检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜被引量：3: 1; 作者秦秀娟王晓娟 +2 位作者张丽茜王丽欣柳林杰《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期158-164,共7页; 采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACV... 展开更多; 关键词气溶胶辅助化学气相沉积法掺杂 AZO薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜: 2; 作者王耀华贺琦 +1 位作者李成明吕反修《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期65-67,75,共4页; 以乙酰丙酮铝为前驱体,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积(ESAVD)方法,在Si(100)衬底上制备了Al2O3薄膜,并采用场发射扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和自动划痕仪等设备对制备的薄膜进行了表征。结果表明:采用ES... 展开更多; 关键词静电辅助气溶胶化学气相沉积氧化铝薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响被引量：1: 3; 作者秦秀娟邵光杰赵琳《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第4期723-728,共6页; 低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的Al掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄... 展开更多; 关键词气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD) AZO薄膜温度极性半导体结晶质量; 在线阅读下载PDF 职称材料

AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究被引量：1: 4; 作者林威豪马晔城 +2 位作者陈胜男汪建勋韩高荣《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期234-239,共6页; 以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了... 展开更多; 关键词气溶胶辅助化学气相沉积 FTO薄膜低辐射性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析: 5; 作者吴宝棋张琴 +2 位作者刘起英史国华赵洪力《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第9期3379-3386,共8页; 本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FT... 展开更多; 关键词镍掺杂 FTO薄膜气溶胶辅助化学气相沉积电学性质第一性原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜被引量：3: 1; 作者秦秀娟王晓娟张丽茜王丽欣柳林杰; 机构燕山大学环境与化学工程学院燕山大学河北省应用化学重点实验室; 出处《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期158-164,共7页; 基金河北省高等学校科学技术研究项目(ZD20131010); 文摘采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACVD法可以获得具有明显(002)择优取向AZO薄膜,并且在15 m L乙醇和20 m L甲醇时具有最佳的结晶性能,同时具有最优的光电学性能。不同乙醇和甲醇比例下薄膜的形貌不同。; 关键词气溶胶辅助化学气相沉积法掺杂 AZO薄膜; Keywords aerosol-assisted chemical vapor deposition method dope AZO thin films; 分类号 O649.1 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜: 2; 作者王耀华贺琦李成明吕反修; 机构北京科技大学材料科学与工程学院; 出处《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期65-67,75,共4页; 文摘以乙酰丙酮铝为前驱体,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积(ESAVD)方法,在Si(100)衬底上制备了Al2O3薄膜,并采用场发射扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和自动划痕仪等设备对制备的薄膜进行了表征。结果表明:采用ESAVD法制备的Al2O3薄膜平整致密而且晶粒细小,薄膜与基体之间及薄膜内部都未出现开裂现象;薄膜与基体的结合力约为5.56 N;沉积得到的薄膜为化学计量比为2∶3的氧化物薄膜;退火前的薄膜为非晶态,在1 200℃退火保温2 h后薄膜转变为-αAl2O3。; 关键词静电辅助气溶胶化学气相沉积氧化铝薄膜; Keywords electrostatic spray assisted vapor deposition （ESAVD） aluminum oxide thin film; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响被引量：1: 3; 作者秦秀娟邵光杰赵琳; 机构燕山大学燕山大学; 出处《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第4期723-728,共6页; 基金河北省自然科学基金(No.B2012203070) 河北省教育厅科学研究计划河北省高等学校自然科学研究重点项目(No.ZH2011228)资助项目; 文摘低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的Al掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响。利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征。结果表明:在AACVD法生长AZO薄膜的过程中,衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化。明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向生长变化出现在约450℃。讨论了温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制。400℃时沉积的AZO薄膜方阻190Ω/□,平均透过率为80%。; 关键词气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD) AZO薄膜温度极性半导体结晶质量; Keywords aerosol-assisted chemical vapour deposition （AACVD） AZO film temperature polar semiconductor crystalline quality; 分类号 O614 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究被引量：1: 4; 作者林威豪马晔城陈胜男汪建勋韩高荣; 机构浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室; 出处《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期234-239,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0303900); 文摘以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了镀膜时间对FTO薄膜微观结构和光电性能的影响规律。结果表明,薄膜物相为(200)晶面择优生长的金红石相Sn O2;随镀膜时间增加,薄膜表面颗粒粗化,厚度近似呈线性增加;镀膜时间每延长2 min,可见光区主波长(550 nm)透过率下降约10%,中远红外光区平均反射率先增大后减小,电阻率先减小后增大。在本文实验条件下,薄膜厚度可从约250 nm增加至约2 200 nm,电阻率在2.89×10-4~6.69×10-4Ω·cm之间,依据中远红外反射光谱计算半球辐射率在0.21~0.40之间,为进一步的性能优化提供了实验基础。; 关键词气溶胶辅助化学气相沉积 FTO薄膜低辐射性能; Keywords aerosol-assisted chemical vapor deposition FTO thin films low-emission; 分类号 TQ172.1 [化学工程—水泥工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析: 5; 作者吴宝棋张琴刘起英史国华赵洪力; 机构燕山大学材料科学与工程学院亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室威海中玻新材料技术研发有限公司; 出处《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第9期3379-3386,共8页; 基金国家自然科学基金(52172105) 泰山产业领军人才工程。; 文摘本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数Φ_(TC)达到3×10^(-2)Ω^(-1),电阻率ρ为3.79×10^(-4)Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×10^(20)cm^(-3),迁移率μ为13.31 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。; 关键词镍掺杂 FTO薄膜气溶胶辅助化学气相沉积电学性质第一性原理; Keywords Ni-doping FTO thin film AACVD electrical property first principle; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜	秦秀娟王晓娟张丽茜王丽欣柳林杰	《燕山大学学报》 CAS 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜	王耀华贺琦李成明吕反修	《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响	秦秀娟邵光杰赵琳	《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究	林威豪马晔城陈胜男汪建勋韩高荣	《燕山大学学报》 CAS 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析	吴宝棋张琴刘起英史国华赵洪力	《硅酸盐通报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料