO3酸混合溶液到90℃,使酸混合溶液受热产生气相,利用气相对金刚石线锯切割多晶硅片表面进行制绒.结果表明,制绒15min之后,硅片表面的切割纹被完全去除;小腐蚀坑密布硅片表面,尺寸小于1μm,而传统湿法酸制绒所形成的腐蚀坑尺寸大于10μm.气相刻蚀后的金刚石线锯切割多晶硅片表面的微观粗糙度比传统酸混液制绒后的金刚石线锯切割多晶硅片表面的微观粗糙度高3倍多.气相制绒效果明显,并仅有12.11%的低反射率.
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关键词
多晶硅
气相刻蚀
金刚石线锯切割
切割纹
反射率
制绒
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Keywords
Multi-crystalline silicon
Vapor etching
Diamond wire saw
Saw marks
Reflectivity
Texturization
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究
被引量：3
- 2
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作者
张伟
刘泽文
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机构
清华大学微电子学研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1166-1169,共4页
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基金
国家自然科学基金(60576048)
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文摘
针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化。研究结果表明,在常温常压下,HF/乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7.6 nm/s,而HF/水混合气体气相刻蚀速率约为11.5 nm/s。在衬底温度分别为35,40和50℃时,HF/水混合气体的气相刻蚀速率分别为10.25,7.95和5.18 nm/s。利用HF气相腐蚀进行SiO2牺牲层释放,得到了悬浮的纳米梁结构,梁与衬底的间距为400 nm。
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关键词
氢氟酸
气相刻蚀
二氧化硅
纳米结构
微/纳机电系统
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Keywords
HF
vapor-phase etching
SiO2
nano structure
MEMS/NEMS
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名金刚石表面刻蚀技术研究进展
被引量：11
- 3
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作者
窦志强
肖长江
栗正新
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机构
河南工业大学材料科学与工程学院
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期90-95,共6页
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基金
河南省教育厅自然科学基金资助项目(15A430022)~~
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文摘
金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻蚀、气固相混合刻蚀、等离子刻蚀这五类。熔盐刻蚀是利用熔融离子化合物对金刚石表面进行刻蚀,其刻蚀机理主要是金刚石碳原子的氧化过程。气相刻蚀是利用氧气等气体与金刚石表面发生气固相反应,使金刚石中的碳原子变为一氧化碳等气态化合物进行刻蚀。气固相混合刻蚀主要是以镍、铂等金属作为催化剂,辅助氢气与金刚石发生反应生成甲烷,对金刚石进行刻蚀。固相刻蚀是金刚石合成的逆过程,主要用铁钴镍及其盐对金刚石进行催化石墨化,之后这些金属作为溶剂形成碳固溶体对金刚石进行刻蚀。等离子体刻蚀主要是用氧等离子体与金刚石发生反应,对金刚石进行刻蚀。文章着重介绍了这五种金刚石表面刻蚀技术近年来的研究进展,简要分析了这些技术的原理、特点与用途。
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关键词
金刚石
表面刻蚀
等离子刻蚀
熔盐刻蚀
气相刻蚀
固相刻蚀
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Keywords
diamond
surface etching
plasma etching
molten salt etching
gas phase etching
solid phase etching
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分类号
TQ163
[化学工程—高温制品工业]
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题名等离子体刻蚀辅助绝缘衬底上生长石墨烯研究
- 4
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作者
陈鑫耀
田博
彭东青
蔡伟伟
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机构
集美大学理学院
厦门大学物理科学与技术学院
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出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期100-103,共4页
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基金
福建省自然科学基金(2018J01416)
福建省中青年教师教育科研项目(JAT170331)。
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文摘
石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注。但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引入杂质和缺陷,因此,直接在氧化硅上生长高质量的石墨烯成了一项迫切的需求。基于传统的热壁化学气相沉积(CVD)系统,设计了一种新的绝缘衬底生长系统,通过附加微波等离子体单元来提供额外的蚀刻和辅助效果,成为微波等离子体蚀刻和辅助CVD(MPEE-CVD)。利用此系统,成功地实现了在氧化硅和其他绝缘衬底上直接生成可控尺寸的石墨烯薄膜,并通过拉曼光谱和扫描电子显微镜表征了晶体质量。该项工作为进一步改善基于石墨烯的场效应晶体管纳米器件的性能开辟了新的道路。同时,它为在绝缘衬底上直接生长其他二维材料提供了可能的指引。
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关键词
石墨烯
等离子体刻蚀辅助化学气相沉积
绝缘衬底
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Keywords
graphene
plasma etching and enhanced CVD
insulated substrate
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分类号
TQ127.11
[化学工程—无机化工]
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