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气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文) 被引量：1: 1; 作者李华李爱珍 +1 位作者张永刚齐鸣《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-4,9,共5页; 研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,... 展开更多; 关键词气态源分子束外延 ALGAAS Si掺杂电学性质组分; 在线阅读下载PDF 职称材料

短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制被引量：13: 2; 作者张永刚顾溢 +3 位作者朱诚郝国强李爱珍刘天东《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-9,共4页; 采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征... 展开更多; 关键词光伏探测器短波红外 INGAAS 气态源分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究被引量：2: 3; 作者魏榕山邓宁 +4 位作者王民生张爽陈培毅刘理天张璟《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1771-1774,共4页; 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜... 展开更多; 关键词增透膜气态源分子束外延量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度; 在线阅读下载PDF 职称材料

2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1: 4; 作者张永刚顾溢 +7 位作者陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期275-280,共6页; 介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、... 展开更多; 关键词半导体激光器光电探测器磷化铟基无锑气态源分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量：1: 5; 作者张永刚顾溢 +3 位作者王凯李成李爱珍郑燕兰《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第S3期38-41,共4页; 采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下... 展开更多; 关键词光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响: 6; 作者崔健潘文武 +4 位作者吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期352-357,共6页; 为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱... 展开更多; 关键词 GaAsBi 气态源分子束外延生长温度 AsH3压 Bi源温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器: 7; 作者何焜龚谦 +1 位作者李世国李健《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期762-765,共4页; 报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构。AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布。制作了脊条宽为6μm,腔长为1.5 mm的未镀膜激光器器件,... 展开更多; 关键词自组织量子点量子点激光器多纵模气态源分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光器件半导体激光器: 8; 《中国光学》 EI CAS 2005年第6期14-17,共4页; TN248．4 2005064083 气态源分子束外延1．3 μm VCSEL器件结构=1．3μm vertical-cavity surface-emitting laser structure grown by GSMBE[刊．中]/刘成(中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室．上海(200050... 展开更多; 关键词半导体激光器列阵垂直腔面发射激光器光电子非线性增益取样光栅国家重点实验室气态源分子束外延高精度测试结果温度控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文) 被引量：1: 1; 作者李华李爱珍张永刚齐鸣; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-4,9,共5页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(60136010,60676026,60406008) National 973 Project of China(2006CB604903); 文摘研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs全组份范囲内,自由载流子浓度隨Al组份从0至1呈“V”形变化,在X=0.38处呈最低点.在x>0.4之后,AlxGa1-xAs的电子迁移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.; 关键词气态源分子束外延 ALGAAS Si掺杂电学性质组分; Keywords gas source molecular beam epitaxy Alx Ga1-x As Si-doped electrical properties composition; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制被引量：13: 2; 作者张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-9,共4页; 基金国家'973'项目基金(G20000683) 国家'863'项目基金(2002AA313040); 文摘采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.; 关键词光伏探测器短波红外 INGAAS 气态源分子束外延; Keywords photovotaic detector short wavelength infrared InGaAs GSMBE; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究被引量：2: 3; 作者魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅刘理天张璟; 机构清华大学微电子学研究所英国帝国理工学院Blackett实验室; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1771-1774,共4页; 基金国家自然科学基金重点基金资助(69836020) 教育部985基金资助(JZ2001010); 文摘设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.; 关键词增透膜气态源分子束外延量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度; Keywords Anti-reflection coating GSMBg quantum dot quantum dot infrared photodetectors （QDIPs） dark current density photocurrent responsivity; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1: 4; 作者张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期275-280,共6页; 基金 973项目基金(2012CB619200 2014CB643900) +3 种基金国家自然科学基金(61275113 61204133 61405232 61334004)~~; 文摘介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．; 关键词半导体激光器光电探测器磷化铟基无锑气态源分子束外延; Keywords semiconductor lasers photodetectors InP-based antimony-free gas source MBE; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量：1: 5; 作者张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第S3期38-41,共4页; 基金国家973部分资助项目(2006CB604903); 文摘采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。; 关键词光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延; Keywords Photodetector Compound semiconductor InGaAs Gas source molecular beam epitaxy; 分类号 TH74 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响: 6; 作者崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期352-357,共6页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB643902) 国家自然科学基金关键资助项目(61334004); 文摘为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。; 关键词 GaAsBi 气态源分子束外延生长温度 AsH3压 Bi源温度; Keywords GaAsBi GSMBE growth temperature AsH3 pressure Bi cell temperature; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器: 7; 作者何焜龚谦李世国李健; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期762-765,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60576009); 文摘报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构。AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布。制作了脊条宽为6μm,腔长为1.5 mm的未镀膜激光器器件,器件室温连续工作的最大输出功率达到51.1 mW(单面),最高工作温度70℃。激光光谱包含一系列非均匀的多纵模簇,且随着电流的增加,纵模簇个数也增加。经分析认为,光谱的这一不同于常规半导体激光器的性质是由量子点的非均匀性以及量子点之间互不关联性导致的,是多个互相无关联的不同特性激光的集体行为。; 关键词自组织量子点量子点激光器多纵模气态源分子束外延; Keywords serf-organize quantum-dot quantum-dot lasers multi longitudinal modes GSMBE; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光器件半导体激光器: 8; 出处《中国光学》 EI CAS 2005年第6期14-17,共4页; 文摘 TN248．4 2005064083 气态源分子束外延1．3 μm VCSEL器件结构=1．3μm vertical-cavity surface-emitting laser structure grown by GSMBE[刊．中]/刘成(中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室．上海(200050)),吴惠桢…∥功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-173- 176。; 关键词半导体激光器列阵垂直腔面发射激光器光电子非线性增益取样光栅国家重点实验室气态源分子束外延高精度测试结果温度控制; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)	李华李爱珍张永刚齐鸣	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制	张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2006	13	在线阅读下载PDF 职称材料
3	以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究	魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅刘理天张璟	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器	张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制	张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响	崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器	何焜龚谦李世国李健	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	激光器件半导体激光器		《中国光学》 EI CAS	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料