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气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO_2/Si薄膜的结晶取向的影响 被引量:3
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作者 李美亚 王忠烈 +3 位作者 范守善 赵清太 熊光成 林揆训 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期159-161,共3页
用脉冲激光镀膜法 ,在不同的温度和氧压条件下 ,在Si(10 0 )片上制备了一系列的CeO2 膜。X射线衍射分析表明 ,在较低的氧压下生长的CeO2 膜为 (111)取向 ,在较高的氧压下生长的膜则为 (10 0 )取向。研究表明 ,CeO2 膜的取向对氧压显示... 用脉冲激光镀膜法 ,在不同的温度和氧压条件下 ,在Si(10 0 )片上制备了一系列的CeO2 膜。X射线衍射分析表明 ,在较低的氧压下生长的CeO2 膜为 (111)取向 ,在较高的氧压下生长的膜则为 (10 0 )取向。研究表明 ,CeO2 膜的取向对氧压显示了独特的依赖性 ,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对CeO2 薄膜结晶取向影响的可能机理。 展开更多
关键词 CeO2薄膜 结晶取向 脉冲激光沉积 气氛氧压
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