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空心玻璃微珠内部残余气体分析 被引量:2
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作者 常仁超 毕海林 +2 位作者 吴俊 王旭迪 彭小波 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期31-36,共6页
空心玻璃微珠在航空航天、军工等领域有广泛应用,其内部残余气体压强及成分对传热等性能有重要影响,目前国内外还没有残余气体分析相关报道。针对空心玻璃微珠内部压强未知、尺寸小、数量多等特点,设计了一种基于波纹管真空动密封的样... 空心玻璃微珠在航空航天、军工等领域有广泛应用,其内部残余气体压强及成分对传热等性能有重要影响,目前国内外还没有残余气体分析相关报道。针对空心玻璃微珠内部压强未知、尺寸小、数量多等特点,设计了一种基于波纹管真空动密封的样品破坏取样机构。基于静态升压法和动态流导法,结合破碎率,推导空心玻璃微珠内部压强计算公式。采用小孔对大气量残余气体降压取样,并使用四级质谱仪对其进行成分分析。对比初读法和积分法两种质谱分析方法,其中积分法分析结果具有更好的一致性。结果表明,取样机构可以获得40%以上的质量微珠破碎率,基于玻璃粉末法制备的空心玻璃微珠内部压强在27000 Pa左右,残余气体成分主要包括SO_(2)、N_(2)、CO、CO_(2)和O_(2)。 展开更多
关键词 空心玻璃微珠 静态升压法 动态流导法 残余气体分析
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钐钴永磁漂移管出气及质谱分析
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作者 关玉慧 王鹏程 +11 位作者 刘顺明 刘佳明 孙晓阳 谭彪 王一刚 朱邦乐 李阿红 李波 吴小磊 于永积 邓昌东 袁月 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期791-796,共6页
文章系统地阐述了同步气路法测量材料出气率的实验原理,首先实验测得钐钴永磁铁室温下不同时刻的出气率并给出及其拟合曲线,可预测更长时间钐钴所对应的出气率。其次,实验测得钐钴永磁铁漂移管样机的整体出气量,并与钐钴样品总出气量进... 文章系统地阐述了同步气路法测量材料出气率的实验原理,首先实验测得钐钴永磁铁室温下不同时刻的出气率并给出及其拟合曲线,可预测更长时间钐钴所对应的出气率。其次,实验测得钐钴永磁铁漂移管样机的整体出气量,并与钐钴样品总出气量进行比对,分析夹气是导致漂移管样机出气量下降缓慢的主要原因,并提出改进方案。然后,对比不同状态下的残余气体成分,分析结果对于后续漂移管的加工提供改进思路。最后,计算了钐钴永磁漂移管应用于DTL1#物理腔引起的压强变化,为钐钴永磁漂移管的应用提供数据支持。 展开更多
关键词 同步气路法 钐钴出气率 漂移管出气量 残余气体分析 钐钴永磁漂移管应用
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真空太阳集热管在应用不同吸气剂时的残气分析 被引量:5
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作者 周小雯 董光军 +3 位作者 朱秀珍 陈旭 殷志强 朱雷 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期27-31,共5页
自行设计了可直接测量成品集热管夹层真空状况的装置,对集热管夹层内真空度进行测量,并验证了该装置的可靠性。利用该真空开管装置分析了使用不同吸气剂的集热管内残余气体的情况。
关键词 集热管的真空开管装置 残余气体分析 吸气剂
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有尾排气式真空封装内部放气特性分析
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作者 乔大勇 曹兰玉 夏长峰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期204-208,共5页
以一种有尾排气式真空封装器件为对象,从释放气体组分和放气量两方面对封装体内部放气特性进行了分析,旨在为器件的高真空度设计、提高器件寿命提供依据。首先,通过残余气体分析得到了各封装体内部的气体成分,推理出各构件所释放气体的... 以一种有尾排气式真空封装器件为对象,从释放气体组分和放气量两方面对封装体内部放气特性进行了分析,旨在为器件的高真空度设计、提高器件寿命提供依据。首先,通过残余气体分析得到了各封装体内部的气体成分,推理出各构件所释放气体的具体组分;其次,通过真空电阻丝标定方法得到了各封装体内的压强变化,分析出各构件的放气量。研究结果表明,封装体内部的气体主要有:N_2,O_2,Ar,CO_2,H_2O,H_2,碳氢化合物,甲醇等,其中管壳是最大的气源,主要释放气体为H_2、H_2O;其次为银浆,主要释放气体为CO_2、N_2;最后为半导体制冷器,主要释放气体为H_2O、CO_2、N_2。 展开更多
关键词 真空封装 内部放气 残余气体分析 真空标定
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HL-2M装置真空室预装阶段检漏试验 被引量:2
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作者 蔡潇 曹曾 +3 位作者 冉红 黄向玫 张炜 李瑞鋆 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期221-226,共6页
通过在加工现场和安装现场搭建的真空辅助系统、四极质谱计及氦检漏仪组成的检漏系统,运用残余气体分析和氦质谱检漏方法在冷态下对HL-2M真空室扇形段及真空室整体进行了真空检漏试验。对漏点进行修复后,测试了真空室的极限真空度和总... 通过在加工现场和安装现场搭建的真空辅助系统、四极质谱计及氦检漏仪组成的检漏系统,运用残余气体分析和氦质谱检漏方法在冷态下对HL-2M真空室扇形段及真空室整体进行了真空检漏试验。对漏点进行修复后,测试了真空室的极限真空度和总漏气率等。真空室经过72h的抽气后,真空度达到3.7×10^(-5)Pa,超过了1.0×10^(-4)Pa的预期预抽真空度。用静态定容法测得的真空室漏放气率为2.3×10^(-7)Pa·m^(3)·s^(-1),小于设定的真空漏率技术指标5×10^(-7)Pa·m^(3)·s^(-1)。试验结果表明HL-2M装置真空室满足超高真空条件,符合设计要求。 展开更多
关键词 超高真空 氦质谱检漏 残余气体分析 总漏气率
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原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响 被引量:1
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作者 孔令德 方辉 +5 位作者 魏虹 刘礼 周润生 铁筱滢 杨文运 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第4期319-322,共4页
氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余... 氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。 展开更多
关键词 离子束溅射沉积 SiOx/VOx双层膜 残余气体分析仪(RGA) 电阻温度系数(TCR)
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