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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
被引量：
19
1
作者
孔伟华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期1083-1088,共6页
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒...
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
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关键词
ITO靶材
直流磁控反应溅射
毒化现象
三氧化二铟
二氧化锡
导电氧化物半导体
薄膜
制备
在线阅读
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职称材料
题名
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
被引量：
19
1
作者
孔伟华
机构
西北稀有金属材料研究院宁夏特种材料重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期1083-1088,共6页
文摘
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
关键词
ITO靶材
直流磁控反应溅射
毒化现象
三氧化二铟
二氧化锡
导电氧化物半导体
薄膜
制备
Keywords
DC-Magnetron sputtering
ITO target
poisoning phenomenon
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
孔伟华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
19
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职称材料
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