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氧在SnO_2(110)面吸附机理的研究
1
作者
吴雄
苏克和
程永清
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1996年第2期6-9,共4页
用EHMO方法计算了SnO_2(110)面原子簇模型,并计算了表面存在氧空位和氧原子吸附的情况.计算结果表明,表面四配位锡原子是吸附中心,因电子得失而引起的原子净电荷变化是完全定域的.四配位锡原子的净电荷变化很明显,而五配位锡原子吸附的...
用EHMO方法计算了SnO_2(110)面原子簇模型,并计算了表面存在氧空位和氧原子吸附的情况.计算结果表明,表面四配位锡原子是吸附中心,因电子得失而引起的原子净电荷变化是完全定域的.四配位锡原子的净电荷变化很明显,而五配位锡原子吸附的净电荷变化很小.
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关键词
二氧化锡
SnO2(110)面
氧吸附机理
气敏半导体材
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职称材料
题名
氧在SnO_2(110)面吸附机理的研究
1
作者
吴雄
苏克和
程永清
机构
西北工业大学化学工程系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1996年第2期6-9,共4页
基金
航空科学基金资助项目
文摘
用EHMO方法计算了SnO_2(110)面原子簇模型,并计算了表面存在氧空位和氧原子吸附的情况.计算结果表明,表面四配位锡原子是吸附中心,因电子得失而引起的原子净电荷变化是完全定域的.四配位锡原子的净电荷变化很明显,而五配位锡原子吸附的净电荷变化很小.
关键词
二氧化锡
SnO2(110)面
氧吸附机理
气敏半导体材
Keywords
tin oxide
surface structure
EHMO
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧在SnO_2(110)面吸附机理的研究
吴雄
苏克和
程永清
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1996
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