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气体放电与等离子体在芯片制造领域中的应用
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作者 付洋洋 王新新 +11 位作者 邹晓兵 韩星 陈佳毅 张东荷雨 陈健东 林楚彬 杨栋 贾鸿宇 王倩 郑博聪 赵凯 肖舒 《高电压技术》 北大核心 2025年第8期4458-4477,共20页
放电等离子体广泛应用于半导体芯片制造,包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、等离子体清洗等,其技术总成占据集成电路产业份额1/3以上,已发展成为芯片制造工艺与装备领域的关键核心技术。该文对气体放电与等离子体在芯片制造领域的典... 放电等离子体广泛应用于半导体芯片制造,包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、等离子体清洗等,其技术总成占据集成电路产业份额1/3以上,已发展成为芯片制造工艺与装备领域的关键核心技术。该文对气体放电与等离子体在芯片制造领域的典型应用进行了概述。首先,针对光刻光源系统,介绍了气体放电泵浦准分子激光、激光产生等离子体辐射极紫外光的基本原理,其本质都是利用等离子体产生的光辐射;其次,针对刻蚀用射频等离子体,介绍了低气压射频放电的产生、特性、调控及相关工艺技术;再次,对薄膜工艺、离子注入装备原理及相关放电等离子体技术原理进行了介绍与讨论;随后,在量测与检测方面,分别介绍了光学检测与电子束检测的特点,阐述了激光维持等离子体实现宽谱强辐射光源的基本原理与特性;最后,介绍了基于辉光放电的等离子体清洗技术,以及其在去除刻蚀残留物中的应用。通过总结梳理气体放电与等离子体在半导体制造领域中的应用及相关核心技术,明晰放电等离子体科学基础研究方向,助力解决半导体装备国产化过程中的等离子体技术瓶颈。 展开更多
关键词 气体放电 等离子体 芯片制造 气体激光 等离子体辐射 射频放电 等离子体刻蚀 激光维持等离子体 辉光放电清洗
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基于元学习的气体放电等离子体电子Boltzmann方程数值求解 被引量:4
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作者 仲林林 吴冰钰 吴奇 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第11期3457-3466,共10页
在气体放电等离子体中,电子的输运行为可由Boltzmann方程精确描述,该方程的解是许多等离子体仿真模型的基础。物理信息神经网络作为一种求解Boltzmann方程的新型方法,虽克服了传统数值方法网格剖分和方程离散的缺陷,但其参数空间规模大... 在气体放电等离子体中,电子的输运行为可由Boltzmann方程精确描述,该方程的解是许多等离子体仿真模型的基础。物理信息神经网络作为一种求解Boltzmann方程的新型方法,虽克服了传统数值方法网格剖分和方程离散的缺陷,但其参数空间规模大,在求解多任务时训练效率较低。为此,该文构建了一种基于元学习的双循环物理信息神经网络,在内循环中对多个Boltzmann方程求解任务进行优化训练,得到各任务优化后的元损失函数,用于在外循环中进行网络参数更新,从而提高网络在求解新任务时的计算效率。计算结果表明,基于元学习的双循环物理信息神经网络在求解新的Boltzmann方程时,网络损失函数值和L2误差值的下降速度均显著快于普通的物理信息神经网络。此外,该文还研究了网络容量和内循环迭代次数对Boltzmann方程多任务求解效率的影响,结果显示计算效率并不随网络容量的增大而提高,且受内循环迭代次数影响较小。 展开更多
关键词 气体放电等离子体 BOLTZMANN方程 元学习 物理信息神经网络
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SF_(6)混合气体放电的极性反转特性研究 被引量:1
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作者 陈远东 郑宇 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期114-121,共8页
SF_(6)混合气体可在极寒条件下替代SF_(6)气体用于气体绝缘电气设备,当设备中存在缺陷时会显著降低击穿电压,因此有必要研究缺陷产生的极不均匀电场中SF_(6)混合气体的放电特性。开展了针板电极下SF_(6)/CF_(4)、SF_(6)/N_(2)混合气体... SF_(6)混合气体可在极寒条件下替代SF_(6)气体用于气体绝缘电气设备,当设备中存在缺陷时会显著降低击穿电压,因此有必要研究缺陷产生的极不均匀电场中SF_(6)混合气体的放电特性。开展了针板电极下SF_(6)/CF_(4)、SF_(6)/N_(2)混合气体的放电试验,并和SF_(6)气体对比,分析其击穿电压随气压增大呈现的驼峰曲线变化规律。发现SF_(6)混合气体的驼峰曲线相比SF_(6)气体会发生右移,且SF_(6)/N_(2)混合气体的右移现象更加明显。进一步对比研究了不同气压下SF_(6)混合气体的击穿与局放特性,发现SF_(6)/CF_(4)、SF_(6)/N_(2)混合气体的击穿电压均随气压升高出现极性反转,即从负极性击穿转化为正极性击穿,极性反转对应的气压即为驼峰曲线峰谷处的气压;同时,局放特性也会随气压升高出现变化,即从正负极性局放共存转化为只存在正极性局放。通过分析SF_(6)混合气体的局放起始电压随气压的变化趋势,发现当高于峰谷气压时,局放起始电压与击穿电压相差较小,这一现象说明SF_(6)混合气体设备在较高气压时也更易出现无晕击穿,与SF_(6)气体设备的运维经验一致。研究结果对于SF_(6)混合气体设备的运维检修和设计具有参考意义。 展开更多
关键词 SF_(6)混合气体 气体绝缘 气体放电 无晕击穿 驼峰曲线
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气体放电的相似性 被引量:20
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作者 王新新 付洋洋 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2966-2972,共7页
为了使读者对气体放电相似性有一个全面的了解,对气体放电相似性的研究进行综述。Townsend首先阐述了气体放电相似性原理,von Engel给出了气体放电相似性的定义、主要相似关系,相似放电允许和不允许的物理过程。两个气隙放电相似的必要... 为了使读者对气体放电相似性有一个全面的了解,对气体放电相似性的研究进行综述。Townsend首先阐述了气体放电相似性原理,von Engel给出了气体放电相似性的定义、主要相似关系,相似放电允许和不允许的物理过程。两个气隙放电相似的必要条件是p1d1=p2d2和E1(px)/p1=E2(px)/p2(p1、d1、E1和p2、d2、E2分别为两个气隙的气压、气隙长度、电场强度)。前者表明电子跨越整个气隙期间所发生的平均碰撞次数相同,而后者表明电子的平均动能相同,即每次碰撞原子时的电离能力相同。随后介绍了放电相似性的使用范围在高频放电和脉冲放电研究领域的扩展,并简单介绍了3个放电相似性的应用例子:清洗ITER装置的超大尺度辉光放电、分析化学中的超小尺度放电、大气中间层的超大尺度放电。 展开更多
关键词 相似放电 相似性定律 相似性原理 几何相似气隙 气体放电相似性 气体放电
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分形学描述平面气体放电的改进方法 被引量:4
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作者 任顺平 迟建平 +1 位作者 庄洪春 刘来存 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 1999年第5期31-34,共4页
介绍了气体二维击穿模型DBM,在此基础上建立了可能发生击穿点的模糊集合,形成了描述平面气体击穿模型(DBM)的改进型,即分形模糊平面气体击穿模型。详细地介绍了该算法及处理结果。利用模糊集合处理平面气体放电的描述问题可... 介绍了气体二维击穿模型DBM,在此基础上建立了可能发生击穿点的模糊集合,形成了描述平面气体击穿模型(DBM)的改进型,即分形模糊平面气体击穿模型。详细地介绍了该算法及处理结果。利用模糊集合处理平面气体放电的描述问题可以将放电的先验知识、实验参数合理地加入到处理之中。 展开更多
关键词 气体放电 分形学 模糊集合 平面气体放电
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大气压脉冲气体放电与等离子体应用 被引量:201
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作者 邵涛 章程 +2 位作者 王瑞雪 严萍 任成燕 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期685-705,共21页
脉冲放电等离子体及其应用是脉冲功率技术民用领域极具前景的发展方向之一。为了推动脉冲放电等离子体理论与应用技术的研究和发展,综述了近年来纳秒脉冲气体放电机理与典型脉冲等离子体特性和应用的研究进展。介绍了基于高能电子逃逸... 脉冲放电等离子体及其应用是脉冲功率技术民用领域极具前景的发展方向之一。为了推动脉冲放电等离子体理论与应用技术的研究和发展,综述了近年来纳秒脉冲气体放电机理与典型脉冲等离子体特性和应用的研究进展。介绍了基于高能电子逃逸击穿的机理假说及相关测量技术的研究进展。分析了直接驱动型脉冲放电、脉冲介质阻挡放电和脉冲等离子体射流三种典型脉冲放电形式的国内外研究现状。以材料表面改性、主动流动控制、点火助燃和甲烷转化为代表介绍了脉冲等离子体应用研究进展。最后结合脉冲放电等离子体研究现状的分析,展望了大气压脉冲气体放电与放电等离子体应用的发展趋势。 展开更多
关键词 纳秒脉冲 气体放电 脉冲等离子体 逃逸电子 放电特性 等离子体应用
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场致发射影响微间隙气体放电形成的模拟 被引量:22
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作者 徐翱 金大志 +2 位作者 王亚军 陈磊 谈效华 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期715-722,共8页
当间隙间距达到几微米时,其击穿电压将与帕邢曲线显著偏离。文中以间隙间距4μm为典型研究对象,基于网格质点法耦合蒙特卡洛碰撞(PIC-MCC)建立这种微间隙气体放电形成过程的仿真模型,并分析了考虑与不考虑场致电子发射对这种微间隙气体... 当间隙间距达到几微米时,其击穿电压将与帕邢曲线显著偏离。文中以间隙间距4μm为典型研究对象,基于网格质点法耦合蒙特卡洛碰撞(PIC-MCC)建立这种微间隙气体放电形成过程的仿真模型,并分析了考虑与不考虑场致电子发射对这种微间隙气体放电形成过程的影响,获得了放电形成过程中不同粒子数密度时空分布、不同粒子速度分布和电场分布等随时间的变化,最后通过分析与讨论得到了间隙间距在2~5μm左右范围时,形成微间隙气体放电过程的主要因素是阴极场致电子发射和随后的离子增强场致电子发射;而当间隙间距小于1μm时场致电子发射将会在形成微间隙气体放电过程中起到主要作用。 展开更多
关键词 场致发射 等离子体 微间隙 气体放电 粒子数密度
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直流气体放电过程中的离子分子碰撞模型 被引量:15
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作者 李静 曹云东 +3 位作者 邹积岩 侯春光 刘晓明 王尔智 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1677-1682,共6页
气体放电是高压设备绝缘击穿的一种常见现象,为了研究正离子能量及行为对气体放电过程的影响,采用微观粒子法在计算机上模拟了平板电极下,极间电压为500V时,短间隙击穿过程中的正离子运动。数值计算的过程中考虑了离子与分子间的弹性碰... 气体放电是高压设备绝缘击穿的一种常见现象,为了研究正离子能量及行为对气体放电过程的影响,采用微观粒子法在计算机上模拟了平板电极下,极间电压为500V时,短间隙击穿过程中的正离子运动。数值计算的过程中考虑了离子与分子间的弹性碰撞及电荷交换碰撞对离子运动的修正作用,采用了与能量相关的碰撞截面,跟踪正离子直至其运动到达阴极表面。基于此方法获得了空间电荷密度、带电粒子数与电场强度等宏观物理量。计算结果表明:直流放电过程中,正离子碰撞阴极是放电得以维持的必要条件;正离子运动缓慢形成的空间电荷畸变了电场,促进了碰撞电离,有利于放电的持续进行,同时离子碰撞加剧将减弱γ过程,使放电无法自持。 展开更多
关键词 粒子法 蒙特卡罗 气体放电 离子碰撞 γ过程 空间电荷
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高压纳秒脉冲气体放电试验研究进展 被引量:14
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作者 邵涛 孙广生 +3 位作者 严萍 高魏 彭燕昌 王珏 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期279-282,共4页
按时间顺序综述了纳秒脉冲下气体放电的试验研究结果,简述了几种纳秒脉冲下放电机理假说,并总结了相关的经验公式。目前,重频纳秒脉冲下气体放电的试验研究有较多空白,有必要开展此项研究。
关键词 脉冲功率 纳秒脉冲 气体放电
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气体放电加工机理分析 被引量:37
10
作者 李立青 王振龙 赵万生 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期359-362,共4页
为了从机理上了解以气体为介质的放电加工,进行了气体中放电加工的基本工艺实验.通过实验现象和数据分析,并结合气体放电理论,从电子的碰撞电离、介质的击穿、放电通道的形成以及放电通道的扩展等角度对以气体为介质的放电加工机理进行... 为了从机理上了解以气体为介质的放电加工,进行了气体中放电加工的基本工艺实验.通过实验现象和数据分析,并结合气体放电理论,从电子的碰撞电离、介质的击穿、放电通道的形成以及放电通道的扩展等角度对以气体为介质的放电加工机理进行了分析.结果表明:气体介质放电加工,介质击穿以电子的轰击碰撞为主;放电通道是由电子雪崩发展成的流光而形成的;同传统电火花加工相比。气体介质的放电加工形成的放电通道扩展迅速;气体放电加工存在极性效应,正极性加工时加工速度较快,电极损耗极低.分析了气体放电加工应在有一定压力的气体介质中进行的原因. 展开更多
关键词 电火花加工 气体放电加工 碰撞电离 放电通道
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纳秒脉冲气体放电机理探讨 被引量:15
11
作者 邵涛 严萍 +1 位作者 张适昌 孙广生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1928-1932,共5页
经典Townsend机理和流注理论是气体放电研究的基础,但在解释纳秒脉冲气体放电时均存在一定缺陷。基于经典气体放电理论,探讨纳秒脉冲气体放电机理,分析流注理论判据在纳秒脉冲气体放电中的有效性,解释纳秒脉冲下电子逃逸现象和基于电子... 经典Townsend机理和流注理论是气体放电研究的基础,但在解释纳秒脉冲气体放电时均存在一定缺陷。基于经典气体放电理论,探讨纳秒脉冲气体放电机理,分析流注理论判据在纳秒脉冲气体放电中的有效性,解释纳秒脉冲下电子逃逸现象和基于电子逃逸的快速电离波击穿理论,仿真计算高能快电子的逃逸过程。结果认为基于高能量快电子的逃逸击穿将是可能解释纳秒脉冲下气体放电现象的依据。 展开更多
关键词 气体放电 流注理论 流注判据 逃逸击穿
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基于不连续有限元的短间隙气体放电仿真算法及其应用 被引量:30
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作者 庄池杰 耿屹楠 曾嵘 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期970-978,共9页
我国超、特高压输电工程建设亟需空气间隙放电理论的支撑。作为长间隙放电研究的基础,短间隙放电是间隙放电研究的重要内容与切入点。仅靠现有实验手段与实验结果无法构建这些放电过程的完整物理图像,使得数学建模与仿真,成为研究短间... 我国超、特高压输电工程建设亟需空气间隙放电理论的支撑。作为长间隙放电研究的基础,短间隙放电是间隙放电研究的重要内容与切入点。仅靠现有实验手段与实验结果无法构建这些放电过程的完整物理图像,使得数学建模与仿真,成为研究短间隙放电的重要方法。为此,概述了描述短间隙气体放电过程的流体模型,提出了基于不连续有限元的仿真算法:引入罚因子不连续有限元离散Poisson方程;提出了加权不连续有限元用于求解粒子输运方程,提出了圆柱坐标系下的多层重构算法用于抑制高阶格式可能引起的数值振荡。实现了基于上述算法的短间隙气体放电仿真程序,利用该程序研究了碰撞电离系数、附着系数、粒子迁移率等放电参量对流注发展的影响,电子碰撞电离系数与电子迁移率影响最大,电子附着系数与电子扩散系数有一定影响,离子迁移率基本没有影响。通过考虑Townsend放电中的光发射机制,成功预测了一定长度范围内平板间隙中Townsend放电击穿电压曲线,验证了将数值仿真应用于气体放电研究的可行性。 展开更多
关键词 气体放电 短空气间隙 不连续有限元 流注 Townsend放电 流体模型
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常压下重频纳秒脉冲气体放电试验研究 被引量:27
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作者 邵涛 袁伟群 +6 位作者 孙广生 严萍 王珏 高巍 张适昌 苏建仓 俞建国 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第8期161-166,共6页
气体介质在重频(PRF)纳秒脉冲作用下的绝缘特性是高重频脉冲功率技术研发的基础。采用SPG200 重频纳秒脉冲电源,通过测量常压空气介质间隙(5、10、15、20mm),在不同重复频率(1、10、100、500、1000Hz)、不同电压幅值(60、80、100kV)作... 气体介质在重频(PRF)纳秒脉冲作用下的绝缘特性是高重频脉冲功率技术研发的基础。采用SPG200 重频纳秒脉冲电源,通过测量常压空气介质间隙(5、10、15、20mm),在不同重复频率(1、10、100、500、1000Hz)、不同电压幅值(60、80、100kV)作用下的击穿电压、电流、击穿延时及耐受时间,研究了空气的绝缘特性。结果显示重频脉冲常压下空气的击穿场强比单次脉冲时低得多;随击穿场强的增大,击穿时延、重频耐受时间均有减小的趋势,高PRF 时减小趋缓。低PRF 下的放电发展过程与单次时的放电发展过程差别不大,而与高PRF 下的不同。最后对纳秒脉冲下击穿时延及放电机理等进行了一些讨论。 展开更多
关键词 纳秒脉冲 试验研究 气体放电 压下 脉冲功率技术 绝缘特性 击穿场强 发展过程 PRF 脉冲作用 气体介质 脉冲电源 空气介质 重复频率 电压幅值 击穿电压 单次脉冲 放电机理 高重频 500 时间 耐受 时延 减小 电流
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气体放电臭氧发生器的研究进展 被引量:15
14
作者 赵纯 何正浩 李劲 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期44-46,共3页
臭氧由于其强氧化性 ,已在许多方面得到广泛应用。目前臭氧发生器多以气体放电为基础 ,因此围绕如何提高臭氧产生效率 ,介绍了臭氧发生器电极、电介质和电源的研究进展 ,以及进气制备。
关键词 气体放电 臭氧发生器 臭氧产生效率
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气体放电条件下负载光催化剂陶瓷的实验研究 被引量:9
15
作者 梁亚红 张鹏 +1 位作者 党小庆 马广大 《西安建筑科技大学学报(自然科学版)》 CSCD 2004年第2期179-182,共4页
选取A、B两类陶瓷材料作为负载光催化剂的载体.通过对陶瓷材料性质的实验研究并将其作为管线式气体放电填充床反应器的填充料对含苯气体进行处理,得出了不同粒径的陶瓷载体在高电压下对苯转化率的影响规律,高孔隙率的陶瓷载体对苯的转... 选取A、B两类陶瓷材料作为负载光催化剂的载体.通过对陶瓷材料性质的实验研究并将其作为管线式气体放电填充床反应器的填充料对含苯气体进行处理,得出了不同粒径的陶瓷载体在高电压下对苯转化率的影响规律,高孔隙率的陶瓷载体对苯的转化率较高,高孔隙率的陶瓷负载光催化剂后对较高浓度苯气体的转化率达到94.9%. 展开更多
关键词 陶瓷 光催化 气体放电
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气隙长度对气体放电式丝电爆过程的影响 被引量:5
16
作者 杨富龙 张爱华 +1 位作者 朱亮 毕学松 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1903-1908,共6页
气体放电式丝电爆过程中,不同气隙长度会影响金属丝上的能量沉积及爆炸产物。为研究产生该影响的机理,试验测量了丝电爆过程中的电压和电流,并建立了相应的模型进行验证,最后采集不同气隙下的爆炸产物并对其平均粒径进行了统计分析。结... 气体放电式丝电爆过程中,不同气隙长度会影响金属丝上的能量沉积及爆炸产物。为研究产生该影响的机理,试验测量了丝电爆过程中的电压和电流,并建立了相应的模型进行验证,最后采集不同气隙下的爆炸产物并对其平均粒径进行了统计分析。结果表明:在确保气体放电式丝电爆能够发生的条件下,气隙δ增大,金属丝上电压与电流几乎不发生变化,只是波形峰值略微滞后一些;而随着δ增大,金属丝上能量沉积会以1.67 J/mm速率下降;相同初始充电电压下,不同气隙爆炸产物中纳米颗粒的尺寸均近似于正态分布,且其平均粒径变化不大。 展开更多
关键词 丝电爆 气隙 能量密度 气体放电 等离子体 电路模拟
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一种计算汤逊气体放电参数的 Boltzmann 方程分析法 被引量:7
17
作者 刘子瑞 邱毓昌 李彦明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第5期52-56,共5页
介绍一种用于计算稳态汤逊条件下气体放电参数的Boltzmann方程分析法,在169×10-21V·m2≤E/N≤424×10-21V·m2范围对SF6和N2的计算结果与实验测量值吻合,表明了这一算法的... 介绍一种用于计算稳态汤逊条件下气体放电参数的Boltzmann方程分析法,在169×10-21V·m2≤E/N≤424×10-21V·m2范围对SF6和N2的计算结果与实验测量值吻合,表明了这一算法的有效性。 展开更多
关键词 气体放电 分析 放电参数 Boltzmnn方程
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气体放电光催化法去除模拟烟气中的SO_2 被引量:4
18
作者 储金宇 冷秋颖 +1 位作者 吴春笃 依成武 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期163-166,共4页
为探讨等离子体协同TiO2光催化剂的脱硫机理,利用填充床反应器将低温等离子体技术有机结合纳米TiO2光催化技术进行模拟烟气中脱硫实验,分别研究了外加电压、气体流量和SO2初始质量浓度等因素对脱硫效率的影响。采用二次回归正交法设计... 为探讨等离子体协同TiO2光催化剂的脱硫机理,利用填充床反应器将低温等离子体技术有机结合纳米TiO2光催化技术进行模拟烟气中脱硫实验,分别研究了外加电压、气体流量和SO2初始质量浓度等因素对脱硫效率的影响。采用二次回归正交法设计实验步骤,使外加电压、气体流量和SO2初始质量浓度等因素在限定范围内达到最优组合。经拟合,当SO2初始质量浓度为535 mg/m3,输入电压为5.8 kV,气体流量为0.2 m3/h时,SO2脱除率可达87.1%。实验证明了气体放电等离子体技术与光催化技术相结合的可行性。 展开更多
关键词 等离子体 脱硫 气体放电 光催化 回归正交实验
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气体放电管直流击穿电压测量技术的研究 被引量:9
19
作者 姚学玲 杜志航 +1 位作者 杨志豪 陈景亮 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1-7,共7页
为了寻找一个能有效表征气体放电管(GDT)从高阻状态转变为低阻状态的判据,在分析和实验对比现有技术的基础上,提出了利用电磁感应原理设计判据提取的方法.该方法设计了一个耦合线圈,将初级线圈串入主回路采集GDT击穿瞬间产生的微电流脉... 为了寻找一个能有效表征气体放电管(GDT)从高阻状态转变为低阻状态的判据,在分析和实验对比现有技术的基础上,提出了利用电磁感应原理设计判据提取的方法.该方法设计了一个耦合线圈,将初级线圈串入主回路采集GDT击穿瞬间产生的微电流脉冲,将该脉冲整形后作为判据信号.对GDT击穿瞬间的电路状态进行了建模分析,首次从电路角度分析了GDT击穿瞬间出现的脉冲电流的形成原因,并指出不同的脉冲电流是由电流中脉冲分量和线性分量相互作用的结果.实验结果表明:在宽电压范围(50~5 000V)测量系统中,稳态击穿电流小于5mA,且在上升速率为100V/s直流电压作用下,从GDT击穿到系统响应最小时间为2.06μs,最大为3.34μs,平均为2.81μs. 展开更多
关键词 气体放电 直流击穿电压 击穿电流 电磁感应
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激光等离子体和气体放电EUV光刻光源 被引量:7
20
作者 程元丽 李思宁 王骐 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期561-564,共4页
对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光... 对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光源日益受到重视。 展开更多
关键词 极紫外光刻 EUV光刻光源 激光等离子体 气体放电
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