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气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO_2/Si薄膜的结晶取向的影响
被引量:
3
1
作者
李美亚
王忠烈
+3 位作者
范守善
赵清太
熊光成
林揆训
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期159-161,共3页
用脉冲激光镀膜法 ,在不同的温度和氧压条件下 ,在Si(10 0 )片上制备了一系列的CeO2 膜。X射线衍射分析表明 ,在较低的氧压下生长的CeO2 膜为 (111)取向 ,在较高的氧压下生长的膜则为 (10 0 )取向。研究表明 ,CeO2 膜的取向对氧压显示...
用脉冲激光镀膜法 ,在不同的温度和氧压条件下 ,在Si(10 0 )片上制备了一系列的CeO2 膜。X射线衍射分析表明 ,在较低的氧压下生长的CeO2 膜为 (111)取向 ,在较高的氧压下生长的膜则为 (10 0 )取向。研究表明 ,CeO2 膜的取向对氧压显示了独特的依赖性 ,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对CeO2 薄膜结晶取向影响的可能机理。
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关键词
CeO2薄膜
结晶取向
脉冲激光沉积
气氛氧压
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职称材料
题名
气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO_2/Si薄膜的结晶取向的影响
被引量:
3
1
作者
李美亚
王忠烈
范守善
赵清太
熊光成
林揆训
机构
汕头大学科学院材料所
微电子研究所
清华大学物理系
北京大学物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期159-161,共3页
基金
国家自然科学基金!资助项目 ( 1 9574 0 0 3 )
文摘
用脉冲激光镀膜法 ,在不同的温度和氧压条件下 ,在Si(10 0 )片上制备了一系列的CeO2 膜。X射线衍射分析表明 ,在较低的氧压下生长的CeO2 膜为 (111)取向 ,在较高的氧压下生长的膜则为 (10 0 )取向。研究表明 ,CeO2 膜的取向对氧压显示了独特的依赖性 ,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对CeO2 薄膜结晶取向影响的可能机理。
关键词
CeO2薄膜
结晶取向
脉冲激光沉积
气氛氧压
Keywords
CeO 2 thin film
crystalline orientation
pulsed laser deposition
ambient oxygen pressure
分类号
TM21 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO_2/Si薄膜的结晶取向的影响
李美亚
王忠烈
范守善
赵清太
熊光成
林揆训
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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