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用聚焦离子束气体辅助刻蚀在LiNbO_3上制备亚微米圆孔点阵 被引量:1
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作者 徐雪峰 颜莎 +3 位作者 王克明 王雪林 薛建明 王宇钢 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期937-940,共4页
使用聚焦粒子束(FIB)在LiNbO3上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵,研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果,还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching,GAE)。研究发现... 使用聚焦粒子束(FIB)在LiNbO3上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵,研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果,还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching,GAE)。研究发现,与直接刻蚀结果相比,GAE减小了反沉积效应,得到了更好的孔形。禁带模拟计算表明,与常规FIB刻蚀出的锥形圆孔相比,使用XeF2气体辅助刻蚀得到的这种侧壁更陡直的圆孔阵列构成的光子晶体禁带更趋近于理想光子晶体的禁带。 展开更多
关键词 聚焦离子束 铌酸锂 气体辅助刻蚀
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基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究 被引量:8
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作者 徐宗伟 房丰洲 +1 位作者 张少婧 陈耘辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期62-67,共6页
提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量... 提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10~15nm的纳米颗粒层。以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(FIB-GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB) 离子注入 气体辅助刻蚀(gae) 微结构
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