期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
1
作者
贾高升
许铭真
+1 位作者
谭长华
段小蓉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期466-470,共5页
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。...
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关。
展开更多
关键词
金属-氧化物-半导体器件
直接隧穿栅电流
比例差分谱
多缺陷
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
1
作者
贾高升
许铭真
谭长华
段小蓉
机构
北京大学微电子研究院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期466-470,共5页
基金
国家"九七三"基础研究课题(G2000036503)的资助
文摘
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关。
关键词
金属-氧化物-半导体器件
直接隧穿栅电流
比例差分谱
多缺陷
Keywords
metal-oxide-semiconductor device
direct tunneling gate current
proportional difference operator（PDO）
multi defect
分类号
O474 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
贾高升
许铭真
谭长华
段小蓉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
